公开(公告)号：CN108735168A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810516605.4

申请日：2018-05-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 郭攀 ,  李伟 ,  陈延青 ,  王宁 ,  辛昊毅 ,  秦伟达 ,  李超 ,  李岩锋

IPC分类号： G09G3/34 ,  G09G3/36

摘要： 本发明公开了一种背光模组、3D显示装置及其驱动方法，由于采用的背光模组包括背光源和控制部，其中，背光源具有与液晶显示屏的各子像素一一对应的多个发光区域；控制部可以控制背光源的各发光区域的光出射方向。即背光模组可以提供针对每一子像素的指向性光源，从而通过时间分割方式使左右眼分别看到两幅立体对相应的图像，经过大脑对这些图像进行综合处理，实现不损失分辨率的多视点裸眼3D图像显示。

公开(公告)号：CN102707586B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210158972.4

申请日：2012-05-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 曹旭东 ,  李性照 ,  尹冬冬 ,  李坤 ,  华新孝 ,  吴利峰 ,  李超 ,  王文须

IPC分类号： G03F7/38 ,  H01L21/67

CPC分类号： F26B25/06 ,  F26B21/06 ,  G03F7/38

摘要： 本发明提供了一种前烘设备及其排气方法。本发明通过对前烘设备的结构进行改进，利用填充物对气体进行干燥及过滤，从而可以直接使用外部气体作为排气气源，在前烘工艺中进行排气，因此无需额外的新增热风系统，能够以较低成本改善前烘工艺中的排气效果。

公开(公告)号：CN118945963A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410978000.2

申请日：2024-07-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

发明人： 胡逸夫 ,  潘靓靓 ,  华刚 ,  王敏 ,  邓立广 ,  陈俊生 ,  于心蕊 ,  李超 ,  白家豪 ,  李少波

IPC分类号： H05F3/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02

摘要： 本申请公开了一种显示面板和显示装置。所述显示面板的边框区域内设置有静电释放电路，同一边框区域内的多个静电释放电路沿边框延伸方向间隔排列，且多个静电释放电路中的至少部分静电释放电路在边框延伸方向的垂直方向上交错排列。采用该显示面板可以对边框区域的静电释放电路重新排列，从而有效减小同一边框区域中多个静电释放电路的占用空间，使得显示面板实现窄边框。

公开(公告)号：CN113748521B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202080000424.1

申请日：2020-03-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 罗超 ,  关峰 ,  王治 ,  杜建华 ,  吕杨 ,  强朝辉 ,  李超

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、离子化非晶硅层、源极和漏极；所述栅绝缘层覆盖于所述栅极上；所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述栅极一侧；所述离子化非晶硅层设置于所述有源层远离所述栅极一侧，所述离子化非晶硅层与所述栅绝缘层接触；所述源极和所述漏极设置于所述离子化非晶硅层远离所述栅绝缘层一侧，所述源极和所述漏极通过所述离子化非晶硅层与所述有源层耦接。

公开(公告)号：CN118550132A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410685265.3

申请日：2024-05-29

申请人： 北京京东方显示技术有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李少波 ,  王敏 ,  华刚 ,  邓立广 ,  白家豪 ,  于心蕊 ,  潘靓靓 ,  李超 ,  胡逸夫 ,  陈俊生

IPC分类号： G02F1/1675 ,  G02F1/1685 ,  G02F1/16755 ,  G02F1/1676 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/22

摘要： 提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括第一基板、第二基板、电子纸膜和用于收发信号的天线结构；第二基板与第一基板相对设置，电子纸膜位于第一基板和第二基板之间；其中，显示面板包括显示区域和围绕显示区域的边框区域，显示面板包括位于显示区域中的多个像素；以及天线结构位于第一基板、第二基板和电子纸膜中的至少一者。

公开(公告)号：CN113725390B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202111005700.6

申请日：2021-08-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 赵梦 ,  关峰 ,  吕杨 ,  杜建华 ,  李超 ,  吴昊 ,  王超璐 ,  袁广才

