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公开(公告)号：CN113299755B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110489242.1
申请日：2016-02-08
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 中野佑纪
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/06
摘要： 本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。
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公开(公告)号：CN117859073A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057615.0
申请日：2022-06-24
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 高村尚吾
IPC分类号： G01S7/524 , G01S7/526 , G01S15/10 , G01S15/931
摘要： 一种信号处理装置包括波发送信号生成器、波接收信号输出单元和反射波检测单元，所述波发送信号生成器构成为生成用于声波的波发送的波发送信号，所述波接收信号输出单元构成为基于声波的波接收来输出波接收信号，所述反射波检测单元构成为基于所述波接收信号来检测可以包括在所述波接收中的所述波发送的反射波。所述波发送信号包括具有第一预定数量的波的第一信号和在所述第一信号之后生成并且具有第二预定数量的波的第二信号，所述第二预定数量小于所述第一预定数量。
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公开(公告)号：CN117833610A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410016150.5
申请日：2019-05-14
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体模块，其构成要素包含半导体装置和汇流条。半导体装置具备绝缘基板、导电部件、多个开关元件、第一输入端子和第二输入端子。绝缘基板具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面和背面。导电部件配置于主面。多个开关元件与导通部件以导通的状态接合。第一输入端子具有第一端子部并且与导电部件以导通的状态接合。第二输入端子具有沿着厚度方向来看与第一端子部重叠的第二端子部并且与多个开关元件导通。第二输入端子在厚度方向上相对于第一输入端子和导电部件双方分离配置。汇流条具备第一供给端子和第二供给端子。第一供给端子与第一端子部以导通的状态接合。第二供给端子与第二端子部以导通的状态接合。
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公开(公告)号：CN116936486B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311044839.0
申请日：2021-09-14
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 半导体模块具备导电基板、半导体元件、控制端子以及封固树脂。上述导电基板具有在厚度方向上相互隔开间隔的主面以及背面。上述半导体元件与上述主面电接合，且具有开关功能。上述控制端子为控制上述半导体元件的结构。上述封固树脂具有树脂主面以及树脂背面，覆盖上述导电基板及上述半导体元件、以及上述控制端子的一部分。上述控制端子从上述树脂主面突出，而且沿上述厚度方向延伸。
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公开(公告)号：CN111211695B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911158844.8
申请日：2019-11-22
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 原英夫
摘要： 本发明的课题在于提高绝缘型DC/DC转换器的安全性。本发明涉及一种绝缘型DC/DC转换器、AC/DC转换器、电源适配器及电气设备。在变压器的初级侧设置开关晶体管(M1)，在变压器的次级侧设置同步整流晶体管(M2)。初级侧控制部(10)对开关晶体管进行开关驱动，次级侧控制部(20)控制同步整流晶体管的导通、断开。在初级侧与次级侧之间设置脉冲变压器部(30)，用来实现初级侧控制部与次级侧控制部之间的双向通信。例如，经由脉冲变压器部在初级侧控制部与次级侧控制部之间收发与开关晶体管的打开及关闭相关的信号。
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公开(公告)号：CN117795687A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054850.2
申请日：2022-08-19
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种半导体装置(1A)，其包括：具有主面(3)的芯片(2)；形成在上述主面的表层部的第一导电型的漏极区域(17)；在上述主面的表层部形成在与上述漏极区域不同的区域的第一导电型的源极区域(22)；以与上述漏极区域和上述源极区域电隔离的方式，在上述主面的表层部中形成在与上述漏极区域和上述源极区域不同的区域的第二导电型的背栅区域(25)；在上述主面上覆盖上述源极区域的栅极绝缘膜(36)；和形成在上述栅极绝缘膜上的栅极电极(37)。
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公开(公告)号：CN117735475A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311036614.0
申请日：2023-08-17
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 马丁·怀尔弗瑞德·海勒 , 纸西大祐
摘要： 本发明涉及一种MEMS装置及其制造方法。本发明提供一种既确保了隔离接头的绝缘性，又防止了隔离接头与空腔底部的接触的MEMS装置。本发明的具备活动部的MEMS装置包含：衬底；凹部，设置在衬底上；活动部，中空地支持在凹部内；以及隔离接头，插入到活动部的规定位置，在其两侧将活动部电绝缘；且凹部的底部与活动部的最短距离小于凹部的底部与隔离接头的距离。与隔离接头相邻的活动部的深度小于隔离接头的深度。活动部包含具有深度的部分，所述深度比隔离接头的深度深。
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公开(公告)号：CN117716347A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052505.5
申请日：2022-06-15
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： G06F15/78
摘要： 例如，一种半导体装置100包括第一区域120A、第二区域120B、第一测试电路A和第二测试电路B，所述第一区域构成为不管是处于第一操作模式(正常模式)还是处于第二操作模式(待机模式)都始终保持在通电状态，所述第二区域构成为在所述第一操作模式下处于通电状态并且在所述第二操作模式下处于断电状态，所述第一测试电路构成为在所述第一区域120A中实施，所述第二测试电路构成为在所述第二区域120B中实施。
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公开(公告)号：CN117713773A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311179128.4
申请日：2023-09-13
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H03K17/042 , H03K17/687 , H03K17/082
摘要： 本发明提供了半导体装置、电子设备以及车辆。半导体装置包括：第一输出晶体管及第二输出晶体管，其构成为被连接在第一端子与第二端子之间；有源钳位电路，其构成为与所述第一输出晶体管的第一控制端子连接，从而将在所述第一端子与所述第二端子之间出现的端子间电压限制为钳位电压以下；第一可变电阻部，其被设置在构成为被供给控制信号的节点与所述第一控制端子之间；第二可变电阻部，其被设置在所述节点与所述第二输出晶体管的第二控制端子之间；断开电路，其构成为被连接于所述第二可变电阻部与所述第二控制端子的连接节点，从而能够将所述第二输出晶体管断开。
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