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公开(公告)号：CN108642463A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810560590.1
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/08 , C23C14/185 , C23C14/5806 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/1884
摘要： 本发明公开一种用于太阳能电池前电极复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；采用磁控溅射设备，以Al2O3靶、ZnO靶与Ag靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内；通入工作气体氩气，开启Al2O3靶与ZnO靶，在衬底上溅镀第一AZO薄膜层；开启Ag靶，在第一AZO薄膜层上溅镀Ag层；开启Al2O3靶与ZnO靶，在Ag层上溅镀第二AZO薄膜层，得到三层结构的复合薄膜；加热放置衬底的样品台至400℃，对步骤S5得到的复合薄膜退火处理；利用样品台能够进行加热的特性，对所制备的三层薄膜进行升温退火，达到对Ag层直接进行加热并向非球形Ag纳米颗粒转变的效果，避免了样品取出来再进行加热造成的二次污染。
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公开(公告)号：CN108441836A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810571132.8
申请日：2018-06-05
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种中高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，包括现有金属基底，其特征在于：在金属基底上，从下到上还分别有三层：红外反射层、吸收层和减反射层；所述的红外反射层为Al、Au、Ag或Ni任一种金属的涂层，吸收层自下而上依次包括TiN膜和TiCrN膜，减反射层自下而上依次包括Cr2O3膜、AlN膜和Al2O3膜；采用磁控溅射法进行镀膜。本发明的有益效果：1.本发明制得的涂层，具有吸收效率高、发射率低、热稳定性好的特点；2.太阳光谱吸收率α与发射率ε(T)之比高，适合200℃以上的中高温应用；3.制作工艺简便。
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公开(公告)号：CN108410460A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810560531.4
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： C09K11/67
CPC分类号： C09K11/672
摘要： 本发明公开一种ZnS发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以ZnS靶、Pb靶为靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔体内，ZnS靶采用直流与射频电源，Pb靶采用直流电源，通入氩气，在衬底表面溅镀Zn过量且Pb掺杂的ZnS发光薄膜；采用磁控溅射进行ZnS、Pb共掺杂薄膜的制备，工艺简单，可控性、操作性强；ZnS靶采用直流和射频相结合的电源，进行薄膜的镀制，Pb靶采用直流电源，制备的薄膜致命性高，结晶质量好；通过工艺参数的改变能很好调节薄膜中的Zn和S的比例。
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公开(公告)号：CN108165942A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711456534.5
申请日：2017-12-28
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明涉及一种用于磁控溅射的以气体为掺杂源的供气装置，包括供气环（1），在供气环（1）的内壁（2）上均布一组出气孔（3），在供气环（1）内设有环形腔体，在每个出气孔（3）均与环形腔体连通，在供气环（1）上还连接进气管（4），进气管（4）连接环形腔体，在供气环（1）上还连接吊耳（5）。本发明的优点：本装置克服了现有供气系统中气体分布不均匀，离化程度不高，掺杂量达不到目标值以及不能进行定量分析等缺陷，有效促进掺杂气体源进行离子化，提高了气体的利用率，提高掺杂量，达到有效进行掺杂完成镀膜的目的，同时还能精准进行定量分析，为多元素掺杂磁控溅射的进一步研究开发提供了一个更好的精确方案。
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公开(公告)号：CN108165940A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711415330.7
申请日：2017-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086
摘要： 本发明公开一种Al、Mn共掺杂ZnO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污垢；S2、在磁控溅射设备的溅射腔内设置ZnO靶材、Al2O3靶材与MnO2靶材，三个靶材依次间隔呈弧形分布；S3、清洗后的衬底置于溅射腔内的样品架上，样品架采用可旋转式样品架，使溅射时衬底能够以圆周方式运行，并依次经过三个靶材；S4、当溅射腔内真空度满足要求时，通入溅射气体氩气，在衬底上溅射沉积得到Al、Mn共掺杂ZnO薄膜；设置三个相互独立的靶材，每个靶材的溅射参数可根据需要单独设置，可制备任意掺杂量的Al、Mn共掺杂ZnO薄膜；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材成本。
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公开(公告)号：CN108164159A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711427522.X
申请日：2017-12-26
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种表面色彩可调的低辐射中空玻璃及其制备方法，它包括室内玻璃基片，自室内玻璃基片表面向外依次为低辐射镀膜层、中空层、彩色镀膜层和室外玻璃基片。将镀有低辐射膜层的室内玻璃基片和镀有彩色膜层的室外玻璃基片送入合片胶粘机，将两片玻璃四周用间隔条垫为中空形状，中间植入干燥剂，周边用密封条抹上粘结剂粘结为中空型玻璃，随即送入烘干机烘干后得到成品。本发明结构简单、制造方便、解决了低辐射中空玻璃颜色单一的问题，且与利用着色剂得到的有色玻璃相比，其对低辐射中空玻璃隔热及光学性能的影响也较小等优点。
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公开(公告)号：CN107686972A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710800552.4
申请日：2017-09-07
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 本发明涉及一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：选用0.3-0.5mm的超白玻璃为衬底材料；对衬底材料进行超声波清洗；设置W靶材和C靶材，W靶材和C靶材相交是设置，且两靶材的交点位于样品架处；把清洗后的超白玻璃衬底放置于样品架上；使用Ar离子轰击W、C两靶材，达到清洗和活化靶材的作用；把清洗后的衬底材料放入真空度抽至3.0×10-4—5.0×10-4Pa的溅射腔室内，通入氩气进行预溅射起辉，同时再通入氮气。本发明的优点：W靶材和C靶材独立控制，改变两靶的工艺参数以及氮气量，能够制备出各种高性能的薄膜，其制备工序简单，实验易控制，可根据实际需要制备不同硬度和透过率的薄膜。
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公开(公告)号：CN107611187A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710795754.4
申请日：2017-09-06
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01B5/14
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开一种绒面多层膜透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜与上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜表面设有一组离散分布的球坑，使上ZnO基薄膜表面呈凹凸的织构化结构；上ZnO基薄膜的厚度小于球坑的直径；通过离散分布的球坑，在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构，从而得到高透过率、低电阻率的多层膜透明导电玻璃；制作时，可以先在下ZnO基薄膜表面制备单层离散的聚苯乙烯小球层，然后利用聚苯乙烯小球层作为掩膜，溅射生长上ZnO基薄膜，之后去除聚苯乙烯小球，即在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构；由于聚苯乙烯小球层的直径与浓度可控，因而使得上ZnO基薄膜表面的微结构可控，调节ZnO基薄膜的雾度。
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公开(公告)号：CN107546341A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710796080.X
申请日：2017-09-06
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm；本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜，具有更好的透过率和导电性能；对Ag膜层采用等离子体辐照，使Ag膜层成膜质量更好，整个复合膜系具有更好的透过率和导电性；SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好，不需要金属过渡层，且成本低廉，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105546857A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510876489.3
申请日：2015-12-03
申请人： 凯盛光伏材料有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
CPC分类号： Y02E10/40 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/10 , C23C14/35 , F24S70/20
摘要： 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，包括金属基底，所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构，金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层，TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层，TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层，SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层；采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构，增大了金属基底与膜层之间的附着力，使膜层不易脱落，延长膜系的使用寿命；利用磁控溅射沉积各膜层，TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散，增大整个膜系对太阳光的吸收；利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果；AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能，在高温大气环境下，膜层寿命持久，提高使用寿命。
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