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公开(公告)号：CN117118422A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311210322.4
申请日：2023-09-19
申请人： 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/10 , H03F3/21
摘要： 本申请公开了一种电源选择开关电路、芯片及射频前端模组，其中，电源选择开关电路包括电源选择开关和升压电路，电源选择开关为N型场效应管，其漏极用于接收电源电压，源极用于连接功率放大器，并在导通时通过电源电压为功率放大器供电；升压电路的输入端用于接收电源电压，输出端连接N型场效应管的栅极，升压电路用于将接收的电源电压抬升预设幅值后输出；预设幅值大于N型场效应管的导通阈值电压，且小于N型场效应管的耐压值的1.1倍。本申请采用N型场效应管作为电源选择开关，具有较小的寄生电容，通过升压电路控制N型场效应管的栅漏极电压差在预设范围内，使N型场效应管具有很小的导通电阻，从而同时满足小导通电阻和小寄生电容的需求。
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公开(公告)号：CN116846374A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310714126.4
申请日：2023-06-15
申请人： 成都芯源系统有限公司
摘要： 公开了一种栅极驱动器，用于驱动常通型器件和常闭型器件，所述常通型器件与常闭型器件串联耦接。栅极驱动器包括第一驱动器、第二驱动器和欠压检测器。第一驱动器根据PWM信号控制常通型器件，在正常工作状态下控制常闭型器件维持在开通状态。第二驱动器用于控制常闭型器件。若用于第一驱动器的负向电源电压、第二驱动器的正向电源电压以及输入电源电压中的任一电压被检测到处于欠压状态，第二驱动器控制常闭型器件关断。该栅极驱动器可提高开关性能并减小开通电阻，同时可避免常闭型器件承受较高电压应力。
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公开(公告)号：CN116707502A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310979776.1
申请日：2023-08-07
申请人： 杭州云镓半导体科技有限公司
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/081 , H03K17/56
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种氮化镓高压器件。包括：增强型GaN HEMT器件，衬底电压控制电路；其中，增强型GaN HEMT器件的栅极、漏极、源极分别为氮化镓高压器件的栅极、漏极、源极，增强型GaN HEMT器件的衬底与衬底电压控制电路的第一端电气连接。当氮化镓高压器件的栅极电压大于增强型GaN HEMT器件的阈值电压时，增强型GaN HEMT器件的衬底接地，降低增强型GaN HEMT器件的表面电场使得氮化镓高压器件的动态特性良好。当氮化镓高压器件的栅极电压小于阈值电压时，增强型GaN HEMT器件的衬底浮空，使得增强型GaN HEMT器件的衬底电压钳位将增强型GaN HEMT器件的衬底衬底电位钳位在某个高电压，提升关断状态下的击穿电压。
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公开(公告)号：CN116470900A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310491044.8
申请日：2023-04-28
申请人： 深圳昂瑞微电子技术有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/10 , H03K17/08
摘要： 本发明提供了一种射频开关电路，包括：N个串联堆叠的射频开关单元电路，其中N是大于1的整数，控制电路，其被配置为向射频开关单元电路提供控制电压，以使其处于不同的操作状态，其中，所述射频开关单元电路包括并联连接的第一开关支路、第二开关支路和第三开关支路，所述第一开关支路被配置为主要射频通路，所述第二开关支路被配置作为正向耐压补偿电路，以及所述第三开关支路被配置为反向耐压补偿电路。
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公开(公告)号：CN116366046A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211731081.3
申请日：2022-12-30
申请人： 深圳市芯波微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/14 , H03K17/10
摘要： 本申请涉及一种场效应晶体管控制电路及电子设备，设置有与第一场效应晶体管匹配的第二场效应晶体管，通过放大电路连接到第二场效应晶体管，采集第二场效应晶体管运行时的电流并经过电流镜电路传输到背栅电压调节电路。最终，背栅电压调节电路结合所检测到流经第二场效应晶体管的电流，调整第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的背栅电压，进而实现第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的带宽调节，使得第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以足够高的带宽运行，提高场效应晶体管的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN115987258A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211678450.7
