基于谱聚类的极化SAR图像分类方法

    公开(公告)号:CN102982338A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210424175.6

    申请日:2012-10-25

    IPC分类号: G06K9/62

    摘要: 本发明公开了一种基于谱聚类的极化SAR图像分类方法,主要解决现有无监督极化SAR分类方法分类精度不高的问题。其实现步骤为:提取表征极化SAR目标散射特征的散射熵H,结合空间坐标信息,作为Mean Shift算法的输入特征空间;在特征空间用Mean Shift算法进行分割,得到M个区域;在M个区域上,选取各区域的代表点作为谱聚类的输入,对各区域进行谱分割,进而完成对所有像素点的谱聚类,获得预分类结果;最后,对预分类得到的整幅图像用能反映极化SAR分布特性的Wishart分类器进行迭代分类,得到分类结果。实验表明,本发明所实现的极化SAR图像分类效果更好,可用于对各种极化SAR图像进行无监督分类。

    基于谱峰突出指数的谱峰个数识别方法

    公开(公告)号:CN102624661A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210064357.7

    申请日:2012-03-13

    IPC分类号: H04L27/00

    摘要: 本发明提供基于谱峰突出指数的谱峰个数识别方法,通过对数据信号的离散谱进行谱峰突出指数的运算,得出了数据信号离散谱中突出谱线的条数,避免了人为的寻找数据信号突出谱线的条数和突出谱线判决门限的复杂计算,只要知道谱峰个数就能确定谱峰所在范围,提高了谱峰识别的效率,使得谱峰识别更智能化。

    一种温度感知集成电路
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102589729A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210063574.4

    申请日:2012-03-12

    IPC分类号: G01K1/02 G06K19/07

    摘要: 本发明公开了一种温度感知集成电路,具体包括基准电压源模块、PTAT延迟模块、CTAT延迟模块、加法器和波纹计数器。本发明的温度感知集成电路通过基准电压源模块产生一个正温度系数电压和一个负温度系数电压,通过PTAT延迟模块和CTAT延迟模块形成相应温度特性的电流,通过电容充放电的时间差形成一个宽度与温度相关的脉冲信号,在此基础上实现了片上温度测量。本发明的电路在特定的电路上改进了电路的设计,降低了系统的功耗,增加了温度数据的可靠性,使得更加容易集成在超高频RFID标签芯片中,应用于射频识别技术领域。

    像素域-变换域联合的分布式视频编码系统

    公开(公告)号:CN102026000B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110001537.6

    申请日:2011-01-06

    IPC分类号: H04N7/26 H04N7/50

    摘要: 本发明公开了一种像素域-变换域联合的分布式视频编码系统,它属于视频编码技术领域,主要解决变换域分布式视频编码系统存在量化损失及边信息预测精度较低的问题。该系统主要由三部分组成:编码端,反馈信道和解码端。编码端用于对输入视频帧进行独立编码,并将Wyner-Ziv帧分为像素域信息和变换域信息分别进行编码;解码端对接受到的码流作联合解码,并在解码像素域信息的过程中对边信息进行更新并解码后面的变换域信息;反馈信道为解码端向编码端请求校验比特提供信息通道。本发明降低了Wyner-Ziv帧有用信息的损失,提高了边信息的预测精度,进一步提高了系统的整体性能及压缩效率,可用于编码设备简单的视频通信系统。

    一种W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器

    公开(公告)号:CN114070261B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202111236042.1

    申请日:2021-10-22

    IPC分类号: H03H11/24

    摘要: 本发明公开了一种W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器,包括:依次串联的电感L1、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元、电感L2、4dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、电感L3、16dB衰减单元和电感L4;电感L4的输出端并联有接地电容C0;0.5dB、1dB和2dB衰减单元采用简化的T型衰减单元;4dB衰减单元采用普通的π型衰减单元;8dB和16dB衰减单元采用具有相移补偿作用的π型衰减单元;各衰减单元中的开关采用双极型晶体管;每个衰减单元分配有一个用于切换衰减态和参考态的控制信号;4dB、8dB和16dB衰减单元内分别添加有反相器以产生与各自控制信号电平相反的反向控制信号。

    基于流形学习的单客户端多域异构联邦学习系统和方法

    公开(公告)号:CN118734995A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410769913.3

