公开(公告)号：CN108899362A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810960335.6

申请日：2018-08-22

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 訾彤彤 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，还包括设置于第一导电类型漂移区的第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层位于第一导电类型载流子存储层的正下方且第二导电类型浮空层与第一导电类型载流子存储层邻接；第二导电类型浮空层在第一导电类型漂移区的横向长度不小于第一导电类型载流子存储层在第一导电类型漂移区内的横向长度。在第二导电类型基区两侧对称设置第二导电类型区，且此第二导电类型区与发射极连接。本发明其结构紧凑，能有效提高击穿电压，且有效降低关断损耗，与现有工艺兼容，安全可靠。

公开(公告)号：CN108172507A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711442696.3

申请日：2017-12-27

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李磊 ,  姜梅 ,  许生根 ,  张莉

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

摘要： 本发明涉及一种制备方法，尤其是一种MPS‑FRD器件的加工方法，属于微电子的技术领域。本发明利用了肖特基区场氧阻挡阳极P型杂质离子注入，保护肖特基区场氧下方的半导体基板，通过孔刻蚀一次性刻蚀去除ILD介质层和肖特基区场氧，从而形成MPS‑FRD阳极P‑i‑N和schottky交错的形貌结构，在设置阳极金属层后能与P阱欧姆接触，而与元胞区的半导体基板为肖特基接触，工艺步骤简单，与现有工艺兼容，缩短加工周期，能减少光刻工艺，降低加工成本，提高MPS‑FRD产品品质。

公开(公告)号：CN106783662A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611240226.4

申请日：2016-12-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 程炜涛 ,  许生根 ,  王海军 ,  叶甜春

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L22/14 ,  H01L22/30 ,  H01L23/49562

摘要： 本发明涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架，栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架之间保持一定距离，耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面作为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面；所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架的部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架之外，形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚，栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚形成的平面与贴片平面平行。本发明通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。

公开(公告)号：CN106531812A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201710014443.X

申请日：2017-01-05

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 程炜涛 ,  许生根 ,  王海军 ,  叶甜春

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明涉及一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，它包括P+型阳极区域、N-型轻掺杂区域、N+型阴极区域与高电离率区域，N-型轻掺杂区域的正面为P+型阳极区域，N-型轻掺杂区域的背面为N+型阴极区域；在N-型轻掺杂区域内设有呈阵列排列的高电离率区域，且高电离率区域为矩形，高电离率区域的边沿与N-型轻掺杂区域的边沿呈平行设置。本发明的二极管具有软恢复特性，使用时，反向恢复波形无振荡现象，有效地抑制了快恢复二极管给系统带来的电磁干扰，提供了系统的稳定性。

公开(公告)号：CN209056501U

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201822209965.8

申请日：2018-12-26

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 许生根 ,  陈钱 ,  牛博 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

摘要： 本实用新型涉及一种能提高加工良率的IGBT器件，其包括半导体基板以及元胞区，半导体基板包括第一导电类型漂移区以第二导电类型基区；元胞区包括若干呈并联分布的元胞；发射极多晶硅包括发射极第一多晶硅体以及发射极第二多晶硅体，发射极第一多晶硅体填充在发射极沟槽内，发射极第二多晶硅体位于发射极沟槽的槽口上方，发射极第二多晶硅体的宽度大于发射极第一多晶硅体的宽度，发射极金属层能直接与发射极第二多晶硅体欧姆接触或与发射极第二多晶硅体的侧壁接触，从而能实现发射极金属层与发射极多晶硅的欧姆接触，避免了现有工艺难度较大的制作工艺，降低了IGBT器件的加工难度，提高了IGBT器件的可加工能力，提高了IGBT器件的加工良率。

公开(公告)号：CN208460769U

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201821357767.X

申请日：2018-08-22

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 訾彤彤 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型涉及一种平面栅IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，还包括设置于第一导电类型漂移区的第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层位于第一导电类型载流子存储层的正下方且第二导电类型浮空层与第一导电类型载流子存储层邻接；第二导电类型浮空层在第一导电类型漂移区的横向长度不小于第一导电类型载流子存储层在第一导电类型漂移区内的横向长度。在第二导电类型基区两侧对称设置第二导电类型区，且此第二导电类型区与发射极连接。本实用新型其结构紧凑，能有效提高击穿电压，且有效降低关断损耗，与现有工艺兼容，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207425833U

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201721396897.X

申请日：2017-10-26

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 许生根 ,  张金平 ,  杨晓鸾 ,  姜梅

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/265

摘要： 本实用新型涉及一种用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片，其包括能键合于RC‑IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的RC‑IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC‑IGBT晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC‑IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC‑IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。本实用新型结构紧凑，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。

公开(公告)号：CN208460770U

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201821409259.1

申请日：2018-08-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 杨晓鸾 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型涉及一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。本实用新型结构紧凑，能同时降低导通压降和关断损耗，优化IGBT器件的折衷特性，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208460767U

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201821363702.6

申请日：2018-08-22

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李哲锋 ,  许生根 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

摘要： 本实用新型涉及一种具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，元胞内的两个元胞沟槽之间设置第二导电类型注入区；在第一导电类型外延层的上方设置场氧化层以及包裹于所述场氧化层内的屏蔽栅多晶硅，所述屏蔽栅多晶硅位于第二导电类型注入区的正上方，屏蔽栅多晶硅通过场氧化层与第二导电类型注入区绝缘隔离；在元胞沟槽内填充有控制栅多晶硅，所述控制栅多晶硅通过元胞沟槽内的控制栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离，所述控制栅多晶硅还覆盖在场氧化层上，且控制栅多晶硅与场氧化层内的屏蔽栅多晶硅交叠。本实用新型结构紧凑，提高器件耐压，降低器件的寄生电容，减少开关损耗，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206388710U

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201720012857.4

申请日：2017-01-05

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 程炜涛 ,  许生根 ,  王海军 ,  叶甜春

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型涉及一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，它包括P+型阳极区域、N‑型轻掺杂区域、N+型阴极区域与高电离率区域，N‑型轻掺杂区域的正面为P+型阳极区域，N‑型轻掺杂区域的背面为N+型阴极区域；在N‑型轻掺杂区域内设有呈阵列排列的高电离率区域，且高电离率区域为矩形，高电离率区域的边沿与N‑型轻掺杂区域的边沿呈平行设置。本实用新型的二极管具有软恢复特性，使用时，反向恢复波形无振荡现象，有效地抑制了快恢复二极管给系统带来的电磁干扰，提供了系统的稳定性。