公开(公告)号：CN118046395A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410450002.4

申请日：2024-04-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  黄伟源 ,  苏文湫 ,  许拱照 ,  阙华炀 ,  方奕凯 ,  洪盛

IPC: B25J9/16 ,  H01M10/04 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供了一种该视觉辅助扣式电池的组装方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有扣式电池组装过程中可能出现误操作导致设备损坏的问题、提升成品电池的质量。其核心流程包括监听组装请求，机械臂吸取负极壳并移动至图像采集处，获取并识别负极壳图像的中心点作为基准坐标，生成基准偏移量，控制机械臂放置负极壳并移动至物料放置位置。随后，根据组装顺序列表，吸取对应零件并采集图像，通过预训练的图像分类模型识别零件，若正常则进行图像处理并获取零件中心点像素坐标。最后，根据基准坐标和中心点像素坐标的差值，生成当前偏移量，控制机械臂将零件移动至正确位置。有效避免了误操作，提高了组装效率，保护了设备安全。

公开(公告)号：CN117935055A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410110222.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 师佳 ,  黄晶琳 ,  夏钟升 ,  洪文晶

IPC: G06V20/10 ,  G06V10/762 ,  G06V10/44 ,  G06V10/82 ,  G06V10/774 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084 ,  G06T7/62 ,  G06T7/60

Abstract: 本发明公开了一种基于RGB‑D图像识别的叶类蔬菜生长状态检测方法，包括：使用RGB‑D相机获取叶类蔬菜的实时RGB图像和实时深度图像，对实时RGB图像进行裁剪，得到标准RGB图像，根据所述标准RGB图像对实时深度图像进行裁剪计算，得到三通道图像；将所述标准RGB图像和三通道图像输入预先训练好的叶类蔬菜特征提取模型进行特征提取，得到RGB图像特征和深度图像特征；将所述RGB图像特征和深度图像特征输入预先训练好的叶类蔬菜生长状态预测模型进行计算，得到叶类蔬菜的生长状态数据。实现叶类蔬菜生长状态检测。

公开(公告)号：CN117849517A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410267670.3

申请日：2024-03-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  刘豪杰 ,  陈李珏 ,  张浩

IPC: G01R31/00 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种基于隧穿效应单分子器件的高时间分辨率电输运表征方法以及控制装置。通过控制激光器产生激光，并利用分束镜将激光分为第一子光束以及第二子光束。利用光参量放大器对第一子光束的波长进行转换，并利用反射镜将第一子光束照射到单分子器件上。利用多个光脉冲延迟装置、非线性光学晶体以及斩波器调整第二子光束相对于第一子光束到达单分子器件的时刻。最后利用第一子光束与第二子光束重叠形成的泵浦探测脉冲对作用于单分子器件，并通过信号控制采集装置获取单分子器件的电输运性质。能够依托单分子电学测量技术在实现多次、重复的受激单分子器件的高效构筑和高通量表征，极大地拓展了材料研究体系的普适性。

公开(公告)号：CN114220619B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202111477492.X

申请日：2021-12-06

Applicant: 厦门大学 ,  厦门柔性电子研究院有限公司

Inventor： 洪文晶 ,  池标 ,  方志群 ,  黄宝贵 ,  朱时华 ,  张艺红 ,  陈海燕 ,  吴相福 ,  陈嘉彦

IPC: H01C7/108 ,  H01C7/112 ,  H01C7/115 ,  H01C17/00 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明提供了一种柔性压阻复合材料及其制备方法，包括以下步骤：S1，将氧化石墨烯、纳米氧化锌和正己烷超声共混，得溶液A；S2，将铜纳米颗粒和正己烷超声共混10‑20min，再搅拌20‑40min,得溶液B；S3，将有机硅橡胶和正己烷超声共混15‑25min，再搅拌，得溶液C；S4，将溶液A和溶液B以5‑15mL/min的滴定速度加入到到溶液C中，搅拌1.5‑2.5h，在真空条件下保存0.5‑1.5h，即得到所述柔性压阻复合材料。该柔性压阻复合材料具有高灵敏度，稳定信号变化，回滞性能，循环稳定性，具有较强的耐高温能力，在产业化和实际应用中有比较突出的优势。

公开(公告)号：CN114481285B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202210021644.3

申请日：2022-01-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  左丹阳 ,  吴相福 ,  杨扬 ,  师佳 ,  黄宝贵 ,  陈海燕 ,  张礡

IPC: C25F3/08 ,  C25F7/00

Abstract: 本发明涉及探针制备技术领域，本发明具体涉及一种基于电化学刻蚀的钨针尖可控制备平台，包括电化学池、位移调节装置、测量装置、控制系统和三电极电路板，所述电化学池内盛设有电解液，所述三电极电路板包括工作电极、对电极和参比电极，所述工作电极与所述待制备钨丝连接，所述对电极和所述参比电极与所述电解液连接，所述待制备钨丝端部与所述电解液接触时，所述三电极电路板和所述不锈钢件、所述电解液、所述待制备钨丝之间形成刻蚀电路；所述测量装置用于对所述待制备钨丝的不同部位的直径进行测量；所述控制系统连接到所述三电极电路板控制所述三电极电路板工作。

