公开(公告)号：CN1422728A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02156111.7

申请日：2002-12-02

申请人： 土肥俊郎 ,  不二越机械工业株式会社

发明人： 土肥俊郎

IPC分类号： B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B37/04 ,  B24B41/047

摘要： 本发明的研磨机可以改变施加于工件的压力,并且易于形成最佳研磨条件。研磨机包括:一压力容器,该压力容器可以升高和降低内部压力；一研磨板,该研磨板设置在压力容器中；一设置在研磨板上的加压板,该加压板将工件压在研磨板上；一驱动单元,该驱动单元相对于加压板移动研磨板,以便研磨工件；以及一与压力容器相连的压力源,该压力源升高或降低压力容器的内部压力。

公开(公告)号：CN1341277A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

发明人： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC分类号： H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

摘要： 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。

公开(公告)号：CN1072699C

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN96121008.7

申请日：1996-11-13

申请人： 东芝株式会社

发明人： 宫下直人 ,  安部正泰 ,  下村玛丽子

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32

摘要： 一种对晶片作抛光处理时所用的抛光速率大的抛光剂以及在由CMP方法对半导体基片的被抛光膜作平坦化处理时用的抛光剂。本发明的抛光剂为其中分散有选自氮化硅、碳化硅及石墨(碳)的一种材料的研磨粒子的抛光剂。该研磨粒子的一次粒径以0.01-1000nm为宜，其二次粒径以60-300nm为宜；且具有很高的硬度。本发明的抛光剂，其抛光速率大于分散有已知的研磨粒子的抛光剂，且对被抛光膜的平坦化效率高。适用于以CMP法对半导体基片的表面作抛光研磨处理。

公开(公告)号：CN1289628A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00129033.9

申请日：2000-09-27

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 詹姆斯·F·瓦尼尔

IPC分类号： B01D29/01 ,  B01D29/075 ,  B01D29/86 ,  B01D29/72 ,  B01D35/02 ,  B24B57/00

CPC分类号： B24B57/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/31053

摘要： 超声驱动器(105)用于使过滤盘(103)在超声频率下振动。振动用于将聚结破碎成能通过过滤盘(103)的较小片。控制能量,使颗粒破碎时给予颗粒的平移能量最小防止再聚结。振动频率和幅度控制为在没有能量气蚀或低能量气蚀的情况下工作。

公开(公告)号：CN1247382A

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：CN99118101.8

申请日：1999-08-18

申请人： 琳得科株式会社 ,  东芝株式会社

发明人： 高桥和弘 ,  江部和义 ,  田久真也

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B7/22

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B24B37/04 ,  C08L33/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/243 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809

摘要： 一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片,此工艺包括:在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽,槽的切割深度小于晶片的厚度;以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片,该表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层,该压敏粘合剂层的弹性模量在40℃下至少为1.0×105帕。此表面保护片适用于以高产率生产极薄的IC芯片的工艺。

公开(公告)号：CN1195595A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN98106465.5

申请日：1998-02-20

申请人： 艾伯特·胡 ,  伯福德·J·弗曼 ,  穆罕穆德·阿布沙班

发明人： 艾伯特·胡 ,  伯福德·J·弗曼 ,  穆罕穆德·阿布沙班

IPC分类号： B24B7/00 ,  B24B21/04

CPC分类号： B24B21/12 ,  B24B21/06 ,  B24B37/04 ,  G11B5/84 ,  G11B5/8404

摘要： 本发明涉及晶片、平板显示器(FPP)和硬驱动盘(HDD)的化学机械平面化(CMP)的设备和方法。优选设备包括相对于地面以垂直方向空间定位的环形皮带。抛光垫粘到该皮带的外表面上。皮带的内表面具有多个晶片支架。电机用于驱动环形皮带在两皮带轮上运转。调节装置用于调节皮带的张力和位置。该新型CMP设备能多方位地进行安装,从而节省制造空间。

