存储器仲裁电路系统中的亚稳态预测及避免

    公开(公告)号:CN104376870A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410397457.0

    申请日:2014-08-13

    发明人: D·刘易斯

    IPC分类号: G11C11/413

    CPC分类号: G06F1/08 G11C7/1075 G11C7/222

    摘要: 本发明提供了一种具有危害预测和预防电路系统的集成电路。危害预测电路系统可预测在两个周期信号之间的未来危害状况,并且危害预防电路系统可选择性地延迟两个周期信号中的至少一个,以避免预测的危害状况。使用仲裁电路,单端口存储器单元可提供多端口存储器功能,其中仲裁电路包括危害预测和预防电路系统并且从至少两个请求生成器中接收存储器访问请求。仲裁电路可以以同步模式操作,并且基于预定的逻辑表执行端口选择。仲裁电路也可以以异步模式操作,并且仲裁电路一接收到存储器访问请求就将其执行。用危害预测和预防电路系统可避免通过从至少两个请求生成器中同时接收存储器访问请求而导致的亚稳态。

    一种数据读写方法和存储设备

    公开(公告)号:CN102436427B

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201110348281.6

    申请日:2011-11-07

    发明人: 吕晖 熊涛

    IPC分类号: G06F13/16 G06F12/02

    摘要: 本发明公开了一种数据读写方法和存储设备,属于存储器领域。包括:根据欲实现的伪双口/双口存储器的容量规格M×W以及单口存储器的数量N+1,确定单口存储器的容量规格、以及主存储器查找表和备用存储器查找表,以M/N个存储单元为单位,将主存储器和备用存储器查找表中每一个单位对应的存储单元初始化为不同的值,分别用于指示不同的单口存储器;当同时有读操作和写操作,并且读和写地址在主存储器查找表中对应的值相等时,从主存储器查找表的读地址指示的有效的单口存储器读取数据,往备用存储器查找表的写地址指示的备用的单口存储器写入数据,标识写地址的有效数据和空闲数据所在的单口存储器。本发明通过上述方案,大幅度地减少了存储器的面积。

    串行连接的装置中的独立的写和读控制

    公开(公告)号:CN103988262A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201280060340.2

    申请日:2012-12-06

    发明人: 潘弘柏

    IPC分类号: G11C7/10 G11C16/06

    摘要: 一种存储装置,包括第一控制输入端口、第二控制输入端口、第三控制输入端口、数据输入端口、数据输出端口、内部存储器和控制电路。控制电路响应于第一控制输入端口上的控制信号,经由数据输入端口捕获命令和地址信息。当命令是读命令时,控制电路还响应于第二控制输入端口上的读控制信号,将与地址信息相关联的数据从内部存储器传输到数据输出端口上。当命令是写命令时,控制电路响应于第三控制输入端口上的写控制信号,在与地址信息相关联的位置处将经由数据输入端口捕获的数据写入内部存储器。

    存储器仲裁电路
    67.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102999455A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210331469.4

    申请日:2012-09-07

    IPC分类号: G06F13/18

    CPC分类号: G11C7/1075

    摘要: 本发明提供一种具有存储器单元的集成电路。该存储器单元可以是用于提供多端口存储器功能的单端口存储器单元。该集成电路可以包括仲裁电路,该仲裁电路可操作用于从至少第一请求产生器和第二请求产生器接收存储器存取请求。该仲裁电路可以配置为在同步模式和异步模式下操作。在同步模式下操作的仲裁电路可以基于预定的逻辑表进行端口选择。在异步模式下操作的仲裁电路可以在存储器请求被仲裁电路接收到时立即执行存储器请求。在当前存储器存取被进行时接收的请求可以被挂起直至当前存储器存取完成为止。

    半导体存储装置和包括该半导体存储装置的数据处理系统

    公开(公告)号:CN101483061B

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN200910002614.2

    申请日:2009-01-09

    发明人: 松井义德

    IPC分类号: G11C7/10 G11C8/12 G06F13/16

    CPC分类号: G11C7/1075

    摘要: 本发明提供一种半导体存储装置和包括该半导体存储装置的数据处理系统。一种半导体装置,包括多个存储单元阵列、多个端口、多个内部地址生成电路以及控制器。多个内部地址生成电路可以生成多个存储单元阵列的第一和第二存储单元阵列的第一和第二内部地址。第一内部地址可以指定第一存储单元阵列的第一区域。第二内部地址可以指定第二存储单元阵列的第二区域。控制器从第一区域按顺序地读出一系列数据,并且将该读出的系列数据按顺序地写入至第二区域而不将该读出的系列数据传输至多个端口。