IPC分类号： H10K71/16 ,  H10K59/12 ,  H10K59/122 ,  H10K50/844

摘要： 本发明实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示基板的分辨率和良率。制备方法包括：提供背板；利用光刻工艺，得到像素界定层；形成层叠的牺牲层和光刻胶层，其中，光刻胶层具有多个第二开口，第一开口在背板上的正投影位于第二开口在背板上的正投影范围内；在光刻胶层远离背板的一侧依次形成发光薄膜、第一功能薄膜以及封装薄膜；对牺牲层进行剥离，去除牺牲层、光刻胶层以及发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于光刻胶层远离背板一侧表面的部分，保留发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于第二开口内的部分。本发明实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置用于图像显示。

公开(公告)号：CN115390697A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211027482.0

申请日：2022-08-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  绵阳京东方光电科技有限公司

发明人： 曹世杰 ,  孙超超 ,  丁启纮 ,  骆玉轩 ,  文静 ,  陈苗苗 ,  吴东升 ,  刘贵堂 ,  郑柏成 ,  王尚 ,  封宝柱 ,  李凌霄 ,  李超 ,  於造林

IPC分类号： G06F3/041

摘要： 本公开提供了一种触控显示面板的制备方法、触控显示面板及电子设备，该方法包括：在基板一侧表面制备显示像素层；在显示像素层远离基板一侧表面蒸镀第一触控电极层；在第一触控电极层远离显示像素层一侧表面制备介质层；在介质层远离第一触控电极层一侧表面制备第二触控电极层。本公开通过蒸镀的方式制备第一触控电极层，使其制备流程更加简单方便，省去了利用刻蚀工艺进行桥接层制备的步骤，进而降低了刻蚀相关的制备成本。

公开(公告)号：CN114871137A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210466096.5

申请日：2022-04-26

申请人： 成都中电熊猫显示科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李超 ,  张力山 ,  宋罡

IPC分类号： B07C5/34 ,  B07C5/18

摘要： 本公开提供了一种显示面板的放箱辅助系统、方法、装置和存储介质，属于显示面板的生产制造技术领域。该放箱辅助系统包括：控制装置和多个第一提示器，多个所述第一提示器分别与所述控制装置连接；所述控制装置用于获取目标显示面板的分类信息，以及控制与所述目标显示面板的分类信息对应的所述第一提示器发出提示信号，所述第一提示器位于面板存放装置处，各所述分类信息具有对应的所述第一提示器。本公开能改善人工放箱容易出现放错而导致混料的问题，便于高效快速地完成显示面板的放箱作业。

公开(公告)号：CN109817731B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201910108010.X

申请日：2019-02-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杜建华 ,  李超 ,  强朝辉 ,  高宇鹏 ,  关峰 ,  黄睿 ,  王治 ,  吕杨 ,  罗超

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开一种光电二极管及其制作方法、电子设备，涉及光电转换技术领域，为解决现有的光电二极管的光电转换效率较低的问题。所述光电二极管包括：层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构。本发明提供的光电二极管用于将光信号转换为电信号。

公开(公告)号：CN111628035A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010522969.0

申请日：2020-06-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杜建华 ,  李超 ,  罗超 ,  强朝辉 ,  关峰 ,  王治

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/20

摘要： 一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括由宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料形成的半导体异质结，且宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料的结界面设置有阻挡层，该阻挡层用于阻挡宽禁带氧化物半导体材料中的元素向非晶硅材料扩散。本申请通过采用由宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料形成的半导体异质结结构，在300纳米至650纳米的波长范围内，都有较高的光吸收和电流转化效率，量子效率高；同时，通过在结界面中加入阻挡层结构，使得光电探测器在较大偏压与较高温度下的暗电流能保持稳定，探测准确性、稳定性远高于非晶硅同质结PIN；并且制备工艺与现有TFT背板兼容，具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。