公开(公告)号：CN111704465A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010515748.0

申请日：2020-06-09

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  郑永翔 ,  邓承继 ,  丁军 ,  祝洪喜 ,  吴欣欣

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622

摘要： 一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将Al4SiC4粉末和粘结剂混合，在5～50MP条件下预压成型，于100～300MPa条件下等静压成型，在110℃烘干，得到预制坯体。将预制坯体装入石墨坩埚内，然后将所述石墨坩埚置于热压炉内，在≤0.1mbar条件下以5～10℃/min的速率从室温加热至1100～1200℃，在保温条件下充N2至2～10MPa，保压条件下以1～5℃/min的速率再加热至1900～2200℃，保压保温2～5h，自然冷却至室温，即得原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷。本发明工艺简单和操作方便，制备的原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的密度低、质量轻、结构均匀致密、耐高温、抗氧化性能、抗水化性和强度高。

公开(公告)号：CN110371978A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910585616.2

申请日：2019-07-01

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  万航 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B32/914 ,  C01B21/072

摘要： 本发明涉及一种基于Cr2AlC的Cr3C2-AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将Cr2AlC粉体置入石墨坩埚，再将所述石墨坩埚放入气氛炉，抽真空至真空度≤100Pa，充入氮气，然后将所述气氛炉升温至1000～1600℃，保温0.5～5h，自然冷却至室温，制得基于Cr2AlC的Cr3C2-AlN复合粉体。所述Cr2AlC粉体的纯度≥99.0wt％；Cr2AlC粉体的粒度≤150μm。所述氮气的纯度≥98.5％。本发明热处理时间短、工艺简单和能实现所述Cr3C2-AlN复合粉体微米至纳米级别的粒径可控，所制备的基于Cr2AlC的Cr3C2-AlN复合粉体纯度高和分散性好。

公开(公告)号：CN110282982A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910585015.1

申请日：2019-07-01

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  艾俊迪 ,  邓承继 ,  丁军 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/628

摘要： 本发明涉及一种Ti(C,N)/AlN复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将Ti2AlC3粉体装入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置入气氛炉中，在氮气气氛条件下升温至900～1600℃，保温0.5～3h，冷却至室温，制得Ti(C,N)/AlN复合粉体。所述Ti(C,N)/AlN复合粉体中的Ti(C,N)颗粒表面覆盖有AlN晶须；所述AlN晶须直径为0.010～2μm，长度为1～10μm；所述Ti(C,N)颗粒的粒径为10～80μm。所述Ti2AlC3粉体的纯度≥98.0wt％，Ti2AlC3粉体的粒径为10～100μm。本发明具有工艺简单和生产成本低的特点，所制备的Ti(C,N)/AlN复合粉体中的Ti(C,N)颗粒与AlN晶须结合性好、物相纯度高、AlN分布均匀和综合性能优异，有利于推广应用。

公开(公告)号：CN110255552A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910585023.6

申请日：2019-07-01

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  艾俊迪 ,  邓承继 ,  丁军 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B32/205

摘要： 本发明具体涉及一种木质磺酸钙石墨化的方法。其技术方案是：按木质磺酸钙∶催化剂的质量比为1∶(0.01～0.1)，将所述催化剂加入所述木质磺酸钙中，混合均匀，得到预混料。再将所述预混料固化，于惰性气氛条件下以4～10℃/min的速率升温至1000～1500℃，保温1～3h，使木质磺酸钙在炭化过程中逐渐石墨化，生成石墨化率较高的碳材料。所述催化剂为铁、钴、镍、氧化铁、氧化钴、氧化镍、硝酸铁、硝酸钴和硝酸镍中的一种，所述催化剂的添加量以各自对应的铁、钴或镍计。所述惰性气氛为氮气、氩气或埋碳气氛中的一种。本发明具有工艺简单、生产效率高、生产成本低、资源化利用程度高和有利于环境保护的特点，用该方法生成的炭材料石墨化程度高。

公开(公告)号：CN109824362A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910245608.3

申请日：2019-03-28

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  刘和兴 ,  王杏 ,  余超 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B35/528 ,  C04B35/565 ,  C04B38/08 ,  C01B32/05

摘要： 本发明涉及一步烧成的生物质碳化硅/碳复合材料及其制备方法。其技术方案是：将95～99wt％的硅源和1～5wt％的催化剂混合，即得混合料；按照浓度为3～5mol/L，将所述混合料置于乙醇溶液中，制得混合溶液；再将生物质多孔碳模板置于所述混合溶液中，在-0.05～-0.04MPa条件下用磁力搅拌器匀速搅拌1～3h，然后置入真空炉中，在-0.15～-0.1MPa条件下加热至1150～1350℃，保温3～7h；自然冷却，得到一步烧成的生物质碳化硅/碳复合材料。本发明具有工艺简单、反应温度低、成本低和易于工业化生产的特点，用该方法制备的一步烧成的生物质碳化硅/碳复合材料孔隙率高、形貌好和耐腐蚀。

