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公开(公告)号：CN109596560B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811559279.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，具体为一种多通道集成红外气体传感器。本发明通过硅基上制备多通道气室，与集成电路结合得到的全集成红外气体传感器，并通过气孔的设置方式使得气体只能通过气槽上方的气孔进入气槽，然后扩散进入光槽中，减少光在光槽传输途中光线从气孔逃逸的数量，以提高测试精度。具有体积小、测量精度高、易批量制备的优点，有效拓展红外气体测量技术的应用范围，适用于更多的小型或便携式电子设备，如手机、智能手表、多功能手环等。
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公开(公告)号：CN112987346A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110330085.X
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学器件领域，具体为一种易于实现电光波速匹配的薄膜电光调制器及制备方法。通过在埋层上设有空腔，使得原本在无空腔的条件下，集中在埋层微波信号在引入空腔以后，大部分进入到空腔结构中传输，从而大大减小了微波有效折射率；使其易于实现电光波速匹配。即使在高于20GHz带宽时，依然能够实现良好的电光波速匹配，使其保持最佳调制效率。与现有技术相比，通信速率更快，且不会增加电极与光波导之间的距离，因此不会影响电光重叠积分，也不会导致半波电压的增加。
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公开(公告)号：CN111367014B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010169576.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种用于光互联的具有模斑转换功能的片上边缘耦合器，用于光学器件边缘实现光互联，例如用于将光纤耦合到光学微环谐振器。本发明通过采用的的双层正反双锥的过渡结构，使得光场从包层向芯层脊形和平板层过渡时，尽可能的减少了因单一方向的芯层平板层结构变宽所产生的高阶模式所导致的在包层中的光场残留，并且第四细长区域所采用的芯层平板层404和芯层脊形405采用相同变宽趋势，可以更好的实现光场变换。最终本发明器件结构从光纤发射的大模斑直径的光场逐渐转移到片上光学器件的脊型波导中，过渡平缓，经计算最终耦合效率可达到92％。
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公开(公告)号：CN110212882B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910393168.6
申请日：2019-05-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明涉及空腔型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器；包括如下步骤：通过单晶晶圆损伤处理工艺对单晶晶圆进行损伤处理，得到具有损伤层的单晶晶圆；在具有损伤层的单晶晶圆的下表面依次制备下电极和牺牲层，在牺牲层表面制备厚度大于等于牺牲层和下电极厚度总和的聚合物键合层，将衬底与聚合物键合层进行键合工艺处理及单晶晶圆劈裂工艺处理后，得到具有下电极的单晶薄膜；在具有下电极的单晶薄膜的上表面制备上电极，在单晶薄膜层上表面开设与牺牲层连通的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到空腔型体声波谐振器；制备得到的空腔型体声波谐振器具有较高Q值。
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公开(公告)号：CN111403596A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010203692.5
申请日：2020-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/253 , H01L41/332 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B7/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜的氧空位缺陷及表面改性的问题，通过分别控制氧等离子清洗过程中的氧气通量、工作功率以及清洗时间的工作参数，通过接触角测试对清洗效果进行验证，最终使得单晶薄膜达到完全浸润，便于后续制备图形化的器件结构。本发明使单晶薄膜的单晶质量大幅度提高，引入的二次损伤最小，简化了工艺的复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010755A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910187199.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/312 , H01L41/33 , H01L41/335
Abstract: 本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡、无隆起且无裂纹。
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公开(公告)号：CN109995340A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910187177.X
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种空腔型体声波谐振器及其制备方法，其特征在于：包括如下步骤：取经过离子注入并具有底电极的压电单晶晶圆以及具有空腔的衬底，将所述压电单晶晶圆的具有底电极的一侧与所述衬底的具有空腔的一侧键合，键合后对其进行热处理，使所述压电单晶晶圆的薄膜剥离，再在所述压电单晶晶圆的剥离后的一侧生产顶电极，即得。本发明所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，不需要生长牺牲层，不对薄膜进行刻蚀开孔，其器件机械强度提高，不易对薄膜产生损伤；空腔结构在成膜前形成，成品率较高，且不会有成膜后刻蚀遗留的残渣，不需要考虑释放不完全对器件造成的影响。
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公开(公告)号：CN109657787A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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公开(公告)号：CN107605713A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711017409.4
申请日：2017-10-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种大流量的无阀微泵，属于流体机械领域。本发明通过设计收缩/扩散管的窄口宽度为与主腔体连接口的最小长度；以及控制泵膜使主腔体体积改变的方向与压缩管和扩散管在一个平面内。有助于在扩散/收缩管出口处形成湍流，减少液体回流，提高微泵工作输出效率；泵体材料选用玻璃或金属的易加工材料。相比现有技术，本发明的加工成型和装配方便；减少液体不必要的回流，大幅提高微泵工作效率，提升流量。
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公开(公告)号：CN107546319A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710747273.6
申请日：2017-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L37/02
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种热释电红外探测器及其制备方法。包括凹槽透光衬底、热释电层和键合层。本发明使用表面带有凹槽的透光衬底代替硅衬底，为使用常温、常压键合将衬底与单晶或陶瓷热释电敏感元进行集成提供了条件，实现了空气隙悬空绝热结构与单晶或陶瓷热释电敏感元集成；并在热释电敏感元制作凹槽、在敏感元内部形成一个绝热结构。本发明提供的热释电红外探测器，热性能好、可靠性高、工艺简单、成本低，且易于集成，探测性能好。
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