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公开(公告)号：CN102629543A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110303446.8
申请日：2011-10-09
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/31711
Abstract: 本发明提供离子注入方法和离子注入装置。该离子注入方法可以不受在基板面内形成的不均匀剂量分布的形状的限制，使作为不希望具有的剂量分布的过渡区域变小，并且可以缩短离子注入处理所需要的时间。该离子注入方法通过改变离子束(3)和基板(11)的相对位置关系，向基板(11)注入离子。而且，按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，该第一离子注入处理在基板(11)上形成均匀的剂量分布，该第二离子注入处理在基板(11)上形成不均匀的剂量分布，并且在进行第二离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸比在进行第一离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸小。
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公开(公告)号：CN102376513A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110137140.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 松本武
Abstract: 本发明提供一种离子源电极的清洗方法，可以在构成离子源引出电极系统的电极的广阔区域上高速去除堆积物。代替向离子源(2)的等离子体生成部(4)中导入可电离气体并引出离子束，向构成引出电极系统(10)的第一电极(11)和第二电极(12)之间供给清洗用气体(48)，在将第一电极(11)和第二电极(12)之间的气压保持在高于离子束引出时的气压的状态下，从辉光放电用电源(60)向第一电极(11)和第二电极(12)之间施加电压，在两电极(11)、(12)之间使清洗用气体(48)产生辉光放电(80)。
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公开(公告)号：CN101162679B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200710180290.2
申请日：2007-10-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在X方向上弯曲离子束的主磁场。每一个外线圈是马鞍形线圈，其产生校正主磁场的次磁场。每一个线圈具有凹槽部分位于扇形圆柱形叠层线圈中的结构，所述叠层线圈配置如下：在迭片绝缘体的外围表面上缠绕绝缘片和导体片的迭片多匝；以及在外围表面上形成迭片绝缘体。
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公开(公告)号：CN102237245A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010528640.1
申请日：2010-11-01
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠，在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中，能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布，按照预先决定的顺序，调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布，使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后，根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差，设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布，调整第m个束电流密度分布，使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内。
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公开(公告)号：CN101742809A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910205161.3
申请日：2009-10-16
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32678 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J2237/0041
Abstract: 本发明提供了一种等离子体生成设备，该等离子体生成设备包括：天线腔室，其被邻近于生成等离子体的等离子体腔室放置，并被排气为真空；天线，其被放置在天线腔室中，并放射高频波；分隔板，其由绝缘体制成，并将等离子体腔室与天线腔室分隔以阻挡气体进入天线腔室，并且允许从天线放射的高频波穿过分隔板；以及磁体装置，其放置在等离子体腔室外部，并在等离子体腔室中生成磁场以引起电子回旋共振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101510506A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910004114.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 日野雅泰
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/20 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/20235 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供了一种离子注入方法及设备。使用离子束的束电流、到基板的剂量、以及被设置为1的基板的扫描次数的初始值，计算基板的扫描速度。如果扫描速度处于范围之内，则将当前的扫描次数和当前的扫描速度分别设置为实际的扫描次数和实际的扫描速度。如果扫描速度高于范围的上限，则中断计算处理。如果扫描速度低于范围的下限，则以1递增扫描次数以计算校正的扫描次数。通过使用校正的扫描次数等等计算校正的扫描速度。重复以上步骤直到校正的扫描速度处于容许的扫描速度范围之内。
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公开(公告)号：CN101467228A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021880.9
申请日：2007-06-12
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701
Abstract: 一种具有场发射电子源(10)的离子辐射装置，其中，所述场发射电子源(10)设置在离子束(2)的路径的附近并且发射电子(12)。场发射电子源(10)以一个方向设置，沿着该方向，由从电子源(10)发射的电子(12)与平行于离子束(2)的行进方向的方向所形成的入射角处于－15度至+45度的范围内(离子束(2)的内向方向是“+”，以及其外向方向是“－”)。
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公开(公告)号：CN101162679A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180290.2
申请日：2007-10-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在X方向上弯曲离子束的主磁场。每一个外线圈是马鞍形线圈，其产生校正主磁场的次磁场。每一个线圈具有凹槽部分位于扇形圆柱形叠层线圈中的结构，所述叠层线圈配置如下：在迭片绝缘体的外围表面上缠绕绝缘片和导体片的迭片多匝；以及在外围表面上形成迭片绝缘体。
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公开(公告)号：CN119069327A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410296076.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供离子注入装置以及离子注入方法，对装置各部分的控制进行优化，对晶片以所希望的角度高精度地实现离子注入处理。离子注入装置(IM)具备：角度测量器(11、12、60、70、80)，在与离子束(IB)的行进方向相互正交的第一方向和第二方向上测量离子束(IB)的角度；角度修正器(7)，配置在射束线上，根据角度测量器的测量结果，修正第一方向上的离子束的角度；晶片保持装置(9)，在处理室(8)保持晶片(W)；倾斜机构(L)，与晶片保持装置(9)连结，使晶片(W)绕与第一方向平行的旋转轴旋转；控制装置(C2)，根据第二方向上的离子束的角度信息(V)、晶片(W)的晶轴信息(M)和注入配方信息(R)，控制倾斜机构(L)。
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公开(公告)号：CN118712041A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202311167357.4
申请日：2023-09-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体源，能够调整通过腔室内的磁通的方向。等离子体源具备：腔室(10)，生成等离子体；阴极(20)，设置于腔室(10)，发射电子；以及电磁铁(30)，设置在腔室(10)的周围，使磁通通过腔室(10)内，电磁铁(30)具有线圈(C)、以及使通过对线圈(C)通电而产生的磁通到达腔室(10)内的多个磁通通过部件(30x)，至少一个磁通通过部件(30x)的使用方式能够变更。
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