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公开(公告)号：CN117926350A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410043705.5
申请日：2024-01-11
申请人： 九江德福科技股份有限公司 , 九江德富新能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种可剥离负载体铜箔的生产方法，具体包括以下步骤：S01、电化学沉积载体铜层：在电解生箔机台通过直流电化学沉积在含有添加剂的硫酸铜电解液中通过沉积厚度不低于12μm的载体铜层；S02、剥离层制备：通过化学沉积或电化学沉积的方式在载体铜层的光面生成具有一定厚度的剥离层，本发明涉及电子电路材料加工技术领域。该可剥离负载体铜箔的生产方法，生产流程简化，可以实现可剥离负载体铜箔的一站式生产；成品率提高，从源头上取消了各工序之间的上下卷操作，大幅降低了各工序轮转过程中出现褶皱和报废的风险。
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公开(公告)号：CN117845285A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410016310.6
申请日：2024-01-05
申请人： 九江德福科技股份有限公司 , 九江德富新能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种无透光点的复合铜箔制备方法，具体包括以下步骤：步骤一：将整卷聚合物薄膜放入磁控溅射真空镀膜机内进行真空处理；步骤二：聚合物薄膜经过特殊处理的辊系放卷展开，再在聚合物薄膜双面均磁控溅射一层致密的铜层，使聚合物薄膜金属化；步骤三：将金属化的聚合物薄膜带电入槽在酸性电解液中进行电镀铜沉积，本发明涉及金属材料技术领域。该无透光点的复合铜箔制备方法，最终能得到铜层致密无透光点、性能满足下游应用场景的产品，与市面上现有的制备复合铜箔的方法相比更完善更可靠，更具商业化、产业化价值，能进一步推动锂电池铜箔行业降本步伐，提高动力电池安全性。
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公开(公告)号：CN117286463A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311105066.2
申请日：2023-08-30
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具备较高剥离效率的载体铜箔的制备方法，包括如下步骤：a、真空镀金属打底层；b、离子源辅助溅射沉积剥离层；c、镀金属种子铜层；d、种子铜层加厚及表面处理。本发明利用金属靶材氧化物掺杂比例、离子源辅助溅射沉积功率、剥离层溅射时间及功率的调控，实现载体铜箔极薄铜层与载体的结合力精确调控，确保剥离效果稳定，且该方法生产制备载体铜箔绿色无污染，打破了国外产品技术壁垒，具有重大经济价值与科研价值。
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公开(公告)号：CN117265530A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311144731.9
申请日：2023-09-06
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除复合铜箔透光点的方法，包括以下步骤：a、将高分子聚合物薄膜表面进行电晕，使其表面活化；b、采用真空磁控溅射的方式在高分子聚合物薄膜表面进行溅射金属层，使其表面金属化；c、对已金属化的高分子聚合物薄膜经离子风机进行除静电处理；d、将已除静电的高分子聚合物薄膜浸入有润湿剂的水溶液中，进行润湿处理；e、将经过润湿处理的高分子聚合物薄膜进行电镀沉积铜至指定厚度，得到复合铜箔。本发明制备的复合铜箔，可有效消除复合铜箔的透光点，使复合铜箔表面铜层更加的连续和紧密，有效改善了复合铜箔的导电率，更提高了复合铜箔在锂电池电解液中的稳定性、可靠性和耐久性。
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公开(公告)号：CN117004997A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310657007.X
申请日：2023-06-05
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途，属于电解铜箔技术领域，以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属的问题。该方法包括添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理、零含量铁磁性功能层构建、化学结合层适配与构建。本发明方法生产的超低轮廓电解铜箔具有超低的表面轮廓度、微细粗糙化化组织、特殊形貌粗化组织、不含铁磁性金属含量、稳定的抗剥离性能、出色的信号完整性等典型特征；在加工覆铜板产品时，电解铜箔与树脂基材之间的结合强度也足够。且由于产品不含铁磁性金属含量，作为PCB产品的原料，从根本上消除铁磁性金属对信号传输的不利影响，保证信号的完整性。
