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公开(公告)号：CN100431229C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200610121688.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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公开(公告)号：CN101179178A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710197022.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101013794A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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公开(公告)号：CN107667435B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201680028567.7
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20 , C23C16/24
Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
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公开(公告)号：CN105981180B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580007656.9
申请日：2015-01-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035281 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710420A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035963.2
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。
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公开(公告)号：CN105981180A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007656.9
申请日：2015-01-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035281 , H01L31/0508 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。
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公开(公告)号：CN105679846A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510856132.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50 , H01L31/022425
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。
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公开(公告)号：CN105190906A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015122.6
申请日：2014-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种通过被均匀地钝化来提高转换效率的光电转换元件。光电转换元件是将光转换成电的光电转换元件，具备在至少一个面形成有包括多个倾斜面(101a)的凹凸构造的硅基板(101)。在与夹着所述凹凸构造的凹部(TXb)地相邻的2个倾斜面(101a)相交的线垂直的剖面中，在将所述2个倾斜面(101a)中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pa)、和所述2个倾斜面(101a)中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pb)之间的距离设为底部宽度(Lb)时，所述底部宽度(Lb)为20nm以上。
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公开(公告)号：CN101847824B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201010173999.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括：激光器芯片，具有谐振腔端部表面；和光吸收膜，形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上，以吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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