公开(公告)号：CN114689955A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011566708.5

申请日：2020-12-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  刘红侠 ,  郭丹 ,  谢海武 ,  赵东艳 ,  周芝梅 ,  付振 ,  杜剑 ,  刘芳

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

摘要： 本发明公开了一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法，该电路通过在MCU的外围电路中加入ESD干扰信号源，并接入待测试的MCU；然后利用直流电压信号驱动待测试MCU产生无ESD干扰信号的输出波形；获取ESD干扰信号源的参数，并得到ESD干扰信号；将直流电压信号和ESD干扰信号进行共同作用于待测试的MCU，得到有ESD干扰信号的输出波形；将无ESD干扰信号的输出波形和有ESD干扰信号的输出波形进行对比分析，以完成待测试MCU的静电放电防护性能测试评估。本发明提供的测试MCU静电放电防护性能的电路，克服了现有技术中在MCU启动后外围电路无法测试MCU在启动后的ESD干扰的问题，可用于对具有稳定静电放电防护性能的MCU的测试筛选，从而提高集成电路的稳定性。

公开(公告)号：CN116805864A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310612009.7

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  王帅鹏 ,  李振荣 ,  付振 ,  黄海潮 ,  李文彬

IPC分类号： H03H11/04 ,  H03H11/34

摘要： 本发明实施例提供一种低通滤波器及设备，属于滤波器技术领域。所述低通滤波器，包括：第一滤波网络，其输入端接入待处理信号，用于提供针对该待处理信号的低通截止频率和可调增益以进行信号滤波，并输出第一滤波信号；以及第二滤波网络，其输入端接入所述第一滤波信号，用于滤除该第一滤波信号中的杂波，并输出第二滤波信号。本发明实施例通过第一滤波网络进行了低通截止频率和可调增益的设计，有助于适应场景来降低滤波器功耗，通过第二滤波网络进行杂波滤除，有助于进一步降低滤波器功耗，且改善了信号的线性度。

公开(公告)号：CN116190438A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211100004.8

申请日：2022-09-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  段宝兴 ,  刘芳 ,  张鹏 ,  胡毅 ,  吴峰霞 ,  马俊超 ,  李明哲 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

摘要： 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。

公开(公告)号：CN114864666B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN115373907A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211316659.9

申请日：2022-10-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  邓永峰 ,  王立城 ,  付振 ,  陈燕宁 ,  刘芳

IPC分类号： G06F11/14 ,  G06F11/30 ,  G06F16/178

摘要： 本发明涉及芯片领域，公开一种工控机与数据备份系统。所述工控机包括：查询模块，用于查询所述工控机的存储空间使用率；以及同步模块，用于：在所述工控机的存储空间使用率大于第一阈值且小于或者等于第二阈值的情况下，将所述工控机上的生产数据强制同步至主服务器或网络附属存储器中的一者；或者在所述工控机的存储空间使用率大于所述第二阈值的情况下，将所述工控机上的生产数据强制同步至所述主服务器或所述网络附属存储器中的一者与备用服务器。本发明可通过在工控机上配置查询模块和同步模块来自动查询工控机的存储空间使用率，并在存储空间使用率大于不同阈值时针对生产数据执行不同的强制同步操作，以实现生产数据的自动化上传的目的。

公开(公告)号：CN115064446A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN114896929A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210405357.2

申请日：2022-04-18

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G06F30/36

摘要： 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。

公开(公告)号：CN114818393A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210740098.9

申请日：2022-06-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  鹿祥宾 ,  张东嵘 ,  付振 ,  刘芳 ,  闫振华 ,  张庆平 ,  夏绪卫

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN114583049A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210479541.1

申请日：2022-05-05

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。

公开(公告)号：CN114583049B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210479541.1

申请日：2022-05-05

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。