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公开(公告)号：CN101319400A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810024894.2
申请日：2008-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000－1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um－2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900－1150℃温度下通入流量范围分别为0.1－5slm、1－10sccm和15－200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP2Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5－500Torr。
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公开(公告)号：CN101298693A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810019300.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于MOCVD系统的双层气流石英整流罩反应室装置，包括卧式石英管，石英管两端设有金属法兰将石英管两端密封，石英管内设置长方形石英整流罩和基座，基座放置衬底的斜面设置在石英整流罩内，石英整流罩及基座斜面的设置符合MOCVD化学气相反应的流体动力学理想模型。本发明利用圆柱型石英管设计简单、承压能力好以及密封配合方便的特点及长方形整流罩反应室的整流作用，联合其它MOCVD技术设备形成双层气流石英整流罩反应室MOCVD系统，结构简单，制造成本低，材料生长均匀；方便拆卸和安装的石英整流罩便于反应室的清理，减少了晶体生长的污染，可获得高质量的晶体材料；本发明还可用于Si、GaAs、InP以及GaN等其它半导体材料生长的CVD、MOCVD以及HVPE等卧式反应系统中。
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公开(公告)号：CN101270471A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900－1100℃温度下进行材料热处理，时间为5－60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900－1100℃温度下时间为10－120分钟；再在900－1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN100418240C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN101074890A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710022225.7
申请日：2007-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 染料敏化太阳能电池转换效率及单波长量子效率测量方法，包括如下步骤：定染料敏化纳米薄膜太阳能电池受光面积的大小，搭建平衡电桥补偿电路，得到电流—电压曲线，直接通过计算机程序得到开路电压，短路电流，填充因子，转换效率等参数；在相同单色光照条件下，测量已知参数的标准参比电池与实验染料敏化纳米薄膜太阳能电池的短路电流信号，并且将二者进行对比计算，得到实验染料敏化纳米薄膜太阳能电池的单波长外量子效率；在染料敏化太阳能电池受光之前的空间位置放置积分球进行光积分，测量得到短路电流信号，与标准参比电池的电流信号进行对比计算，得到实验染料敏化纳米薄膜太阳能电池的单波长内量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100344006C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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公开(公告)号：CN101051672A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710021285.7
申请日：2007-04-26
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明通过使用玻璃粉作封装材料，设计特殊的电池板结构，通过低温封装工艺对夹层式敏化电池进行封装，并通过对电池内部充入适量的惰性气体，维持电池内部无水、无氧和低压的条件，消除了染料和有机电解质组分在TiO2粒子表面发生降解的行为，也同时解决了因液态电解质热致膨胀和挥发泄漏导致的太阳电池性能衰减、效率降低的问题，从而，显著的延长了染料敏化纳米晶电池的工作寿命，大幅度降低了该类电池的生产成本，同时也消除了因电解液泄漏导致的环境污染问题。
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公开(公告)号：CN1307687C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330-400℃，只通入金属有机源三甲基铟5-15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN1913178A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610086105.9
申请日：2006-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。
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公开(公告)号：CN1900745A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610088286.9
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01S5/125 , H01S5/187
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5－50nm厚的低温LT－GaN、50－2000nm厚的高温HT－GaN和或加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN；最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5－50nm厚的低温LT－GaN/50－2000nm厚的高温HT－GaN/和或包括加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN/最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN结构。
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