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公开(公告)号：CN115799146A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310044371.9
申请日：2023-01-30
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明实施例公开了一种光学对位系统。该光学对位系统用于将对置的两个晶片进行对准，包括对准检测光路；对准检测光路包括第一通道、第二通道和第一成像光路，第一通道和第二通道共用第一成像光路，第一通道和第二通道的出光光路相互背离。本发明实施例针对倒装芯片键合技术，提供了一种新型的、高分辨的光学布局，可以有效减少光学对位过程中的累积误差和重复定位误差，提升了键合前的对位精度，此外，改变光源的出光方向和光学元件的应用位置，还缩小了光学对位系统的设备体积，提高了光学对位系统的集成度。
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公开(公告)号：CN115058765A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210551939.1
申请日：2022-05-18
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板得到高质量晶锭；(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；(3)端面与支撑基板键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板。本发明提供的制造方法直接在晶锭的端面进行薄层转移，无需加工晶锭的外周，减少了晶锭切片的工序，提高了效率；而且，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至晶锭耗尽，单晶材料的损耗大大减少，降低了碳化硅复合基板的制造成本。
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公开(公告)号：CN114937649A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210677352.5
申请日：2022-06-15
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种半导体可拆卸基板结构、可拆卸方法和用途，所述可拆卸基板结构包括可拆卸支撑基板和半导体基板，所述可拆卸支撑基板与半导体基板接触的一侧表面设置有至少一个凸起部，所述凸起部之间形成气体流道，所述凸起部与半导体基板接触侧表面进行平坦化处理。本发明通过设置凸起部与半导体基板接触侧，利用分子粘附进行接合固定，进一步地，通过利用气体通道通入氧化气体，将可拆卸基板表面进行氧化，去除氧化膜后即可完成拆卸，能够实现高温下半导体制备，具有结构简单、便于安装拆卸等特点。
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公开(公告)号：CN114664928A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210389402.X
申请日：2022-04-13
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L21/04 , H01L21/683 , H01L21/329 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种可拆卸基板及其制备方法和应用，所述可拆卸基板包括依次连接的第一基板、金属层以及第二基板，所述第一基板和所述第二基板包括至少一层碳化硅层，所述碳化硅层设置于所述金属层一侧，和/或所述第一基板和/或所述第二基板的材质为碳化硅。所述可拆卸基板在使用时基板与支撑层的结合牢固，使用后仅通过加热和简单的能量施加即可实现拆卸，操作简便，易于进行工业化应用。
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公开(公告)号：CN114481317A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210102342.9
申请日：2022-01-27
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法，该制造碳化硅晶体的装置包括壳体、坩埚组件、籽晶组件、加热件和石墨件，壳体限定出容纳腔，坩埚组件包括石墨坩埚和设在石墨坩埚内的非石墨坩埚，非石墨坩埚用于承载助溶剂溶液，籽晶组件可升降配合在壳体内，且籽晶组件的一端伸入坩埚组件内，籽晶组件用于承载碳化硅晶体，加热件设在容纳腔内且环绕坩埚组件设置，石墨件可升降地配合在壳体内，石墨件的一端浸入助溶剂溶液内。该制造碳化硅晶体的装置能够降低碳化硅晶体的制造成本，延长纯石墨坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114411236A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210124257.2
申请日：2022-02-10
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
IPC分类号： C30B9/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , G06F30/28 , G16C20/70 , G16C60/00 , G06F111/06 , G06F113/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。
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公开(公告)号：CN114318286A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210100410.8
申请日：2022-01-27
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及复合基板的制备技术领域，公开一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法。其中复合基板的制备装置包括：物理气相沉积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件，移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本发明公开的复合基板的制备装置，具有稳定性好、材料的利用率高及成品率高的特点。
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公开(公告)号：CN219099384U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202220776151.6
申请日：2022-04-06
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长装置，所述碳化硅晶体生长装置包括腔室和设置于所述腔室内部的石墨坩埚、石墨托、隔热箱、升降旋转组件和加热组件；所述升降旋转组件包括晶杆和坩埚托；所述晶杆贯穿于所述隔热箱和腔室的顶部并固定连接于所述石墨托；所述坩埚托贯穿于所述隔热箱和腔室的底部并固定连接于所述石墨坩埚；所述加热组件包括第一加热器和第二加热器；所述第一加热器设置于所述隔热箱和腔室的侧壁之间区域；所述第二加热器设置于所述石墨坩埚和隔热箱的底部之间区域；所述石墨坩埚和坩埚托分别与所述第二加热器之间呈现非直接接触。本实用新型提供的装置补偿了坩埚内壁的底部中央区域温度，改善了籽晶处的晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN217306510U
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202220857157.6
申请日：2022-04-13
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L21/04 , H01L21/683 , H01L21/329 , H01L21/336
摘要： 本实用新型提供一种可拆卸基板，所述可拆卸基板包括依次连接的第一基板、金属层以及第二基板，所述第一基板和所述第二基板包括至少一层碳化硅层，所述碳化硅层设置于所述金属层一侧，和/或所述第一基板和/或所述第二基板为碳化硅基板。所述可拆卸基板在使用时基板与支撑层的结合牢固，使用后仅通过加热和简单的能量施加即可实现拆卸，操作简便，易于进行工业化应用。
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公开(公告)号：CN215680607U
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202121722381.6
申请日：2021-07-27
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种复合半导体衬底，包括：高掺杂SiC基底，用于降低电流损耗；低掺杂SiC转移层，用于作为SiC外延层的生长基底；键合界面层，设置在所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层之间，用于键合所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层。本实用新型通过采用基于键合剥离转移技术的高掺杂‑低掺杂复合半导体衬底，在能够使用高掺杂的SiC基底材料降低器件导通损耗的前提下，通过在高掺杂SiC基底材料上方引入低掺杂SiC转移层，解决了传统高掺杂SiC衬底在生长外延时难以控制SiC外延层掺杂浓度的弊端。
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