公开(公告)号：CN1606128A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410080713.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  屉子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种半导体制造装置，其包括：一个曝光部，该曝光部设置在一个腔体内，其用于对位于保护薄膜上的设计图案进行曝光，其中保护薄膜涂敷在一个晶片上；和一个液体回收部，该部用于将浸渍光刻技术所用的液体进送到晶片上，以在曝光过程中增加曝光光线的数值孔径，同时使液体循环流动。该液体回收部包括：一个液体供给部，该部用于将液体进送到晶片的保护薄膜上；一个液体排放部，该部用于排放和回收位于晶片上方的液体；和一个杂质清除部，该部用于容纳液体并将液体中所含的杂质清除掉。

公开(公告)号：CN1524200A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN02802641.1

申请日：2002-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  笹子胜 ,  上田充 ,  藤之谷刚彦

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是由酸而离去的保护基。)

公开(公告)号：CN1475029A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。

公开(公告)号：CN1461040A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03131009.5

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。

公开(公告)号：CN1417843A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02148111.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种图案形成方法，其特征在于，首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜；然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1－30nm波段的远紫外线以曝光图案，并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案；对抗蚀图案进行加热处理，使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。