公开(公告)号：CN116603473A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310602004.6

申请日：2023-05-25

Applicant: 厦门大学 ,  厦门胜泽泰医药科技有限公司

Inventor： 洪文晶 ,  张泽鹏 ,  何润泽 ,  陈宏杰 ,  魏立霄

IPC: B01J19/00 ,  C07K1/04 ,  B01J4/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种多肽合成装置及其控制方法、一种可读存储介质。该多肽合成装置包括第一反应容器、第二反应容器、多个电泵、多个试剂存储容器以及控制器。控制器通过控制多个电泵中的一部分电泵，将一部分试剂存储容器中的缩合试剂以及氨基酸注入第一反应容器中，以对氨基酸进行活化处理。控制器还能够控制多个电泵中的另一部分电泵，将另一部分试剂存储容器中的活性固相树脂注入第二反应容器中。最后，控制器控制第一电泵将活化处理后的氨基酸注入第二反应容器中，使得活化处理后的氨基酸与活性固相树脂反应从而得到目标多肽。

公开(公告)号：CN116418298A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310207914.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  袁梓锋 ,  方朝

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/45 ,  H03G3/30

Abstract: 本发明涉及一种单分子热导信号差分放大可调增益检测系统，所述差分放大可调增益检测系统包括第一放大模块、第二放大模块、差分放大模块；所述第一放大模块用于接收所述芯片热激发热导电流信号，所述第一放大模块包括依信号走向相连接的真对数放大电路、第一低通滤波电路、第一仪器放大电路，所述第二放大模块用于接收所述激励信号，所述第二放大模块包括依信号走向相连接的第二低通滤波电路、第二仪器放大电路；所述差分放大模块连接所述第一放大模块、第二放大模块，所述差分放大模块用于接收所述第一放大模块的输出信号、所述第二放大模块的输出信号，进行差分放大，从而从所述单分子芯片器件的输出信号中提取得到含有单分子热导交流信号的信号。

公开(公告)号：CN116124838A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310107993.1

申请日：2023-03-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  林荣健 ,  刘俊扬 ,  卢至行 ,  郑珏婷

IPC: G01N27/00 ,  G01N21/65 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明涉及一种WTe2电极单分子测试芯片及其制备方法，包括以下步骤：对所述电极图案进行磁控溅射镀金属钨，使金属钨覆盖所述电极图案形成金属钨薄膜，洗去光刻胶，得到与所述电极图案相对应的金属钨电极；将所述金属钨电极进行高温热氧化生成电极图案化的氧化钨，加入碲粉，在载气和还原气体的作用下对所述电极图案化的氧化钨进行高温碲化生成电极图案化的1T'‑WTe2；中间位置进行切削形成对尖结构，得到1T'‑WTe2电极；使所述对尖结构悬空，得到电极图案化的1T'‑WTe2电极单分子芯片。

公开(公告)号：CN114440406B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210191354.3

申请日：2022-02-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 师佳 ,  胡雄哲 ,  杨扬 ,  洪文晶

IPC: F24F11/46 ,  F24F11/64 ,  F24F11/84 ,  F24F11/86 ,  F24F11/88 ,  F24F110/10 ,  F24F110/20

Abstract: 本发明涉及一种基于动态矩阵模型预测控制的空调系统控制方法，包括以下步骤：S1，采集空调系统在不同工作状态下的动态数据、稳态数据以及能效数据；S2，构建所述空调系统的温度预测模型；S3，构建所述空调系统的膨胀阀的开度的能效优化函数；S4，采集当前时刻室内温度、当前时刻室外温度及当前时刻目标温度；S5，通过所述能效优化函数生成所述空调系统的膨胀阀的优化能效开度控制方案，计算所述膨胀阀优化开度，通过所述膨胀阀优化开度控制所述空调系统；S6，基于动态矩阵模型预测控制算法生成变频压缩机频率闭环控制方案，通过所述变频压缩机频率闭环控制方案计算所述空调系统的压缩机的最优频率；S7，重复步骤S4‑S7。

公开(公告)号：CN115394710A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211217937.5

申请日：2022-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  赵骄阳 ,  刘文清 ,  赵艺 ,  洪文晶

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅通孔的电子电镀芯片及制备方法，方法包含以下步骤：S1，在硅基底的表面涂覆光刻胶，通过光刻曝光后显影暴露孔位；S2，在硅基底暴露孔位的部分覆盖钝化层；S3，刻蚀所述钝化层的底面，暴露所述孔位的底面对应的硅基底；S4，对暴露所述孔位的底面对应的硅基底进行刻蚀；S5，循环多次步骤S2－S4，得到目标深度的硅通孔，清洗和灰化处理硅通孔残留的光刻胶和钝化物；S6，通过ALD沉积法在所述硅通孔的内壁沉积绝缘层、阻挡层、种子层，得到高深宽比的硅通孔。通过三脉冲工艺，循环进行钝化－刻蚀－刻蚀，解决修改工艺时刻蚀与钝化的平衡问题，并保证工艺的稳定性。最终选用ALD进行侧壁沉积工艺才能保证孔内侧壁具有足够的覆盖能力。