    申请日:2024-06-14

    摘要: 本发明提供了一种基于流形学习的单客户端多域异构联邦学习系统和方法,各客户端根据局部模型和本地数据集确定与训练集中数据的类别对应的多个流形点集,将流形点集和局部模型发送至服务器;服务器根据任一类别下各客户端的流形点确定全局流形,通过聚类处理对各全局流形进行数据域划分得到子流形,基于注意力机制更新各子流形,进而重构流形点,根据各局部模型更新全局模型,将重构后的流形点和当前全局模型分发至相应的客户端;各客户端根据接收到的全局模型确定总损失函数,根据总损失函数更新当前局部模型,并将更新后的局部模型发送至服务器,以使各客户端和服务器进行迭代训练,直至全局模型收敛,从而在域异构场景下实现良好的联邦性能。

    一种嵌入式混合架构的DAC电路
    67.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118508969A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410385985.8

    申请日:2024-04-01

    IPC分类号: H03M1/66 H03M1/70

    摘要: 本发明公开了一种嵌入式混合架构的DAC电路,包括:电阻串阵列模块、V‑I转换模块、电流镜模块、电流缩放模块、混合处理模块;电阻串阵列模块将输入的N位数字信号中高M位的数字信号DATA_MSB转换为电压信号V_MSB;还根据N位数字信号以二进制换算得到第M‑N+1位电流权值对应的电流并输出;V‑I转换模块根据参考电压VREF和电阻串阵列模块输出的电流,输出基准电流IREF;电流镜模块将基准电流IREF镜像复制并输出镜像电流;利用电流缩放模块将基准电流IREF等比缩放得到低位对应的参考电流,将低位对应的参考电流通过混合处理模块补偿到高位数字输入信号对应的电压信号中进行混合转换,并最终输出混合后的电压。本发明具有面积小、精度高、功耗低的特点。

    一种面向区间包含函数的函数秘密分享构造方法

    公开(公告)号:CN118337381A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410577510.9

    申请日:2024-05-10

    IPC分类号: H04L9/08 H04L9/40

    摘要: 本发明提供了一种面向区间包含函数的函数秘密分享构造方法,包括:在密钥生成阶段:可信第三方,利用DPF密钥生成算法生成每个服务器的DPF密钥,在密钥评估阶段:所有服务器并行调用基于前缀奇偶校验查询的DICF算法,在给定区间内得到奇偶查询结果,并判断奇偶查询结果是否在给定区间内。本发明通过两次调用DPF来计算从0开始到指定点的前缀奇偶校验,再利用异或操作和一个校正位τ来判断是否在给定区间内,从而处理可能的溢出情况。不仅增强了区间包含函数的安全性,显著减少了计算过程中的内存开销和本地计算复杂度,不仅适用于资源受限的环境,而且还能够提高计算效率,使得区间包含函数的计算更加高效。

    基于应力-强度干涉模型的封装器件高过载失效率预测方法

    公开(公告)号:CN118070592A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410153588.8

    申请日:2024-02-02

    摘要: 本发明提供了一种基于应力‑强度干涉模型的封装器件高过载失效率预测方法,通过获取待预测的器件的结构参数并根据结构参数构建有限元模型,对模型进行应力仿真分析并根据分析结果和器件的封装结构所涉及的各个材料的屈服强度确定易失效结构;获取各易失效结构所采用的材料的弹性模量范围并根据各弹性模量范围分别确定各易失效结构对应的应力概率密度函数和应变率范围;获取各易失效结构对应的屈服强度并根据各屈服强度分别确定各易失效结构对应的强度概率密度函数;根据应力概率密度函数和强度概率密度函数构建应力‑强度干涉模型,并通过应力‑强度干涉模型确定待预测的器件对应的封装结构总失效率,能够扩充样本量,完成失效率预测。

    基于SiC衬底上诱导成核的AlGaN/GaN异质结制备方法

    公开(公告)号:CN118016530A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410144818.4

    申请日:2024-02-01

    摘要: 本发明公开了一种基于SiC衬底上诱导成核的AlGaN/GaN异质结制备方法。主要解决现有技术位错密度高,晶体质量差的问题。其实现方案是:先在SiC衬底上进行C离子注入,并清洗和烘干;对清洗和烘干后的SiC衬底采用脉冲激光退火,减少晶格损伤;再外延高温AlN成核层,用ALD技术在高温AlN成核层上沉积ALD AlN成核层,再依次沉积GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层,完成AlGaN/GaN异质结制备。本发明通过对SiC衬底的离子注入和脉冲激光退火,使衬底表面形成更多的悬挂键进行诱导成核,降低位错密度,提高AlGaN/GaN异质结质量,可用于GaN基功率器件。