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公开(公告)号：CN116609369A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310550157.0
申请日：2023-05-16
申请人： 九江德福科技股份有限公司
IPC分类号： G01N23/203 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01B15/06
摘要： 本发明涉及材料微观分析技术领域，公开了一种铜箔微观晶粒应变的分析方法，包括如下步骤：S1、准备铜箔样品，确定待分析铜箔样品表面为截面；S2、剪取铜箔样品；S3、抛光铜箔样品表面，将铜箔样品放入离子束切割抛光仪，对铜箔样品表面进行抛光；S4、对S3中的抛光后的铜箔样品采用电子背散射衍射分析技术设备进行测试；S5、对S4中得到的测试结果进行图像匹配分析处理，得到样品的内核平均取向差、晶粒取向散布和晶粒参照取向偏差角分布数据。本发明对铜箔进行离子抛光并通过EBSD技术得到了样品的内核平均取向差、晶粒取向散布和晶粒参照取向偏差角分布数据，实现了铜箔材料断裂、翘曲的原因以及晶粒变形情况的可视化。
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公开(公告)号：CN116516424A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310132733.X
申请日：2023-02-17
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种持续性高抗拉电解铜箔的制造方法，属于电解铜箔技术领域，以解决现有电解铜箔的添加剂配方制得的高抗拉强度的电解生箔，其性能无法持续稳定的问题。方法包括电解液的制备、生箔电解。本发明方法制备出的电解铜箔抗拉强度在500MPa以上；且室温放置3天后或高温陈化(210℃，1h)后，抗拉强度也维持在500MPa以上，且可以很好地解决翘曲严重的问题；此外，用于制备该高抗拉铜箔的添加剂配方组成简单、材料易得、成本可控、便于管控，可以大大减少生产风险，提高生产良品率。用于常规的电解中时，工艺参数不用做大幅调整，在现有生产设备的基础上就可以实现优异性能电解铜箔的制造，工业化量产低。
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公开(公告)号：CN116397289A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310531784.X
申请日：2023-05-12
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种电解铜箔表面处理方法，在表面处理粗固化生产过程中产生特殊形貌，铜箔毛面峰顶部及腰部呈“海胆状”粗化组织形貌，每个尖锥状铜瘤由多个小铜瘤堆叠而形成。本发明的特殊表处形貌电解铜箔具备铜箔薄，微观形貌特殊且覆盖面积广，处理面粗糙度较低，足够的抗剥离性能，导体插入损耗低等特点，适用于封装载板和高频高速电路制作。
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公开(公告)号：CN116288544A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310073032.3
申请日：2023-02-06
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于高频高速PCB的超低轮廓铜箔生产方法，属于电解铜箔技术领域，以实现生产的超低轮廓(HVLP)铜箔既能保证信号传输中的完整性，还能保证加工覆铜板CCL产品时的可靠性。方法包括电解超低轮廓毛箔、电化学抛光预处理、添加剂辅助超微细粗化处理及固化处理、电沉积非金属钝化层构建、化学结合层构建。本发明既能降低作为原材料的铜箔表面的粗糙度，还能满足电解铜箔与树脂基材之间的结合强度，所以能产出高质量的CCL，也能确保PCB产品的可靠性与信号传输的完整性。
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公开(公告)号：CN115287714A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211015028.3
申请日：2022-08-23
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种高抗剥离强度和高延伸率电解铜箔的制备方法，包括：采用直流电沉积工艺制备VLP生箔；将VLP生箔进行酸洗预处理，然后在电镀加厚槽引入特殊的添加剂进行电镀铜加厚，在VLP生箔表面形成一层山峰状的铜层，最后进行黑化‑灰化‑钝化处理得到成品铜箔。本发明制备的电解铜箔具有更高的比表面积，以实现铜箔与树脂间具备较高的抗剥离强度；此外由于电镀层加厚时引入特殊的添加剂形成的山峰状铜层增大铜箔表面晶体的结晶尺寸，使得制备的电解铜箔具有较高的延伸率。通过简单的两层铜箔的厚度控制得到想要的粗糙度、力学性能和抗剥离强度，具有很强的灵活性，在印刷电路板行业具有广泛的应用前景。
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