一种目标位姿测量方法和装置

    公开(公告)号:CN105258680B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201510641038.1

    申请日:2015-09-30

    摘要: 本发明提供一种目标位姿测量方法和装置,确定两站相机拍摄的目标影像序列、目标模型以及模拟的成像空间,还包括:循环执行N1至N7,直至目标影像序列中所有图片中的目标均被确定位姿:N1:提取目标影像序列中当前帧的两站图片中目标轮廓线;N2:计算当前帧的两站图片中目标的重心坐标;N3:确定目标模型在所述模拟的成像空间中的位置;N4:获取模拟的成像空间中目标模型的模拟图片,并提取模拟图片的模拟轮廓线;N5:将模拟轮廓线与对应的目标轮廓线进行匹配;N6:确定目标的当前姿态;N7:判断当前帧是否为目标影像序列中的最后一帧,如果否,则将下一帧作为当前帧,执行N1,提高了目标位姿测量的准确性。

    基于监督转移的零样本哈希图片检索方法

    公开(公告)号:CN107346327A

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201710253104.7

    申请日:2017-04-18

    IPC分类号: G06F17/30 G06K9/62

    CPC分类号: G06F17/30268 G06K9/6269

    摘要: 本发明公开了一种基于监督转移的零样本哈希图片检索方法,属于图像哈希技术领域。本发明利用现有自然语言处理模型对已有训练数据的标签进行建模,形成一个标签空间。通过新的标签空间潜在的保存标签之间的关系,训练从图片特征空间到标签空间的映射。在此基础上,将此映射关系反映在哈希码上。本发明对训练样本没有严格要求,应用范围广,特别是在大型数据库里,当类别较多且无法对每一个类别找出训练样本时,本发明可以极大程度地提高对于该类别的图片检索准确率。

    一种应用于锁相环的电荷泵电路

    公开(公告)号:CN107294528A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710671406.6

    申请日:2017-08-08

    IPC分类号: H03L7/08 H03F3/16 H03F1/30

    CPC分类号: H03L7/08 H03F1/301 H03F3/16

    摘要: 本发明公开一种应用于锁相环的电荷泵电路,由主电荷泵模块、补偿电荷泵模块和控制模块组成。主电荷泵模块和补偿电荷泵模块的结构相同,并呈镜像地设置在控制模块的输入端侧和输出端侧。其中主电荷泵模块由运算放大器OP1和MOS管M1-M8构成;MOS管M1的源极接电源VDD,MOS管M1的漏极接MOS管M3源极;补偿电荷泵模块由MOS管M9-M16的MOS管和运算放大器OP2构成。本发明即保留了传统电荷泵较宽的电压输出范围及较高的充放电电流匹配度,同时又减小了由于沟道长度调制的影响所产生的充放电电流相对于理想电流的偏离。本发明结构简单,易于集成,适合高性能要求的锁相环应用。

    光伏阵列自适应步长扰动观察法MPPT控制方法与系统

    公开(公告)号:CN105116958B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201510521985.7

    申请日:2015-08-24

    IPC分类号: G05F1/67

    CPC分类号: Y02E10/58

    摘要: 本发明为光伏阵列自适应步长扰动观察法MPPT控制方法,主要步骤如下:对光伏阵列PV的输出电压和电流采样,得到P-U特性曲线,其不完全微分和理想微分对应的PV端电压为Ua和Ub,分为三个区间Ⅰ为0~Ua、Ⅱ为Ua~Ub、Ⅲ为大于Ub。区间I内以步长d1正向扰动;区间Ⅱ内以步长(2η-1)d1反向扰动;区间Ⅲ内以步长d1反向扰动本系统电压电流传感器信号采样接入微处理器,程序存储器中存储有执行本法的各处理模块,微处理器的输出接入脉宽调制模块PWM,PWM输出驱动信号控制光伏阵列的直流转换电路,实现最大功率点跟踪。本发明MPP附近小步长跟踪,较远区间大步长跟踪,步长的自适应调整,提高抗干扰能力,有效减小PV功率损失和能量利用率。

    一种数据传输率约束下的雷达目标检测方法

    公开(公告)号:CN105425222A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510736844.7

    申请日:2015-11-03

    IPC分类号: G01S7/41

    CPC分类号: G01S7/41

    摘要: 本发明属于雷达技术领域,公开了一种数据传输率约束下的雷达目标检测方法。包括:获取多基地雷达系统的回波数据,得到所有空间分集通道的观测矢量;对观测矢量进行自适应匹配滤波,得到每个空间分集通道的局部检验统计量;获取每个空间分集通道的数据传输率,计算每个空间分集通道的局部虚警概率,确定第一门限;将每个空间分集通道的局部检验统计量与第一门限比较,确定大于和小于第一门限的局部检验统计量;得到全局检验统计量;获取全局虚警概率,并根据全局虚警概率确定第二门限;若全局检验统计量大于第二门限,则多基地雷达系统确定检测单元存在目标。本发明能够在降低局部雷达站与融合中心的数据传输量。