公开(公告)号：CN1165727A

公开(公告)日：1997-11-26

申请号：CN97103428.1

申请日：1997-02-28

申请人： 冲电气工业株式会社

发明人： 下川公明

IPC分类号： B24B39/06

CPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/04

摘要： 用一个修整盘来修整抛光垫，修整盘的温度在化学—机械抛光(CMP)过程中是受到控制的。修整时抛光垫的保持不变，因此可以实现均衡的化学—机械抛光。

公开(公告)号：CN1161998A

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：CN96121008.7

申请日：1996-11-13

申请人： 东芝株式会社

发明人： 宫下直人 ,  安部正泰 ,  下村玛丽子

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32

摘要： 一种对晶片作抛光处理时所用的抛光速率大的抛光剂以及在由CMP方法对半导体基片的被抛光膜作平坦化处理时用的抛光剂。本发明的抛光剂为其中分散有选自氮化硅、碳化硅及石墨(碳)的一种材料的研磨粒子的抛光剂。该研磨粒子的一次粒径以0.01-1000nm为宜，其二次粒径以60-300nm为宜；且具有很高的硬度。本发明的抛光剂，其抛光速率大于分散有已知的研磨粒子的抛光剂，且对被抛光膜的平坦化效率高。适用于以CMP法对半导体基片的表面作抛光研磨处理。

公开(公告)号：CN1156326A

公开(公告)日：1997-08-06

申请号：CN96114541.2

申请日：1996-11-12

申请人： 东芝株式会社

发明人： 宫下直人 ,  安部正泰 ,  下村麻里子

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32 ,  Y10S438/97

摘要： 本发明提供一种研磨方法和半导体装置制造方法及半导体制造装置，其特征在于，使用散布从氮化硅、碳化硅及碳(石墨)中选择一种材料构成的研磨粒子的研磨剂进行研磨。该研磨剂适用于CMP。在半导体基片上形成与研磨剂相同材料的止磨膜，在研磨剂与止磨膜材料相同的状态下研磨，提高了磨削速度。研磨剂和分散剂分别同时供给加工点，并在加工点上两者混为一体，故研磨剂不会变质。

公开(公告)号：CN1127006A

公开(公告)日：1996-07-17

申请号：CN94192735.0

申请日：1994-11-09

申请人： 旭化成工业株式会社

发明人： 羽根俊兴 ,  小池尚生

IPC分类号： C08J9/12

CPC分类号： B24D18/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/24 ,  B24D11/00 ,  B24D13/14 ,  C08J9/122 ,  C08J9/127 ,  C08J9/144 ,  C08J9/149 ,  C08J9/18 ,  C08J9/28 ,  C08J2201/03 ,  C08J2201/032 ,  C08J2201/0502 ,  C08J2203/142 ,  C08J2205/052 ,  C08J2323/02 ,  C08J2327/12

摘要： 本发明涉及一种包含热塑性氟树脂的发泡体，它不具有交联结构及具有4倍至30倍的膨胀率和40％或40％以上的闭孔百分率，该发泡体包括至少一个包含不同泡孔密度的层的界面，在各层的任意切面所存在的开孔的最大直径的分布指数(Sc)和偏差系数(Cv)分别为0＜Sc≤6和0＜Cv≤1，它们由以下等式表示：Sc＝(Lmax，-Lmin.)/Lav. (1)Cv+SD/Lav. (2)其中Lmax.、Lmin.和Lav.分别表示开孔的最大直径的最大、最小和平均值，SD表示标准偏差。该发泡体不会引起边缘晦暗的现象，长期显示出稳定的磨光性能，并具有优异的机械强度如撕裂强度和压缩强度，在压缩发泡体前后的恒定的介电常数，以及优异的耐电压性，所以，该发泡体十分理想地用于各种应用，例如硅单晶片、化合物半导体晶片、液晶用玻璃基板、液晶用滤色器等电子材料用的磨光布、软垫片、电绝缘带、电线包覆材料，帐篷用织物，膜结构建筑物的屋面材料和绝热管。