一种场终止型IGBT器件的制造方法

    公开(公告)号:CN103594356B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201310385233.3

    申请日:2013-08-30

    IPC分类号: H01L21/331

    摘要: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法,具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤:选择N型掺杂FZ单晶硅片,厚度根据电压等级确定;从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火,形成厚度15~70um和掺杂浓度2×1013~2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层;腐蚀掉背面保护层,采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛,形成吸杂源;去除正面保护层,在硅片正面进行IGBT元胞区的制作;从硅片背面研磨5~30um厚度的硅衬底,背面再腐蚀~2um厚度,留下厚度10~65um的N型缓冲层作为场终止区;完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10~65um的场终止区,适合1700~6500V场终止型IGBT器件制造。

    一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN103531620B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201310527108.1

    申请日:2013-10-30

    摘要: 本发明涉及半导体器件技术,具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区,在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层;所述N型注入层在有源区包括以下设置方式:所述N型注入层包围P-基区;所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法,本发明中在IGBT设计时引入N型注入层,优化了终端区的设计,降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压,提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下,通过引入N型注入层,优化IGBT芯片各功能区域的比例,提高了IGBT芯片的电流能力。

    一种智能社区能源系统实时优化控制方法

    公开(公告)号:CN103545830B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310365146.1

    申请日:2013-08-20

    IPC分类号: H02J3/28

    摘要: 本发明涉及一种智能社区能源系统实时优化控制方法,该方法包括:控制模块实时获得发电模块的出力信息和当前电力负荷信息,并判断发电模块的出力总数是否大于负荷,若是,则发电模块向储能模块充电,并将冗余电能输出至主网,若否,则控制模块检测蓄电池的当前荷电状态,若蓄电池满足放电条件,则控制蓄电池增加放电出力,判断当前系统能量是否平衡,若是,判断当前系统是否处于峰荷期,若是,则控制蓄电池的放电出力持续增加,若否,判断燃料电池成本是否大于购电成本,若是,控制模块向主网发送购电请求,主网向系统输入电能,若否,控制模块控制燃料电池出力增加。与现有技术相比,本发明提高各能源的利用效率,同时提高系统的稳定性和经济性。

    电网负荷下降调整方法和系统

    公开(公告)号:CN104037771A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410214948.7

    申请日:2014-05-20

    IPC分类号: H02J3/06

    摘要: 本发明公开了一种电网负荷下降调整方法和系统,该方法包括:接收到针对电网下达的负荷下降功率指标后,若电网中的能量输出设备所能提供的功率不能满足负荷下降功率指标,则使用各能量输出设备的功率指标更新负荷下降功率指标得到更新后的负荷下降功率指标;按照控制优先级从高到低的顺序,选取若干可控配电线路作为待控配电线路,使选取出的所有待控配电线路的预估下降功率总和满足更新后的负荷下降功率指标;根据确定出的将所有能量输出设备接入电网的能量输出设备接入控制策略、以及对从各待控配电线路上的可控用电设备中选取出的待控用电设备进行限电控制的用电设备控制策略,对电网进行控制。应用本发明,可以提高负荷下降调整的合理性。