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公开(公告)号：CN110333799B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910688557.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种压力检测触控装置及电子设备，所述压力检测触控装置包括：触碰板；压力检测装置，包括至少一压力传感器芯片及一基板，所述压力传感器芯片的一表面具有至少两个力传导结构，所述基板包括第一表面及第二表面，所述压力传感器芯片通过所述力传导结构设置在所述基板的第一表面；至少两个主支撑件，设置在所述触碰板与所述基板之间，相邻的两个主支撑件之间为空腔，所述压力传感器芯片对应所述空腔设置，且所述力传导结构至少部分对应所述主支撑件设置。本发明的优点在于，提高压力传感器芯片的检测灵敏度，进而改善所述压力检测触控装置的性能。
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公开(公告)号：CN117263139B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311536586.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H10N30/00
Abstract: 本申请提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。压阻式压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧，第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层，沿第一衬底的厚度方向，空腔的正投影覆盖压敏电阻的正投影；第二衬底，第二衬底朝向第一衬底的一侧设有用于引线键合的多个引线键合区，引线键合区与压敏电阻电连接；第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧贴合；第一衬底的正投影位于第二衬底的正投影内，引线键合区位于第一衬底的正投影之外。本申请通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，制作工序简单。
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公开(公告)号：CN117430080A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311727841.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器，其中，所述方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧设有导电互联结构；在导电互联结构上形成覆盖导电互联结构的第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一通孔；在第一通孔内填充导电材料形成第一导电结构；提供晶片，在晶片的一侧表面刻蚀形成第一凹槽，并在第一凹槽内填充导电材料以形成第二导电结构；将晶片与第一基板通过第一介质层键合，并将第一导电结构与第二导电结构键合；刻蚀晶片以形成MEMS器件结构；提供顶盖体，顶盖体与晶片键合以得到MEMS传感器。本申请的混合键合方式实现第一基板和晶片间的连接和电导通的同时，降低了生产成本，提高了产品的可制造性与可监测性，有利于提升产品良率。
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公开(公告)号：CN117399089A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311661737.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微流道芯片的制造方法，包括：提供半导体晶片，包括多个微流道芯片，每个微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，结构层具有微流道；在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置对半导体晶片的保护层进行切割，以形成部分贯穿保护层的第一凹槽；在半导体晶片的具有第一凹槽的一侧进行刻蚀，以形成贯穿剩余的保护层和部分结构层的第二凹槽；在半导体晶片的背离第一凹槽的一侧，或者在其具有第一凹槽的一侧进行切割，以形成贯穿半导体晶片的第三凹槽，以得到多个分离的微流道芯片。实现了在切割微流道芯片时，不会让微流道的进出口被堵塞或者产生裂隙，提高了产品的合格率。
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公开(公告)号：CN117246972A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311536483.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法。微机电压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件位于第一衬底的一侧；压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，第一介质层位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧；第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层；空腔在第一衬底上的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底上的正投影；第二衬底，第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧键合。本申请通过在第一衬底上形成第一介质层，并通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，并利用第一介质层与第二衬底键合连接，具有封装尺寸小、制作工序简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117069054A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311324623.X
申请日：2023-10-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及其制作方法，包括：通过在MEMS器件结构上先沉积第一氧化层，使MEMS器件结构位于所述衬底基板和所述第一氧化层之间，然后在第一氧化层背离MEMS器件结构的一侧形成金属支撑层，对金属支撑层进行光刻处理，以得到贯穿所述金属支撑层的释放孔，再以释放的方式形成可供MEMS器件结构活动的空腔结构，最后通过第一密封层实现最后的密封，简化了工艺难度，实现了活动结构的有效保护。从而完美的解决了传统密封封装工艺导致的连接紧密度不佳，以及由此所导致的崩边、裂片等问题。
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公开(公告)号：CN114427930B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210103055.X
申请日：2022-01-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器及其制备方法，所述压力包括衬底层；第一外延层，设置在所述衬底层的上方；内部腔室，设置在所述衬底层上方，且其顶端所在高度不高于所述第一外延层顶端所在高度；第二外延层，设置在所述内部腔室上方；岛状结构，设置在所述衬底层内部中心区域且独立于所述衬底层；连通深槽，设置在所述岛状结构与所述衬底层之间，用于将所述内部腔室与外部气体，本发明的压力传感器能够有效提高压力传感器的灵敏度一致性和线性度，提高了压力传感器的性能。
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公开(公告)号：CN114124024A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111454546.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；至少位于所述衬底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极；其中，在位于所述叉指电极最外侧叉指以外的区域设有贯穿所述压电薄膜的开口。本申请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。
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公开(公告)号：CN109831172B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811564949.9
申请日：2018-12-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法，解决了现有技术中通过刻蚀硅衬底形成空气隔离带导致器件结构稳定性差的问题。该制备方法包括提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体；提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个；将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合；制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
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