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公开(公告)号：CN117476611A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210823262.2
申请日：2022-07-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/522 , H10N97/00
Abstract: 一种电感结构及其形成方法，其中结构包括：位于衬底上且位于电感线圈下方的同心环绕设置的若干第一金属线圈，各第一金属线圈两端分别具有第三连接端和第四连接端，第三连接端和第四连接端互不相接，一个第一金属线圈和一个奇数线圈或偶数线圈分别自第一连接端和第三连接端电互连，自第二连接端和第四连接端电互连；位于电感线圈上方的同心环绕设置的若干第二金属线圈，各第二金属线圈两端分别具有第五连接端和第六连接端，第五连接端和第六连接端互不相接，一个第二金属线圈和一个偶数线圈或奇数线圈分别自第一连接端和第五连接端电互连，自第二连接端和第六连接端电互连，且第一金属线圈与第二金属线圈连接不同匝的电感线圈，提高电感品质因数。
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公开(公告)号：CN117276252A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210655588.9
申请日：2022-06-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种电容器结构，包括：沿第一方向平行排布的第一电极端和第二电极端，第一电极端和第二电极端之间具有第一区和若干第二区；分别与第一电极端连接的若干第三指状极板，第三指状极板位于第二区上；分别与第二电极端连接的若干第四指状极板，第四指状极板位于第二区上。通过增大第三指状极板和第四指状极板的宽度尺寸，使得电容器结构的整体面积增大，以此降低电容器结构的电阻，提升电容器结构的品质因数。另外，通过增大第二区内的第三指状极板和第四指状极板的面积，使得第三指状极板和第四指状极板的电阻减低，降低第三指状极板和第四指状极板上的电压，减小相邻第三指状极板和第四指状极板之间的绝缘层被击穿的风险，提升电容器结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN116417439A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111678885.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种电感结构及电感结构的形成方法，结构包括：衬底，包括隔离区和环绕隔离区的保护环区；位于隔离区上的若干隔离单元，包括：若干第一栅极层及位于第一栅极层两侧的第一金属层；位于保护环区上的若干第二栅极层；位于第二栅极层两侧的第二金属层；位于隔离区上和保护环区上的第一介质层，第一金属层、第一栅极层、第二栅极层和第二金属层位于第一介质层内；位于第一介质层上的第二介质层；位于隔离区上第二介质层上的若干第三金属层；位于保护环区上第二介质层上的保护环结构；位于保护环区第二介质层内的电连接层，电连接层电连接保护环结构和第二金属层。所述结构使线圈结构和衬底之间的耦合电容减少，从而增加电感的品质因数Q。
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公开(公告)号：CN112086429B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910510660.7
申请日：2019-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/64
Abstract: 一种电感结构及其形成方法，包括：基底，所述基底表面具有接地端；位于基底上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括：若干层重叠的屏蔽层，位于最底层的屏蔽层与所述接地端电连接，相邻两层所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括并联线圈组以及包围所述并联线圈组的串联线圈组，所述并联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第一导线，所述串联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第二导线，且每一层所述屏蔽层包括若干线圈区，相邻线圈区内的第一导线相互分立，相邻线圈区内的第二导线相互分立，且每一个线圈区内的若干第一导线并联，每一个线圈区内的若干第二导线串联；位于所述屏蔽结构上的电感层。所述电感结构的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN110310941B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810229794.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的接地环，所述接地环包括对称且绝缘设置的第一部分和第二部分；位于所述半导体衬底表面被所述接地环包围的线形排布的导电部件，所述导电部件包括对称且绝缘设置的第一导电部件和第二导电部件，所述第一导电部件的第一端与所述接地环的第一部分连接，所述第二导电部件的第一端与所述接地环的第二部分连接，所述第一导电部件的第二端与所述第二导电部件的第二端连接至接地线。根据本发明的接地屏蔽结构和半导体器件，显著提高半了导体器件在60GHz以上频率范围内使用时的高频性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310941A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810229794.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的接地环，所述接地环包括对称且绝缘设置的第一部分和第二部分；位于所述半导体衬底表面被所述接地环包围的线形排布的导电部件，所述导电部件包括对称且绝缘设置的第一导电部件和第二导电部件，所述第一导电部件的第一端与所述接地环的第一部分连接，所述第二导电部件的第一端与所述接地环的第二部分连接，所述第一导电部件的第二端与所述第二导电部件的第二端连接至接地线。根据本发明的接地屏蔽结构和半导体器件，显著提高半了导体器件在60GHz以上频率范围内使用时的高频性能。
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公开(公告)号：CN104241242B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310232109.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/19042 , H01L2924/19051 , H01L2924/19104 , H01L2924/00
Abstract: 一种接地屏蔽结构及半导体器件，其中接地屏蔽结构包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述衬底或介质层中的多环导电环，每个导电环具有多个开口，所述开口数大于等于3，每个导电环的多个开口将导电环隔开为多个间隔排列的子导电环；接地环，与所有所述子导电环电连接。使用本发明的接地屏蔽结构，减小了接地屏蔽结构的寄生电容和寄生电阻，降低了位于接地屏蔽结构上的电感在接地屏蔽结构中的能量损耗，提高了电感的品质因数Q值。而且，还减少了多环导电环的材料损耗，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106856142A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510907939.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H01F27/2847 , H01F27/2852 , H01F27/29 , H01F41/00 , H01F41/04 , H01F41/12
Abstract: 一种电感结构及其制作方法，电感结构，包括：底部环状金属层，包括相连接的第一接口、第一金属体层和第二接口；位于底部环状金属层层上方的中间金属层，包括相连接的第三接口、第二金属体层和第四接口，所述第二金属体层从第三接口呈螺旋环状延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋环内，第三接口与第二接口电连接，第四接口作为电感结构的输出端；位于中间金属层层上方的顶部环状金属层，包括相连接的第五接口、第三金属体层和第六接口，所述第六接口与中间金属层的第三接口电连接，所述第五接口与底部环状金属层的第一接口电连接一起作为电感结构的输入端。本发明的电感结构在保证品质因子，减小占据的面积，并保证电感电性的对称性能。
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公开(公告)号：CN104103630B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310113669.7
申请日：2013-04-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。本发明的半导体器件能够提高屏蔽能力、减少衬底损耗，提高半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN103474414B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210184945.4
申请日：2012-06-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，所述电感包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一介质层；位于所述第一介质层表面的第一平面螺旋线圈，所述第一平面螺旋线圈包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线一端连接的内圈金属线，其中，所述内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，所述子金属线的一端分别与最外圈金属线连接；位于所述第一介质层表面的第一接触层，所述最外圈金属线的另一端与所述第一接触层连接。所述电感的品质因数Q提高，性能良好。
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