    无线远程心电监护系统
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104720791A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510155568.5

    申请日:2015-04-02

    IPC分类号: A61B5/0402 A61B5/00

    摘要: 本发明涉及心电监护领域,提供一种无线远程心电监护系统,以解决目前的心电监护系统存在的抗干扰能力弱、功耗大以及网络资源占用较大的问题,该系统包括心电信号采集与发射装置、边缘路由器和服务器端监护装置,其中心电信号采集与发射装置包括心电信号预处理模块、心电采集控制器、双口RAM、无线传输控制器和无线传输模块。本发明提出的技术方案采用基于双口RAM的乒乓存储结构,提高了数据传输带宽,降低了无线信道的无效占用,另外,本发明采用基于6LoWPAN协议的无线传输方式,在提高无线传输的抗干扰能力和降低系统的功率消耗的同时,有效避免了复杂的网络协议转换问题。

    心电图伪差信号识别方法及装置

    公开(公告)号:CN104644160A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510119315.2

    申请日:2015-03-18

    IPC分类号: A61B5/0402

    CPC分类号: A61B5/04012

    摘要: 本发明涉及心电信号处理领域,提供一种心电图伪差信号识别方法及装置,以解决现有ECG伪差识别方法所存在的计算复杂高、鲁棒性和适应性差的问题,该方法主要包括:初始化ECG信号;分别通过相关分析、主成分分析和频域分析计算所选择的分段ECG信号的第一信息参数Rmax、第二信息参数Pλ1和第三信息参数Psn;根据该分段的上述三个信息参数数值对该ECG分段信号进行识别。实验结果表明,本发明识别ECG伪差信号的准确率、敏感度和阳性预测率分别达到了97.42%、69.21%和92.06%,因此识别准确性高,此外,本发明提出的技术方案不需要先验信息,而且具有很好的实时性、鲁棒性和适应性。

    空间太阳能电站的发射天线系统

    公开(公告)号:CN104538725A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410715356.3

    申请日:2014-11-28

    IPC分类号: H01Q1/22 H02S40/22 H02S40/42

    CPC分类号: Y02E10/52

    摘要: 本发明公开了一种空间太阳能电站的发射天线系统,整体呈漏斗状,其特征在于,前述漏斗状的发射天线系统由若干斜曲边形结构单元拼接组装而成,前述斜曲边形结构单元包括:支撑框架、安装在支撑框架的内侧的光伏电池层和发射天线层、安装在支撑框架的外侧的辐射面板层,光伏电池层位于发射天线层的上方;辐射面板层包括:斜曲边形面板,安装在斜曲边形面板上的振荡器、移相器、放大器、功率分配器以及连接线缆,斜曲边形面板的形状满足贝塞尔曲线。本发明的有益之处在于:通过采用斜曲边形结构单元,不仅解决了散热难题,提高了系统的功率质量比,而且解决了对入射太阳光角度要求苛刻的难题,降低了聚光系统的设计难度。

    基于低秩矩阵分解的SAR图像变化检测方法

    公开(公告)号:CN102722892B

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201210193347.3

    申请日:2012-06-13

    IPC分类号: G06T7/00 G06T5/50

    摘要: 本发明公开了一种基于低秩矩阵分解的SAR图像变化检测方法,主要解决现有方法对SAR图像变化区域不能精确检测的问题。其实现步骤包括:(1)对待检测的两幅SAR图像进行降斑预处理,得到较为平滑的SAR图像;(2)构造降斑后的两幅图像的对数比值;(3)将对数比值进行低秩稀疏分解,得到对数比值的低秩部分和稀疏部分;(4)按列将稀疏部分变换成稀疏矩阵;(5)用K均值算法对得到的稀疏矩阵进行聚类,得到最终的变化检测结果。本发明具有较为精确的检测变化区域的优点,可用于公共安全、视频监控领域。

    P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

    公开(公告)号:CN102592976B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201210077304.9

    申请日:2012-03-22

    IPC分类号: H01L21/04

    摘要: 本发明公开了一种P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题,其实现步骤是:先将碳化硅衬底放入反应室;在氢气流中加热反应室,当温度达到1400℃后,在氢气流中加入C3H8;当温度达到1580℃后,对衬底进行原位刻蚀10~30min;其后保持反应室温度1580℃,气压100mbar,在20L/min的氢气流中加入流量为15~24mL/min的SiH4,流量为5~10mL/min的C3H8和流量为3.2×10-5mol/min的三甲基铝,生长外延层;生长结束后,在氢气流中冷却;最后向反应室充入氩气至常压。本发明制备的碳化硅外延层掺杂浓度在4×1019cm-3~4.6×1019cm-3,掺杂均匀,表面平整,可用于制作碳化硅器件。