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公开(公告)号：CN113884539A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111142749.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10‑8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110958513B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201910917260.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04R1/08
Abstract: MEMS麦克风包括具有开口的衬底、第一膜片、第一背板、第二膜片和第二背板。第一膜片面向衬底中的开口。第一背板包括多个容纳开口并且与第一膜片间隔开。第二膜片通过柱在多个位置处与第一膜片连接在一起，柱穿过第一背板中的容纳开口。第一背板位于第一膜片和第二膜片之间。第二背板包括至少一个通气孔，并且与第二膜片间隔开。第二膜片位于第一背板和第二背板之间。本发明的实施例还涉及麦克风及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113571458A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202011394615.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 公开一种真空吸盘及一种用于在半导体制造工艺期间稳固翘起的半导体衬底以在半导体制造工艺期间提高翘起的半导体衬底的平坦度的方法。举例来说，一种半导体制造系统包括真空吸盘，真空吸盘被配置成固持衬底，其中真空吸盘包括：多个真空凹槽以及多个柔性密封环，所述多个真空凹槽位于真空吸盘的顶表面上，其中顶表面被配置成面向衬底；所述多个柔性密封环设置在真空吸盘上且从顶表面向外延伸，其中所述多个柔性密封环被配置成直接接触衬底的底表面且与所述多个真空凹槽相邻，以在衬底与真空吸盘之间形成真空密封，且其中所述多个柔性密封环中的每一者具有锯齿形横截面。
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公开(公告)号：CN113247855A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010332779.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。
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公开(公告)号：CN112399291A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201911087537.5
申请日：2019-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种麦克风，所述麦克风包括设置在微机电系统(MEMS)衬底与载体衬底之间的颗粒过滤器。微机电系统装置结构上覆在微机电系统衬底上。微机电系统装置结构包括膜片，膜片具有界定膜片开口的相对的侧壁。载体衬底位于微机电系统衬底之下。载体衬底具有界定载体衬底开口的相对的侧壁，载体衬底开口位于膜片开口之下。过滤器堆叠夹置在载体衬底与微机电系统衬底之间。过滤器堆叠包括上部介电层、下部介电层及设置在上部介电层与下部介电层之间的颗粒过滤器层。颗粒过滤器层包括在载体衬底的相对的侧壁之间在横向上间隔开的颗粒过滤器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111115550A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910917210.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件包括互补金属氧化物半导体结构、顶盖结构及微机电系统结构。互补金属氧化物半导体结构制作于第一衬底上且包括至少一个传导层。顶盖结构包括穿过顶盖结构的通孔且具有沉积在顶盖结构的第一侧上的隔离层且具有沉积在顶盖结构的第二侧上的导电布线层。微机电系统结构沉积在第一衬底与顶盖结构之间。集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件还包括导电连接件，导电连接件穿过通孔中的一者且穿过顶盖结构上的隔离层中的开口。导电连接件将顶盖结构上的导电布线层中的导电路径与互补金属氧化物半导体结构的至少一个传导层进行导电连接。
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公开(公告)号：CN105609433B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510755359.4
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , B81C3/00 , H01L21/8238
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0132 , B81C2203/035 , B81C2203/037 , B81C2203/0792 , H01L2224/16
Abstract: 本发明涉及形成MEMS器件的方法以缓解上述困难。在一些实施例中，本发明涉及形成MEMS器件的方法，该方法在载体衬底的第一侧内形成一个或多个腔体。然后将载体衬底的第一侧接合至设置于微机电系统(MEMS)衬底上的介电层，并且随后图案化MEMS衬底以限定位于一个或多个腔体上方的软机械结构。然后，使用干蚀刻工艺选择性地去除介电层以释放一个或多个软机械结构。使用低温接合工艺，通过设置在CMOS衬底和MEMS衬底之间的接合结构将CMOS衬底接合至MEMS衬底的第二侧。本发明还提供一种集成芯片。
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公开(公告)号：CN108117037A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710973746.4
申请日：2017-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于使用牺牲层上平坦表面来将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的方法。在一些实施例中，形成覆盖半导体衬底的后段工艺BEOL互连结构，其中所述BEOL互连结构包含第一介电区域。使牺牲层形成于所述第一介电区域上方且形成覆盖所述牺牲层及所述第一介电区域的第二介电区域。使平坦化执行到所述第二介电区域的上表面中以平坦化所述上表面。使MEMS结构形成于所述第二介电区域的所述平坦上表面上。使空腔蚀刻穿过所述MEMS结构执行到所述牺牲层中以移除所述牺牲层且形成替代所述牺牲层的空腔。本发明实施例还提供一种由所述方法产生的集成电路IC。本发明实施例提供的方法可以实现短封装时间及低封装复杂性。
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公开(公告)号：CN107121460A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710069088.6
申请日：2017-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N27/223 , G01N27/226 , G01N27/221 , B81B7/0009 , B81B2201/0292 , G01N27/225 , G01N2027/222
Abstract: 一种微机电系统(micro‑electro mechanical system,MEMS)湿度感测器，包含第一基板、第二基板及感测结构。第二基板与第一基板大致平行。感测结构介于第一基板与第二基板之间，并接合第一基板的一部分及第二基板的一部分，其中第二基板包含导电层面对感测结构，且介于第一基板与感测结构之间的第一空间与外部连通或隔离，且介于导电层与感测结构之间的第二空间与气氛连通，且感测结构、第二空间及导电层构成设置用以量测气氛的介电常数的电容器，而气氛的湿度从气氛的介电常数、气氛的压力及温度导出。
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公开(公告)号：CN106324038A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510775915.4
申请日：2015-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , G01N27/128 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L28/60
Abstract: 本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10-8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。
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