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公开(公告)号：CN105185846A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510527303.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种PBN型InGaAs红外探测器，属于光电子材料与器件技术领域。解决了现有技术中InGaAs探测器存在较多的暗电流的技术问题，进一步提高了InGaAs探测器的响应范围。该红外探测器，由从上至下依次排列的窗口层、阻挡层、吸收层、缓冲层和衬底组成，其中，阻挡层的材料为禁带宽度大于吸收层和窗口层的禁带宽度，且晶格与吸收层匹配的掺Si的InAlAs材料或者掺Si的InAsP材料，阻挡层的厚度为100-300nm。该红外探测器能够很好的抑制暗电流的产生，且具有高量子效率、低表面复合及更宽的响应范围，能够用于遥感探测。
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公开(公告)号：CN103247709A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310194778.6
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，属于半导体技术领域，解决了现有AlGaN基深紫外探测器响应度低的技术问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)生长AlGaN基深紫外探测器材料；(2)在AlGaN基深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系，所述的金属纳米结构体系由分散的银纳米颗粒或者分散的铝纳米颗粒组成；(3)制备电极，得到AlGaN基深紫外探测器。本发明的方法增强了AlGaN基深紫外探测器的响应度，且工艺简单、成本低廉、应用广泛。
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公开(公告)号：CN101887214B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010228796.8
申请日：2010-07-16
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法，涉及真空镀精细图形镀膜的过程中的掩膜漏板的加工领域，它解决了现有采用化学腐蚀的方法制备金属掩板尺寸误差大，并且在加工过程中金属掩膜漏板容易发生侧腐的问题，本发明方法为：首先选择铁铬合金薄片作为金属掩膜漏板基材，其次对所述的金属基材双面蒸镀不同的金属材料，再次采用光刻方法实现双面精确紫外曝光，最后通过自制的具有选择性腐蚀特性的化学腐蚀液进行腐刻，实现金属掩膜漏板的精细加工。本发明所述的方法能够制备出高精细的图形完整的金属掩膜漏板。本发明适用于精细金属掩膜漏板的制备领域。
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公开(公告)号：CN102280370A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110212298.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L33/00
Abstract: 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，涉及半导体技术领域。它解决了现有在硅衬底上生长的非极性面GaN模板不能用于生长非极性面AlGaN，尤其是在GaN模板上生长高Al组分AlGaN时模板表面存在裂纹且表面不平整的问题，其方法为：选择硅衬底；采用光刻、电子束蒸发以及Lift Off技术获得适合AlN外延生长的图形化掩膜窗口；采用湿法腐蚀技术选择性腐蚀硅衬底，获得与硅表面成一定夹角的硅(111)面；采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长AlN缓冲层；利用高温MOCVD法生长AlN模板。本发明所述方法提高了AlGaN光电子器件的效率提供了途径。
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公开(公告)号：CN102005173A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010603119.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明属于新型平板显示器制造领域，涉及一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，包含FPGA控制单元、行后级集成驱动单元、列后级集成驱动单元、静态数据存储单元和电源模块单元；FPGA控制单元通过单元控制信号访问静态数据存储单元；FPGA控制单元分别对行后级集成驱动单元和列后级集成驱动单元进行控制，行后级集成驱动单元按逐行扫描方式输出负高压脉冲给CNT-FED的阴极，静态数据存储单元中相应的图像数据被送到列后级集成驱动单元产生列驱动高压脉冲给CNT-FED的栅极。由于驱动电路的集成化，使得整个驱动电路简单可靠，同时应用FPGA控制单元控制时序，灵活方便，扩展性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866797A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010228991.0
申请日：2010-07-16
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，涉及场发射显示器件领域，它解决了现有制作场发射阳极屏时存在ITO电极条局部区域绝缘性低而产生干扰亮点，并且ITO层和衬底玻璃表面的视觉反差小，造成ITO条图形不清楚的问题，将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，采用ITO玻璃深化腐蚀液对ITO玻璃进行深化腐蚀；对深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现场发射显示器件阳极屏的制备；ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为：取H2O∶HF＝3∶1的混合液刻蚀ITO条形电极的玻璃衬底，所述HF的浓度为40％的HF的水溶液。本发明适用于场发射器件中套版光刻技术。
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公开(公告)号：CN119533985A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411736515.8
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明涉及微生物检测装置技术领域，尤其涉及一种紫外LED灯珠灭菌效率评估装置及方法。装置包括：灯珠支撑杆垂直安装在载玻片限位平台的边侧，灯珠限位夹具安装在灯珠支撑杆上并与载玻片限位平台水平；凹盘型载玻片放置于载玻片限位平台上；平台支撑腿安装在载玻片限位平台下方；灯珠支撑杆的上端设有刻度高度调节装置，用于调节灯珠支撑杆的高度；灯珠支撑杆的0刻度位置设置固定定位杆；载玻片限位平台上设有辐照度测试孔；灯珠限位夹具上设有夹具限位孔、灯珠限位槽和夹具固定口，通过夹具限位孔套接在灯珠支撑杆上；灯珠限位槽内用于放置测试灯珠。优点在于：减少操作或随机因素的误差；增加紫外灯珠灭活微生物效率评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN119521930A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411651814.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体结合钙钛矿的异质结辐射探测器及其制备方法，属于辐射探测器技术领域。本发明的异质结辐射探测器，包括n型半导体电子传输层；n型侧欧姆电极，固定于n型半导体电子传输层的一侧；本征钙钛矿吸收层，固定于n型半导体电子传输层的另一侧；p型氧化物空穴传输层，固定于本征钙钛矿吸收层上远离n型半导体电子传输层的一侧；p型侧欧姆电极，固定于p型氧化物空穴传输层上远离本征钙钛矿吸收层的一侧。该异质结辐射探测器将钙钛矿材料对高能射线的强吸收能力、传统半导体作为电荷传输层的稳定性、异质结内建电场对电子‑空穴对的分离作用集合于一体，具备高灵敏性、高能量分辨性、高稳定性和便携性。
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公开(公告)号：CN119171902A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411165520.8
申请日：2024-08-23
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H03K19/173 , H03K19/14 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种偏置增强光信号逻辑电路以及光传输逻辑系统，该偏置增强光信号逻辑电路包括N个输入光波导、逻辑电路以及输出光波导，其中，逻辑电路的计算规则对N个输入光波导输入的N个电信号进行逻辑运算得到对应的逻辑运算结果信号；并根据逻辑运算结果信号输出对应的输出光信号，以按照预设的偏置规则将输出光信号的驱动电压进行偏置，使输出至输出光波导的输出光信号的强度高于或等于每一输入光信号，从而解决光电器件作为信号传播单元时，光信号传播衰减导致难以探测的技术问题。
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公开(公告)号：CN118588796A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410774961.1
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/118 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域。本发明提供了一种AlScN宽禁带半导体辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器，吸收层为AlScN吸收层，AlScN吸收层中由于Sc的原子序数较大，使得AlScN吸收层能够有效的吸收辐射能量，AlScN吸收层的引入能够提升宽禁带半导体辐射探测器的能量沉积效率，从而优化探测器器件性能；同时AlScN吸收层的引入能够与外延层形成异质结结构，该结构能通过增大耗尽层宽度提升宽禁带半导体辐射探测器的能量沉积效率，提高能量分辨率；同时AlScN吸收层的引入能够降低半导体表面陷阱电荷密度，外加偏压下，反向泄漏电流降低。
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