申请日：2022-12-26
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种奥式阈值开关型选通管的重置方法，属于微纳米电子技术领域，包括：当奥式阈值开关型选通管的电阻值低于奥式阈值开关型选通管处于正常状态时的最小电阻值Rlow时，对奥式阈值开关型选通管施加具有阶梯式递增幅值的序列电压脉冲，以对奥式阈值开关型选通管进行重置，从而使因操作次数的不断累加而导致开关性能发生退化甚至完全失去开关性能的选通管重新具备正常的阈值开关性能，进而抑制存储阵列中的漏电流，降低存储阵列的功耗。
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公开(公告)号：CN115800976A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310076480.9
申请日：2023-02-08
申请人： 鲁欧智造(山东)高端装备科技有限公司
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/687 , G01R1/00 , H03K17/08
摘要： 本申请公开了一种高速大电流切换电路及其实现方法，属于半导体测量技术领域，包括电脑与单片机通讯电路、单片机外围电路、MOS半导体管控制电路和大电流切换电路，本发明采用先进的MOS半导体管作为测试大电流变换的载体，克服了原来一些电路在测试大电流切换时，电流不稳定、变换速度慢和容易发热的缺点，通过电脑和单片机的通讯电路控制，能精确稳定的实现大电流测试时的循环切换。
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公开(公告)号：CN115776297A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211473673.X
申请日：2022-11-22
申请人： 无锡中微爱芯电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/10 , H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路；包括有控制逻辑电路，高边栅极控制模块、低边栅极控制模块，电源模块和振荡器模块；所述控制逻辑电路分别与所述高边栅极控制模块和所述低边栅极控制模块电性连接；所述高边栅极控制模块和所述低边栅极控制模块上共同电性连接有功率管模块；所述电源模块给所述高边栅极控制模块供电；所述振荡器模块给所述高边栅极控制模块和所述低边栅极控制模块提供时钟信号。本发明能在较宽的电源电压范围内工作；同时泵电路只在其所控制的功率管需要导通时才工作，功耗大大降低。
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公开(公告)号：CN114766079A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202080084486.5
申请日：2020-12-01
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 提供一种用于操控至少一个待开关的功率晶体管(T1，T2)的方法。所述方法包括：将供给电压(Vsup)施加到第一功率晶体管(T1)上；用栅极充电电流(Ig)给所述第一功率晶体管(T1)充电；响应于所述栅极充电电流(Ig)地求取所述第一功率晶体管(T1)的开关相关的晶体管参数；根据所述第一功率晶体管(T1)的所求取的晶体管参数匹配用于开关所述第一功率晶体管(T1)的操控配置文件；以及根据经匹配的操控配置文件操控所述第一功率晶体管(T1)。此外，提供一种用于操控至少一个待开关的功率晶体管(T1，T2)的操控电路。
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公开(公告)号：CN109004915B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810577368.2
申请日：2018-06-06
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 关健太
IPC分类号： H03H11/28 , H03K17/10 , H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种双向开关电路，具备：FET群，包含串联连接的L级(L为3以上的整数)的FET，控制FET群的一端与另一端之间的双向的信号的导通；以及多个电容元件，FET群包含最靠近一端的第一FET和最靠近另一端的第二FET，多个电容元件具备：第一电容元件组，包含从第一FET起依次与各FET并联连接的M级(M为1以上且小于L的整数)的电容元件；以及第二电容元件组，包含从第二FET起依次与各FET并联连接的N级(N为1以上且L‑M以下的整数)的电容元件，在第一电容元件组包含的电容元件中，越是靠近一端的电容元件，其电容值越大，在第二电容元件组包含的电容元件中，越是靠近另一端的电容元件，其电容值越大。
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