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公开(公告)号：CN102313613B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110223026.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。
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公开(公告)号：CN102214555B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010145284.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗；步骤2：在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对蓝宝石晶片背面进行减薄；步骤5：对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对蓝宝石晶片背面进行中度研磨；步骤7：对蓝宝石晶片背面进行低度研磨；步骤8：对蓝宝石晶片背面进行精细研磨；步骤9：对蓝宝石晶片背面进行抛光；步骤10：对蓝宝石晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后蓝宝石衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
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公开(公告)号：CN101471467B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710303892.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明一种多个子腔体的微带型微波开关，涉及微波开关技术，其含有的多个子单元电路的子腔体结构，提高了微波开关电路的隔离度，可用于任何基于PIN二极管的微带型微波开关电路。本发明有效提高微波开关的隔离度，解决了微带型开关应用在微波频段中难以突破隔离度性能的瓶颈，同时开关电路的插入损耗以及驻波等特性均比较好。
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公开(公告)号：CN102623336A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110030283.0
申请日：2011-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。
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公开(公告)号：CN102542077A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010589028.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102542075A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010578263.2
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于Ansoft HFSS制备微波混合集成电路的方法，包括：确定源、漏阻抗：设计输入输出匹配网络的原型电路；利用Ansoft HFSS进行分段优化设计；对稳定网络的原型电路进行设计；对输入部分电路进行优化设计；将该输出网络与该输入电路仿真data导出到ADS中，与有源器件进行电气互联，判断电路是否在达到所期望的要求，包括增益和稳定性，如果是，设计完成；如果不是，再次对电路进行细调优化，直到达到要求为止。本发明在满足全频段稳定的前提下，实现了微波混合集成电路规定的工作频率、增益和输出功率，同时使微波混合集成电路具有很好的可操作性。
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公开(公告)号：CN101442148B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810239889.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种微带-波导转换探针的阻抗匹配方法，属于电磁场和微波电路技术领域。所述方法包括：根据背靠背微带-波导转换探针结构，设计得到转换探针尺寸；在背靠背微带-波导转换探针结构的中间放置一段微带线；变换微带线的宽度进行计算机仿真，得到转换探针的输入阻抗；利用1/4波长阻抗变换线将输入阻抗匹配到50欧姆。本发明将转换探针本身尺寸的设计与阻抗计算结合起来，即在设计微带-波导转换探针的同时，完成了阻抗匹配设计，极为方便的得到了转换探针的输入阻抗，进而实现匹配电路设计；这种方法操作简单，过程简便，并且简化了匹配电路，提到了阻抗匹配的精确度。
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公开(公告)号：CN102435343A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110259249.0
申请日：2011-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。
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公开(公告)号：CN102339751A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010235058.6
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。
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公开(公告)号：CN102237339A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010162251.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al2O3衬底层之上，与芯片正面需要接地的金属PAD(通常由钛/金金属构成)连通，或者与其他元件进行电气通路的连接，起镀层采用磁控溅射台溅射得到。本发明所采用的背面金属起镀层具有很好的稳定性和可靠性，与正面金属的连通性极高，可以极好地弥补盲孔刻蚀过程所引起的芯片背面的不平整性，为溅射背面起镀层的后续工艺——电镀软金传导层打下良好的基础，并且由此种背面金属起镀层所产生的附加串联电阻较小，对提高电路整体性能起到很大的作用。
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