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公开(公告)号：CN220708604U
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202322249978.9
申请日：2023-08-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01L5/00
Abstract: 本实用新型的实施例公开了一种压力传感器，其中压力传感器包括：第一基板；第一隔离层层叠设置在第一基板上；第一隔离层中设有至少一个凹槽；力敏感体嵌设于凹槽内，力敏感体包括基底，在基底的厚度方向上，基底具有相对的第一表面和第二表面；基底包括容纳在基底的主体内部的第一空腔以及位于基底的第一空腔和第一表面之间的力敏感膜；第一空腔包括相对设置的底部和顶部，顶部与力敏感膜直接接触；力敏感体包括多个第一焊盘，多个第一焊盘位于力敏感膜背离第一空腔的一侧；受力承载体设置在第一表面；受力承载体在第一表面至少地覆盖空腔在第一表面的正投影。根据本实用新型，其具有更好的温度特性以及线性度，适应高温高压的恶劣环境。
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公开(公告)号：CN217276654U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220193701.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种可应用于高压力检测的压力传感器，包括：第一基片，其底表面向上凹设有凹槽，所述第一基片包括位于中心的岛结构和位于四周的固支结构，所述凹槽位于所述岛结构和所述固支结构之间，且所述凹槽的顶部与所述第一基片的顶表面之间具有第一距离；压阻，嵌设于所述第一基片的顶表面，且位于所述凹槽的上方；应变转移层，设于所述第一基片的上方；第二基片，封盖于所述应变转移层上；第三基片，封盖于所述第一基片的底表面。本申请所述可应用于高压力检测的压力传感器，灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN215262173U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202121080093.5
申请日：2021-05-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种力传感器芯片和力传感器，解决了现有技术中的力传感器芯片的灵敏度较低的问题。力传感器芯片包括：可动膜片；力传递单元，用于将受到的外力传递给可动膜片；以及应力敏感结构，用于感测可动膜片受力后产生的应变；其中，力传递单元包括向可动膜片输出外力的力输出表面，力输出表面的面积小于可动膜片的面积。
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公开(公告)号：CN214257962U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202022659277.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种电子烟传感器装置，包括：电路板；传感器模块，包括差压传感器，所述差压传感器与所述电路板电连接；封装壳体，包括容纳所述电路板和所述差压传感器的腔体；其中，所述电路板包括第一气流孔，所述差压传感器包括位于所述差压传感器底部的第一通孔；所述第一气流孔与所述第一通孔正对使得第一通孔与外界大气相通。本申请采用差压传感器进行感测，与传统咪头相比，输出一致性更好；且差压传感器配合专用集成电路读取压力差，来实现校准、阻抗匹配的方法，不需要多余的场效应晶体管，结构简单。
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公开(公告)号：CN207456650U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201721504337.1
申请日：2017-11-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种压力传感器，所述压力传感器包括：衬底；收容腔，位于所述衬底内，包括底壁和侧壁；感应本体，悬浮于所述收容腔内，所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽，所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体，且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接；所述感应本体包括：半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层，所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构，可靠性高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN222618077U
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202420869932.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种倒装式MEMS力传感器芯片，其特征在于，所述倒装式MEMS力传感器芯片包括受力层、敏感膜和支撑框，所述受力层和所述敏感膜相对的两面与所述支撑框上下表面连接；在所述受力层和所述敏感膜与所述支撑框之间形成的容纳空间内设置有至少一个力传递柱，所述至少一个力传递柱与所述敏感膜和所述受力层相对的两面连接。实现了芯片的固定以及电信号引出面与受力面的分离，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN221571716U
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202322965403.7
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种温压复合式传感器及其封装结构。温压复合式传感器，包括：第一基板；第二基板，第二基板与第一基板相对设置，第二基板和第一基板围合有腔体；压力敏感电阻，压力敏感电阻位于腔体内；温度敏感电阻，温度敏感电阻位于腔体内。本申请提供的一种温压复合式传感器，可以进行温度和压力的同时测量，且压力测量更加精准。
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公开(公告)号：CN217276597U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220192316.5
申请日：2022-01-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01L1/22
Abstract: 本申请公开了一种压力传感器。该压力传感器包括：基底；至少一个压力感应元件，所述至少一个压力感应元件设置于所述基底上；其中，所述至少一个压力感应元件中的一部分或全部是目标压力感应元件，每个目标压力感应元件的至少一侧设置有凹槽。本申请所公开的技术方案通过在压力感应元件的周围设置凹槽，以使外力按压基底时，压力感应元件周围的应力更集中，从而提高压力传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN217276593U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220623265.7
申请日：2022-03-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了电容式压力传感器，属于传感器技术领域，电容式压力传感器包括第一导电层、第二导电层和专用集成电路；第一导电层，包括第一电极；第二导电层，包括第二电极；专用集成电路，用于处理第一电极和第二电极产生的电信号；第二导电层、第一导电层和专用集成电路集成在同一衬底上，第一电极设置在第二电极和专用集成电路之间。本实用新型通过在同一衬底上形成MEMS电容式压力传感器和专用集成电路，实现第一电极、第二电极和专用集成电路的在单片衬底上的片上集成。
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公开(公告)号：CN210091137U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201921202333.7
申请日：2019-07-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G06F3/041
Abstract: 本实用新型提供一种压力检测触控装置及电子设备，所述压力检测触控装置包括：触碰板；压力检测装置，包括至少一压力传感器芯片及一基板，所述基板包括第一表面及第二表面，所述压力传感器芯片设置在所述基板的第一表面；连接层，连接所述触碰板及所述基板的第二表面，所述连接层具有至少一第一区域及至少一第二区域，所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度；在所述第一区域，所述触碰板和/或所述基板与所述连接层之间形成空腔，所述空腔的位置至少与所述压力传感器芯片的力传导结构的位置对应。本实用新型的优点在于，在不影响压力检测触控装置的连接层的强度的前提下，提高所述压力检测触控装置的灵敏度。
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