公开(公告)号：CN109133986A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811229600.X

申请日：2018-10-22

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  邢广超 ,  丁军 ,  邓承继 ,  祝洪喜

IPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/565

CPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/6567

摘要： 本发明涉及一种基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉∶去离子水的质量比为1∶(0.15～0.3)配料，搅拌，得到Al4SiC4浆料。再按所述Al4SiC4粉∶泡沫稳定剂∶发泡剂∶表面活性剂的质量比为1∶(0.01～0.025)∶(0.0125～0.025)∶(0.01～0.02)，将泡沫稳定剂、发泡剂和表面活性剂混合，加入去离子水，搅拌，得到泡沫。将泡沫倒入Al4SiC4浆料中，搅拌，于模具中静置，干燥，脱模，在氮气气氛和1200～1500℃保温60～300min，冷却，即得基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷。本发明具有工艺简单和制备温度低的特点，所制备的AlN‑SiC多孔复合陶瓷局部化学成分均匀、机械强度高和生成的AlN晶须尺寸可控。

公开(公告)号：CN107777673A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201711115797.X

申请日：2017-11-13

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  陈洋 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜

IPC分类号： C01B21/076 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01B21/0765 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B21/076 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/80

摘要： 本发明涉及一种基于低温还原的立方氮化锆粉体及其制备方法。其技术方案是：将30~35wt%的氧化锆粉、20~25wt%的还原剂、28~31wt%的六水氯化镁和15~17wt%的氯化钠混合，得到混合料；然后在氮气气氛条件下，以3~5℃/min的速率将所述混合料升温至700~1100℃，保温2~3h，自然冷却，得到氮化产物；再将所述氮化产物加入盐酸溶液中浸泡1~2h，用蒸馏水洗涤3~4次，在110℃条件下烘干，即得基于低温还原的立方氮化锆粉体。所述盐酸溶液的浓度为9~10wt%。本发明具有原料成本低、安全性高、无污染、生产周期短、工艺简单、合成温度低的特点；用该方法制备的基于低温还原的立方氮化锆粉体纯度高和晶体发育好。

公开(公告)号：CN107687025A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710797535.X

申请日：2017-09-06

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  程可任 ,  祝洪喜 ,  邓承继 ,  丁军

IPC分类号： C30B29/62 ,  C30B29/36 ,  C30B1/02 ,  C30B1/10 ,  C30B29/02

CPC分类号： C30B29/62 ,  C30B1/02 ,  C30B1/10 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36

摘要： 一种Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料的合成方法。其技术方案是：将Al4SiC4基体装入坩埚内，再将所述坩埚置于管式刚玉炉中，在氩气气氛和1000~1800℃条件下保温30~600min，冷却至室温，制得Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料；所述Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面。所述Al4SiC4基体为Al4SiC4坯体和Al4SiC4粉体中的一种；所述Al4SiC4坯体是在5~50MPa条件下将Al4SiC4粉体压制成型；所述Al4SiC4粉体的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤100μm。所述氩气的纯度≥99.9%。本发明不需要添加催化剂，工艺简单；所制备的Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面，尺寸可控。

公开(公告)号：CN107675260A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710875873.0

申请日：2017-09-25

申请人： 武汉科技大学

发明人： 余超 ,  吴欣欣 ,  祝洪喜 ,  邓承继 ,  丁军

IPC分类号： C30B29/62 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B1/10

摘要： 本发明具体涉及一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将Al4SiC4粉料和纳米镍粉混合，在5~50MPa条件下压制成型；将成型后的坯体装入石墨坩埚内，置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，自然冷却，制得AlN-SiC固溶体晶须。所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。本发明工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀，制备的AlN-SiC固溶体晶须导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。

公开(公告)号：CN106747640A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710024218.4

申请日：2017-01-13

申请人： 武汉科技大学

发明人： 丁军 ,  刘正龙 ,  邓承继 ,  余超 ,  祝洪喜 ,  吴郑敏

IPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/80 ,  C04B35/565

摘要： 本发明涉及一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料及其制备方法。其技术方案是：以40~70wt%的碳化硅粉、15~35wt%的硅粉、1~5wt%的催化剂和10~20wt%的氮源为原料，外加原料20~30wt%的去离子水，搅拌，得到陶瓷浆料；向陶瓷浆料加入原料10~20wt%的发泡剂制成的泡沫，持续搅拌30~60min，得到陶瓷泡沫浆料；将陶瓷泡沫浆料倒入模具中，于氮气环境中静置，干燥，脱模，得到陶瓷坯体；将陶瓷坯体在氮气气氛下，升温至1100~1150℃，保温；再升温至1200~1600℃，保温；自然冷却，即得氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料。本发明工艺简单、成本低廉、原料利用率高和过程易于控制，所制制品气孔大小均一、气孔分布均匀和机械强度高。