-
公开(公告)号：CN102790069B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210262973.3
申请日：2012-07-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14658 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括光电二极管传感器件和薄膜晶体管器件，其中，所述光电二极管传感器件包括：位于衬底基板之上的偏压线；位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极；位于透明电极之上的光电二极管；以及，位于光电二极管之上的接收电极；所述薄膜晶体管器件位于光电二极管之上。传感器在工作时，光线经过衬底基板直接透射在光电二极管传感器件上，对比于现有技术，大大减少了光损失，提高了光的吸收利用率。
-
公开(公告)号：CN102664184B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210084478.8
申请日：2012-03-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/1288 , H01L27/14658 , H01L27/14687
摘要： 本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：在衬底基板上通过第一次掩模工艺形成源极和漏极、与漏极连接的反光层、位于源极和漏极之上的欧姆层、位于反光层之上的光电二极管和透明电极的图形；通过第二次掩模工艺形成位于欧姆层之上的有源层图形；形成覆盖整个基板的栅极绝缘层；通过第三次掩模工艺形成用于连接偏压电极和透明电极的栅极绝缘层过孔；通过第四次掩模工艺形成位于有源层上方的栅极和与透明电极连接的偏压电极图形。有源层可在第二次掩模工艺中形成，沟道不再受到刻蚀的影响，且后续步骤形成的栅极可对沟道进行保护，不再需要设置沟道阻挡层，因此简化了阵列基板的制造工艺，大大提高了产能。
-
公开(公告)号：CN103137641A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310031381.5
申请日：2013-01-25
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器，涉及光电技术领域，为能够增强薄膜晶体管的稳定性而发明。所述阵列基板包括：基板；形成于所述基板上的栅线层，所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线；形成于所述栅线层上方的栅绝缘层；形成于所述绝缘层上方的有源层；形成于所述有源层上方的数据线层，所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述数据线与所述栅线交叉，其中，所述有源层包括导体层和半导体层，所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方，所述半导体层包裹所述导体层。本发明主要适用在X射线平板探测器中。
-
公开(公告)号：CN102790065A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210262848.2
申请日：2012-07-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14692
摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，所述薄膜晶体管器件的沟道上方设置有钝化保护层。本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，对比于现有技术，传感器的制造工艺减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
-
公开(公告)号：CN102790063A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210262565.8
申请日：2012-07-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L23/481 , H01L27/1461 , H01L27/14692 , H01L31/02325 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件为底栅型；所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。对比于现有技术，本发明所提出的传感器在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
-
公开(公告)号：CN102790062A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210262564.3
申请日：2012-07-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/14687 , H01L31/105
摘要： 本发明公开了一种传感器的制造方法，包括：在衬底基板上形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形，以及透明电极的图形；通过一次构图工艺形成欧姆层的图形；通过一次构图工艺形成有源层的图形；通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形；通过一次构图工艺形成栅线的图形、栅极的图形和偏压电极的图形。本发明方法对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
-
公开(公告)号：CN102664184A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210084478.8
申请日：2012-03-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/1288 , H01L27/14658 , H01L27/14687
摘要： 本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：形成于衬底基板之上相对而置的源极和漏极，及与漏极连接的反光层；形成于源极和漏极之上的欧姆层，及形成于欧姆层之上并与源极和漏极形成沟道的有源层；形成于反光层之上的光电二极管，及形成于光电二极管之上的透明电极；形成于有源层和透明电极之上并覆盖整个基板的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层之上，位于有源层上方的栅极及通过栅极绝缘层过孔与透明电极连接的偏压电极。由于有源层可在第二次掩模工艺中形成，沟道不再受到刻蚀的影响，且后续步骤形成的栅极可对沟道进行保护，不再需要设置沟道阻挡层，简化了阵列基板的制造工艺，大大提高了产能。
-
公开(公告)号：CN102629610A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210084693.8
申请日：2012-03-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/1288 , H01L27/14658
摘要： 本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法，包括薄膜晶体管器件和与薄膜晶体管器件相连的光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件包括：形成于衬底基板之上的源极和漏极；形成于源极和漏极之上的欧姆层；形成于欧姆层之上并与源极和漏极形成沟道的有源层；形成于有源层之上并覆盖整个基板的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层之上，并位于有源层上方的栅极。由于薄膜晶体管器件为顶栅型结构，因此在进行光电二极管和透明电极刻蚀时可使沟道受到有效保护，省去了沟道阻挡层的掩模工艺形成过程，简化了阵列基板的制造工艺，提高了产能；顶栅型的栅极有效遮挡光线使得沟道漏电流大大减少，无需再另外设置光罩，进一步降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN202523325U
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201220183951.3
申请日：2012-04-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种显示装置，涉及显示技术领域。所述显示装置包括：壳体和杆体，所述壳体内设置有容纳部，所述杆体设置于所述容纳部内，所述杆体包括固定杆和支撑杆，所述固定杆和支撑杆形成弯折结构，所述固定杆用于将杆体限位在所述容纳部内，所述支撑杆用于支撑所述显示装置。本实用新型的显示装置，当杆体的固定杆被限位在容纳部中时，支撑杆对显示装置能够起到支撑作用；另外，由于杆体的固定杆与支撑杆可相对转动，有效的保证了支撑杆在受到外力时不会折断；通过在壳体上设置可容纳杆体的容纳部，使杆体设置于容纳部中更便于携带；当杆体设置于容纳部中，还保证了外壳外部的整体美观度。
-
公开(公告)号：CN202306076U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120389981.5
申请日：2011-10-13
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/02
摘要： 本实用新型公开一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括：源漏金属层、像素电极和公共电极，其中，源漏金属层包括数据线；所述公共电极包括位于数据线上方的第一部分公共电极和位于像素电极上方的第二部分公共电极，其中，所述第一部分公共电极与第二部分公共电极通过金属线连接。根据本实用新型的技术方案，阵列基板的公共电极具有可维修性，同时不影响高开口率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
85 条记录 (耗时 0.051 秒)
