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公开(公告)号：CN118742091A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310345338.X
申请日：2023-03-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/12 , H10K59/00 , H10K10/46 , H10K10/82 , H10K50/86 , H10K59/131 , H10K59/123 , H10K71/00
摘要： 本公开的实施例提供了一种发光晶体管及其驱动和制备方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，用于降低发光晶体管的源极层与漏极层之间发生短路的风险。所述发光晶体管设置于衬底基板上。所述发光晶体管包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的栅极层、第一绝缘层、源极层、阻隔层、发光功能层和漏极层。其中，所述源极层包括第一线栅结构，所述第一线栅结构包括间隔设置的多个第一导电条，所述多个第一导电条相互平行。所述阻隔层覆盖所述多个第一导电条的表面，且所述阻隔层远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板平行。上述发光晶体管用于发光。
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公开(公告)号：CN115084275B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110276323.3
申请日：2021-03-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/146 , H01L27/12 , H01L21/34
摘要： 本申请公开了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板，属于电子技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层后，对有源层以及功能层进行退火处理，功能层中的镧系金属元素扩散至有源层；扩散至有源层中的镧系金属元素可以在有源层中形成陷阱态，有源层受到光照产生的光生电子，可以被该陷阱态捕获，从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题，实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。
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公开(公告)号：CN115012022B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210762284.2
申请日：2022-06-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种基板载具，包括：第一承载板，所述第一承载板上设置有多个第一容纳部；第二承载板，与所述第一承载板相对设置并连接，所述第二承载板上对应于所述第一容纳部的位置设置有第一通孔，所述第二承载板远离所述第一承载板的表面为承载面，用于承托待成膜的基板；多个伸缩结构，所述伸缩结构包括：驱动结构以及与所述驱动结构连接的顶针，所述驱动结构设置在所述第一容纳部中，并配置为驱动所述顶针沿所述第一通孔的轴向升降，以将所述基板顶起或使得所述顶针与所述基板无接触。本公开实施例还提供一种电化学沉积设备。
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公开(公告)号：CN115241319B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210679566.6
申请日：2022-06-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L31/113 , H01L27/146
摘要： 本申请实施例公开一种感光组件和显示装置。在一具体实施方式中，感光组件包括形成在衬底上的至少一个感光单元，感光单元包括光敏晶体管和感测电路，感测电路与光敏晶体管电连接，其中，光敏晶体管包括沟道区和栅极，栅极在衬底上的正投影部分覆盖沟道区在衬底上的正投影。该实施方式通过提供光敏晶体管，并且光敏晶体管的栅极在衬底上的正投影部分覆盖沟道区在衬底上的正投影，光感电流高，感测敏感度高，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113296371B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110552427.2
申请日：2021-05-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明实施例提供了一种曝光方法、装置及电子设备。其中，所述方法包括：获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。可以提高生成的图案的准确性。
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公开(公告)号：CN113138543B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110539741.7
申请日：2021-05-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种自动对焦控制方法、存储介质、控制设备及数字曝光机，所述方法包括：获取前一扫描中各位置的自动对焦控制数据，以及当前扫描中当前位置的自动对焦测量数据；在当前扫描中，利用前一位置的自动对焦控制数据及预测误差、当前位置的自动对焦测量数据及测量误差，得到当前位置的自动对焦控制数据；将当前扫描与前一扫描的控制差异值与DOF进行比较，确定是否对所述当前位置的自动对焦控制数据进行修正，进而最终确定当前位置的自动对焦控制数据；根据最终确定当前位置的自动对焦控制数据控制聚焦平面。减少Autofocus受干扰误差、测量误差的影响，使当前位置的自动对焦控制数据能更准确的体现显示产品的膜层形貌。
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公开(公告)号：CN118284983A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280003913.1
申请日：2022-10-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 本公开提供了一种显示基板，其中，包括：基底；金属导电层，位于基底的一侧，金属导电层包括：沿远离基底方向层叠设置的核心导电层和功能导电层；核心导电层的材料包括：导电用金属材料；功能导电层的材料包括：第一扩散阻挡用金属材料和第一粘附力增强用金属材料，第一扩散阻挡用金属材料配置为阻挡导电用金属材料的扩散，第一粘附力增强用金属材料配置为增强功能导电层与在功能导电层的图案化工艺过程中所使用光刻胶之间的粘附力；任一第一粘附力增强用金属材料的表面能小于或等于325mJ/m2，功能导电层内全部第一粘附力增强用金属材料的原子数百分比之和的范围为5％～60％。本公开实施例还提供了一种显示面板和显示装置。
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公开(公告)号：CN111936862B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201980000277.5
申请日：2019-03-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 一种微流道(100)及其制备方法和操作方法。微流道(100)包括：通道结构，包括允许液体样品流动通过的通道(110)以及围绕通道(110)的通道壁，其中，通道壁包括由电解质材料形成的电解质层(121)，以及位于电解质层(121)远离通道(110)一侧的控制电极层(130)，相对于通道(110)，控制电极层(130)与电解质层(121)重叠。以及制备和操作微流道(100)的方法。
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公开(公告)号：CN117881197A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211210230.1
申请日：2022-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供一种电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。所述碳纳米管薄膜晶体管包括层叠的半导体层和源漏金属层；所述半导体层的材料包括碳纳米管，其包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；所述源漏金属层具有与所述源极接触区连接的源极和与所述漏极接触区连接的漏极；其中，所述源漏金属层具有与所述半导体层表面直接连接的接触层；所述碳纳米管薄膜晶体管的制备方法包括：形成所述接触层，使得所述接触层不含有贵金属且功函数不小于4.65eV。该碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，能够减小碳纳米管薄膜晶体管的制备方法的源漏电极与半导体层之间的空穴势垒。
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公开(公告)号：CN117858518A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410007096.8
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K19/10 , H10K10/46 , H10K10/84 , H10K71/00 , G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，其中的阵列基板包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。本申请的阵列基板具有稳定性高和成本低的优点。
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