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公开(公告)号：CN106409958B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610835582.4
申请日：2016-09-21
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法，所述电池包括GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池。所述制备方法包括石墨衬底进行机械抛光、石墨衬底抛光面依次沉积Ge层、GaAs层、采用MOCVD依次外延生长第一欧姆接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池，第二欧姆接触层、在上述外延片第二欧姆接触层表面蒸镀背面电极并将其键合至一支撑衬底，去除外延衬底，制备正面电极，获得目标电池。本发明实现各子电池间更好的电流匹配，从而提高多结电池的光电转换效率；同时可有效降低多结电池的制作成本。
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公开(公告)号：CN106409958A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610835582.4
申请日：2016-09-21
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0725 , H01L31/1844
摘要： 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法，所述电池包括GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1-xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1-yAs底电池。所述制备方法包括石墨衬底进行机械抛光、石墨衬底抛光面依次沉积Ge层、GaAs层、采用MOCVD依次外延生长第一欧姆接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1-xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1-yAs底电池，第二欧姆接触层、在上述外延片第二欧姆接触层表面蒸镀背面电极并将其键合至一支撑衬底，去除外延衬底，制备正面电极，获得目标电池。本发明实现各子电池间更好的电流匹配，从而提高多结电池的光电转换效率；同时可有效降低多结电池的制作成本。
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公开(公告)号：CN105821224A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610388498.2
申请日：2016-06-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
CPC分类号： Y02P10/234 , C22B41/00 , C22B1/02 , C22B3/10 , C22B3/22
摘要： 氟化焙烧法提取低品位锗精矿中锗的方法，涉及一种将低品位难处理锗精矿经氟化物焙烧预处理后进行氯化蒸馏提取锗的工艺。本发明的方法包括氟化焙烧以及盐酸蒸馏、氢氧化钠提起锗的过程。本发明工艺简单、流程简短、安全环保，对设备无腐蚀，锗提取回收率可达95.6%以上，提锗酸渣采用本工艺进行二次提取锗的回收率达到91.5%以上，二次提锗酸渣中的锗品位降至0.01%以下。
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公开(公告)号：CN102719679B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210235361.5
申请日：2012-07-09
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/234 , Y02P10/242
摘要： 一种从提锗残渣中回收镓和锗的方法，涉及湿法冶金技术领域，具体是一种从含锗煤烟尘提锗后的残渣中回收镓和锗的工艺方法。该方法是通过焙烧、浸出、锗的蒸馏分离、渣液分离、萃取、反萃取、水解沉淀和镓锗精矿制备工序实现的。本发明的方法可以将火法冶炼得到的含锗煤烟尘在进行盐酸氯化蒸馏分离锗后的残渣中的镓和锗进行有效回收利用，方法经济合理。
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公开(公告)号：CN103061767A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310016762.6
申请日：2013-01-17
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种采矿方法，该采矿法的回采顺序为从上向下翻层，每个回采层为2－2.2m，回采层底部用物料进行充填，回采过程中随采随充填，该充填层作为下一个回采层的顶板，工作面推进方向由顶板向底板推进；生产过程中回采工作面保持最大控顶距离3.2米，最小控顶距2.2米，在每个回采层设置一至两层钢筋混凝土隔水层，隔水层向一侧倾斜，在下一个分层将水排到水仓，经矿井排水系统排出井外。该方法改变了传统的采矿工艺，采用下向分层的充填采矿法，回采效率提高，做到随采随充填，使采矿及冶炼过程中产生的废物得到充分利用，减少了排放污染物对环境造成的污染，减少了占用土地资源，基本杜绝了冒顶事故发生。
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公开(公告)号：CN102121066B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201110025587.8
申请日：2011-01-24
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明涉及湿法冶金技术领域，具体地说是一种采用氯化镁-盐酸蒸馏法来回收含锗原料中锗的方法。本发明公开了一种降低含锗原料氯化蒸馏时盐酸消耗的工艺方法，其特征在于对含锗原料进行预处理后，用氯化镁代替部分工业盐酸与含锗原料反应，并循环利用部分蒸馏残液进行蒸馏，采用了上述两种措施后即可以大大降低各种锗原料在氯化蒸馏时盐酸的消耗量和中和废液的生石灰的消耗量，又不影响锗的回收，从而达到降低生产成本的目的。
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公开(公告)号：CN102071320A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110025386.8
申请日：2011-01-24
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 一种太阳能电池用锗衬底片加工废液处理工艺，属于湿法冶金技术领域，尤其是一种太阳能电池用锗衬底片加工中产生的废液处理工艺。本发明的太阳能电池用锗衬底片加工废液处理工艺，包括将废液中的锗、碳化硅、C10润滑油分离工序和对分离出的锗、碳化硅、C10润滑油的提取纯化工艺。通过本发明的工艺回收的锗、碳化硅、C10润滑油达到使用的标准，对于节约生产成本、循环经济、保护环境、增加公司效益等方面产生积极的效益。
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公开(公告)号：CN101418373B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810058925.6
申请日：2008-09-16
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
CPC分类号： Y02P10/212
摘要： 本发明是一种从氯化蒸馏渣中提取锗的方法。经一次碱浸、二次碱浸、除硅、硅渣碱浸、沉锗、烘干灼烧、氯化蒸馏等工艺。锗浸出率>85％，除硅率>95％，沉锗率>95％，锗的回收率>70％。本发明的氯化蒸馏渣中的锗提取方法，年处理氯化渣2000余吨，回收锗(以GeCl4中Ge计)1吨余，获利税450万元。解决了碱液中硅锗分离，锗沉淀技术等问题。本发明的运用，为从氯化蒸馏渣中锗的提取开辟了一条合理的途径，减少了废渣的堆存，合理的利用了资源，减少了工作时间，间接地降低了生产成本，使沉淀锗成本由原栲胶(价格高)沉锗695元/kg Ge降为370元/kgGe。
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公开(公告)号：CN100532594C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610048817.1
申请日：2006-11-15
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 湿法从铬-锗合金废料中回收锗。本发明针对铬-锗合金中含有多种金属杂质，和铬-锗相互包裹及切割过程中，由于使用了有机溶剂而掺有大量的有机物质的废锗粉料，提供了一种回收锗的方法，用NaOH-H2O2溶解体系来破坏废料中的有机物，使其在NaOH中皂化，利用H2O2来氧化物料中裸露的锗金属使其变成离子进入溶液，然后利用盐酸中和过量的碱并蒸馏出溶出的锗，再用盐酸-MnO2体系中的盐酸与铬及部分金属杂质反应进入溶液，另一部分不与盐酸反应的金属杂质则被MnO2与盐酸反应生成的氯气氧化进入溶液，被这些杂质包裹的锗被释放出来与氯气反应，形成Ge4+离子，经二次蒸馏，Ge4+离子与氯离子结合形成四氯化锗逸出，从而与其他杂质分离。用本方法回收锗，回收率可达99%以上。
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公开(公告)号：CN113981523B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202111179012.1
申请日：2021-10-09
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。
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