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公开(公告)号：CN111384033A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911347790.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/56
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底，该基底具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一封膜，配置在该基底的该第一表面上并覆盖该晶粒；以及一金属层，围绕该封膜与该基底设置；其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。
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公开(公告)号：CN101465341A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710160184.8
申请日：2007-12-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种堆叠式芯片封装结构，其配置多个相互堆叠的芯片以及多个相互堆叠的软板于一基板上。芯片分别借由一间隙层而相互堆叠。此外，这些相互堆叠的软板之间以及基板上配置有多个导电块，以使这些软板与基板电性连接。另外，多条导线电性连接于这些软板与这些芯片之间，以形成一具有多层芯片的封装结构于基板上，进而提供芯片的电性效能及可靠度。
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公开(公告)号：CN119889381A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410614864.6
申请日：2024-01-24
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
Abstract: 本公开提供一种存储器元件，包括一存储器单元阵列、一控制单元以及一接口电路。该接口电路包括一接收器电路，该接收器电路经配置以放大从一存储器控制器接收的一第一数据选通信号和一第二数据选通信号以产生一第三数据选通信号和一第四数据选通信号。响应于满足一预定条件的该第一数据选通信号的一第一逻辑状态和该第二数据选通信号的一第二逻辑状态，该接收器电路调整该第三数据选通信号的一第三逻辑状态及该第四数据选通信号的一第四逻辑状态。该控制电路根据该写入指令、该第三数据选通信号以及该第四数据选通信号来对该存储器单元阵列执行一写入操作。当该第一数据选通信号的该第一逻辑状态处于一高逻辑状态且该第二数据选通信号的该第二逻辑状态处于一低逻辑状态时，该第三数据选通信号的第三逻辑状态和第四数据选通信号的第四逻辑状态分别跟随该第一数据选通信号的该第一逻辑状态和该第二数据选通信号的该第二逻辑状态。
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公开(公告)号：CN119811438A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410270775.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
Abstract: 一种存储器系统包含控制器及存储器电路。控制器输出第一数据选通信号及第二数据选通信号。存储器电路耦接控制器，并接收第一及第二数据选通信号。存储器电路包含接收器。接收器包含逻辑转换电路。逻辑转换电路耦接于控制器。当第一及第二数据选通信号处于相同电压准位时，逻辑转换电路将第一及第二数据选通信号转换为第三及第四数据选通信号。第三及第四数据选通信号包含不同电压准位。当第一及第二数据选通信号处于不同电压准位时，逻辑转换电路传递第一数据选通信号作为第三数据选通信号，且传递第二数据选通信号作为第四数据选通信号。本案将相同电压准位的数据选通信号转换为由JEDEC规定的不同电压准位的数据选通信号，使得存储器晶片运作正常。
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公开(公告)号：CN119626291A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410601877.X
申请日：2023-12-12
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: G11C11/408 , G11C11/4078 , G06F7/58
Abstract: 本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一存储器单元阵列，包括多条字元线；一控制器，经配置以响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新多条字元线的其中至少一条；一随机数产生器，经配置以产生一第一数；一计数器，电性耦接到该随机数产生器并经配置以接收该第一数作为该计数器的一初始值，其中该计数器经配置以响应于该更新信号而开启；以及一地址寄存器，电性耦接到该计数器并经配置以存储当该计数器递减至零时有效的一第一字元线的一地址。该控制器经配置以在一第二更新周期期间存取该地址寄存器以获得该第一字元线的该地址并保护一第二字元线，其中该第二字元线的一地址与该第一字元线的该地址相邻。该控制器经配置在该第二更新周期期间更新一第三字元线，其中该第三字元线的一地址与该第一字元线的一地址分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028945A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202311224436.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及半导体结构。该半导体元件包括一半导体裸片以及一重分布层。该重分布层形成于半导体裸片上，并包括多个中心焊垫、多个边缘焊垫以及将该多个中心焊垫与该多个边缘焊垫电连接的多个导电线。该多个导电线中的每一个包括至少两个转折点，并且在每个转折点的一内角大于一预定的角度。
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公开(公告)号：CN118866877A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410286655.3
申请日：2023-08-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/544 , H01L27/02 , H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 本申请提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割道区以及多个电路探测垫。该多个晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区设置于该多个晶粒区之间。该多个电路探测垫设置于该多个晶粒区的一第一顶面以及该切割道区的一第二顶面上。
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公开(公告)号：CN118866876A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311062600.6
申请日：2023-08-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/544 , H01L27/02 , H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 本申请提供一种切割道结构。该切割道结构包括一晶粒区、一切割道区以及一个或多个电路探测垫。该晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区围绕该晶粒区。该个或该多个电路探测垫设置于该晶粒区的一第一顶面以及该切割道区的一第二顶面上。
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公开(公告)号：CN113675173B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010867680.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H01L23/538 , H10B80/00 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，包括第一半导体晶圆、第一基板、第二半导体晶圆以及第二基板。第一基板设置于第一半导体晶圆上。第一基板包括多个第一金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第一金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。第二半导体晶圆设置于第一基板上。第二基板设置于第二半导体晶圆上。第二基板包括多个第二金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第二金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。基于上述配置，可避免引起半导体封装件中的瞬间电压降的大电阻，且当即使需要瞬间大电流时，来自外部电子装置的电源供给仍可被稳定地提供至半导体封装件中。
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公开(公告)号：CN118215287A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410201758.5
申请日：2023-07-03
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor： 杨吴德
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包含：提供一基底，该基底具有一导电图案；形成一接合垫在该导电图案正上方；以及经由该接合垫将一芯片接合到该基底。
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