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公开(公告)号：CN107063453A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710223487.3
申请日：2017-04-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01J1/44
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/446
摘要： 一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路，属于半导体技术领域。当发生雪崩击穿时，大的雪崩电流将会在可变负载晶体管两端产生大压降，当高于定值时，逻辑控制电路侦测到SPAD阳极点A点电压，控制可变负载管关断，给保持电路一个电流脉冲信号；当单光子雪崩光电二极管检测到光子产生雪崩电流时，雪崩电流在可变负载管上产生压降，并将该电压作为逻辑控制电路的输入端电压，输出模块用于检测逻辑控制电路输出结果，并进行整形输出，保持电路用于接收逻辑控制电路输出结果，并产生一定延迟使得电流完全淬灭，复位开关在接收到保持电路发送的复位信号后快速复位。本发明减小了节点寄生电容，淬灭时间短，结构简单，有利于大规模阵列集成。
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公开(公告)号：CN105742397B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610145011.8
申请日：2016-03-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/105
摘要： 本发明涉及的光电二极管，可以扩展光的吸收波段，完成从可见光到红外光波段(400nm～1350nm)的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。其结构包括：含一个开口的重掺杂N型Si衬底，N型Si衬底上依次层叠有轻掺杂N型Si外延层、重掺杂P型Si、以及由本征Ge缓冲层和在其之上的重掺杂P型Ge构成的台面结构，台面上依次层叠有二氧化硅介质层和钝化层。在N型Si衬底背面设置有金属接触阴极VR，在重掺杂P型Si上设置有第一金属接触阳极VAF，在重掺杂P型Ge上设置有第二金属接触阳极VAS，轻掺杂N型Si外延层背面设置有抗反射层。
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公开(公告)号：CN103579109B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310534726.9
申请日：2013-11-01
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，在氧化层上制造电子器件，所述光电器件为采用纵向结构，电子器件采用SOI工艺。本发明的有益效果为使得光电二极管和集成电路模块集成于同一块芯片上，有效地减少了封装难度和成本，降低了寄生效应，提高了可靠性。本发明尤其适用于光电集成电路的制造。
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公开(公告)号：CN105353285A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510867646.4
申请日：2015-12-02
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 一种水轮发电机定子槽放电检测器，涉及电气工程应用领域。其主旨在于解决目前水轮发电机定子槽部火花放电和电弧放电位置的在线检测问题，提高发电机定子槽部放电的定位准确度，确保大型水轮发电机的安全运行。其方案采用顺序连接的光纤探头、多芯光纤、光电转换单元和定位显示单元，其特点在于光纤探头埋设在定子槽体内对电弧放电时产生的光信号进行检测，并通过光纤传输将光信号引入光电转换单元，光电转换单元将光信号转换成电信号控制定位显示单元发光显示定子槽部放电位置。
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公开(公告)号：CN102970019B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210529537.8
申请日：2012-12-11
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/72 , H03K17/687
摘要： 一种单片集成功率半导体器件的固体继电器，属于电力电子技术领域。包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件；光电池阵列由若干个光电池串联而成，每个光电池单独处于衬底的一个V型槽内；控制电路由双极型晶体管和二极管组成，每个晶体管或二极管单独处于衬底的一个V型槽内；输出端功率半导体器件作为整个固体继电器的输出元件，单独处于衬底的一个V型槽内。本发明在同一衬底的V型槽底部引入N+埋层，使得VDMOS、LDMOS或LIGBT等功率半导体器件能够与光电池阵列和控制电路集成于同一衬底，从而有效地减小了固体继电器的封装难度，减少了器件的寄生效应，并提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103884931A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410078974.1
申请日：2014-03-06
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种变电站母线负荷特征测试记录装置，采用信号调理模块采集母线二次线缆的三相电压和三相电流信号，并对信号进行调理，将每路信号调整至装置模数转换模块可采集的电压范围内，将信号经抗混叠滤波模块滤波后输入模数转换模块，模数转换模块在控制模块的控制下对信号进行采样得到三相电压和三相电流的采集数据，并通过控制模块转发给上位机，上位机根据采集数据对选择的负荷模型进行负荷参数辨识，将负荷参数辨识结果存储根据指令上传。本发明实现了负荷参数辨识的分布式计算，无需人工现场收集数据，虽然会上传负荷参数辨识结果，但是其数据量比实时量测数据量少，电力专网数据传输压力较小。
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公开(公告)号：CN103036661A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310006747.3
申请日：2013-01-08
申请人： 西安电子科技大学 , 北京大学 , 北京三梯通网络技术有限公司 , 北京翰诺科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有自愈功能的自动请求重传方法，主要解决现有方法的资源浪费大，不必要重传多，系统复杂度高和稳定性低的问题，其过程包括：发送端发送数据帧并为其以1比特进行编号；接收端接收信息，对其进行校验并比较其序号，根据比较结果进行反馈；发送端根据反馈信息调整下次将发送的数据内容及序号。本发明降低了设备资源的浪费，避免了不必要的重传，且在本发明中，若连续出错多次，发送端不再发送旧数据，而是发送新数据并将序号加1，即可自行恢复，不会造成系统的卡死，增加了系统的稳定性，降低了实现的复杂度。
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公开(公告)号：CN117913773A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310788341.9
申请日：2023-06-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H02J3/00 , G06Q10/04 , G06Q50/06 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/09
摘要： 本发明公开了一种基于时域卷积神经网络的短期风电功率预测方法，先采集风电场历史风电功率数据以及对应时间范围内的风向和风速等数据，然后进行预处理构建出满足时域卷积神经网络输入需求的样本数据集；然后构建基于时域卷积神经网络作为短期风电功率预测模型，通过样本数据集训练时域卷积神经网络，使其能够精准预测风电功率；最后再通过训练完成的短期风电功率预测模型对实时预测风电场的功率数据。
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公开(公告)号：CN111325413B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010205690.X
申请日：2020-03-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于神经网络和比例系数法的短期负荷区间预测方法，包括以下步骤：S1、获取待预测地区的电力负荷数据以及温度、天气数据信息；S2、将获得的数据分成三组，分别用于训练、验证和预测；S3、用训练集数据训练神经网络；S4、利用神经网络模型对验证集进行预测；S5、建立最优化方程，并利用PSO算法去获取最优的比例系数a和b；S6、用神经网络对预测集进行预测，将得到的预测结果结合最优比例系数a和b构建负荷预测区间。本发明依赖神经网络点预测的结果，结合比例系数法和粒子群优化算法获取的最优的比例系数进行预测区间的构建，没有对数据分布做任何假设，不需要计算复杂的矩阵，比传统的区间预测方法更快速、更可靠。
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公开(公告)号：CN107195670A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710509569.4
申请日：2017-06-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/0603 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7783
摘要： 本发明提供一种GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法，从下至上依次包括：Si衬底、GaN层、AlGaN层、钝化层、处于栅下AlGaN层中由金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物，合金化合物上侧覆盖有氧化钽栅介质层，金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物是通过在氮气环境下高温退火使氧化钽栅介质层下的AlGaN层上表面部分与钽金属反应生成的，产生类似栅槽刻蚀的作用从而实现增强型HEMT，合金化合物生成后剩余的钽金属在氧气环境高温氧化生成氧化钽栅介质层，形成氧化钽栅介质的MOS‑HEMT；本发明避免了高精度干法刻蚀GaN基材料的复杂工艺，避免了等离子刻蚀栅凹槽过程对晶格造成损伤，具有简化工艺、可操作性高、提高器件性能等特点。
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