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公开(公告)号：CN119767691A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411870230.3
申请日：2024-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 一种通过利用钛酸锶构成金刚石介电二极管及其制备方法，本发明是为了解决现有金刚石二极管反向过早击穿的问题。本发明通过利用钛酸锶构成金刚石介电二极管包括欧姆接触电极、掺硼金刚石衬底、金刚石本征外延层、钛酸锶介电层和金属电极，在掺硼金刚石衬底上沉积有金刚石本征外延层，在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆接触电极，在金刚石本征外延层上沉积钛酸锶介电层，在钛酸锶介电层沉积金属电极。本发明金刚石介电二极管中钛酸锶与金刚石构成的介电结价带差值仅为0.14eV，几乎不影响二极管的正向导电性能。钛酸锶作为高介电常数材料，能够有效减少金刚石表面电场集中的情况，大大提高金刚石二极管的反向击穿性能。
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公开(公告)号：CN118875316B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410912140.X
申请日：2024-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明属于单晶高温合金增材制造技术领域，具体涉及一种高温合金毛细管制备装置及方法。该装置包括陶瓷盘、上密封盖和下密封盖，陶瓷盘上设有漏斗状的通孔，通孔内插设有内侧陶瓷柱芯，内侧陶瓷柱芯与通孔之间留有高温合金毛细管成形环腔；陶瓷盘的底部设有插入高温合金毛细管成形环腔内的籽晶高温合金毛细管端头和牵引机构；送粉末端执行器和非接触加热装置分别用于向高温合金毛细管成形环腔内添加单晶合金粉末和对高温加热形成单晶高温合金熔池；牵引机构牵引籽晶高温合金毛细管端头向下移动，实现连续增材制备高温合金毛细管。本发明通过顶部加热，底部水冷环冷却实现超高的温度梯度，减少单晶合金成分偏析，实现标准物质成分均匀化。
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公开(公告)号：CN119400719A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411510708.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种基于称重法测量金刚石外延层生长厚度精度的方法，本发明的目的是为了解决现有金刚石薄层漂移层的测量方法难以准确评估金刚石外延薄层厚度及生长速率的问题。测量方法：一、对金刚石衬底进行抛光；二、将抛光后的金刚石衬底置于强氧化混酸中形成氧终端，再进行超声清洗；三、使用高精度天平测量金刚石衬底的重量，使用游标卡尺测量金刚石衬底的表面积；四、再次表面清洗；五、在金刚石衬底表面外延生长单晶金刚石层；六、三次表面清洗；七、计算获得外延生长的单晶金刚石层的厚度。本发明采用高精度天平对金刚石外延生长层的厚度进行表征测量，能够实现超薄层金刚石的测量和控制，高精度天平能够无损伤、简单地实现超薄层金刚石的测量。
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公开(公告)号：CN118875199B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411104659.1
申请日：2024-08-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及塑性密封环加工技术领域，具体涉及一种无缝管坯制备高温合金密封环装置及方法。该装置包括加热及切割机、底座及依次设置于底座上的热挤压成形机构、管坯自转进给机和管坯轴向进给机，其中管坯自转进给机用于夹紧无缝管坯、且能够驱动无缝管坯周向旋转，管坯轴向进给机用于在无缝管坯的非加工端轴向驱动进给；热挤压成形机构用于对无缝管坯的加工端进行热挤压成形，加热及切割机用于对无缝管坯的前端进行加热及对热挤压成形的具有W型横截面的高温合金密封环进行切割。本发明实现制备W形截面的高温合金密封环的工艺过程，成形过程可控，成形精度高，满足W形密封环复杂的截面形状的工艺要求，提高了密封环及发动机服役性能的可靠性。
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公开(公告)号：CN118204495B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410152213.X
申请日：2024-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本申请公开了一种多孔钽融合器及其制备方法，其属于医疗器械技术领域，将聚乙烯醇、致孔剂、氯化镁、氯化锌、氯化锶、烧结助剂混合，再加入钽金属混合均匀制得多孔钽融合器生胚，对多孔钽融合器生胚进行压块处理，采用气氛保护烧结制得多孔钽融合器；通过新的配方设计和致孔剂烧结的工艺制备的多孔钽融合器具有优异的生物相容性和促进组织再生修复的作用，能够与人体组织形成紧密的键合界面，提高融合器与人体组织的结合稳定性、力学性能与人体组织适配，可应用于临床组织缺损修复治疗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118441247A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410453271.6
申请日：2024-04-16
Abstract: 本发明公开了一种通过表面沉积YbF3薄膜提高金刚石远红外波段透过率的方法，属于红外光学窗口领域。本发明要解决目前提高金刚石远红外波段透过率的方法工艺复杂且成本较高的的问题。本发明在金刚石上、下表面沉积1/4中心波长YbF3介质薄膜，有效提高金刚石在远红外波段的透过率，提高了金刚石作为红外光学窗口的性能，本发明的红外透过率提高到了91％。
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公开(公告)号：CN118441237A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410453030.1
申请日：2024-04-16
Abstract: 本发明公开了一种通过在金刚石表面制备一维光子晶体和纳米贵金属增强金刚石NV‑色心荧光的方法，属于光致发光与量子色心领域。本发明要解决现有增强金刚石NV‑色心荧光强度工艺复杂且制备成本高的问题。本发明制备了TiO2、SiO2交替介质膜结构的一维光子晶体，并在金刚石的另一表面制备了纳米Ag微柱，基于一维光子晶体的光子带隙对光的调控作用和纳米金属的表面等离激元效应，对金刚石NV‑色心零声子线(ZPL)637nm波段处的光进行了调控，提高了金刚石NV‑色心的荧光强度。本发明为金刚石NV‑色心量子平台的开发和研究奠定了基础。
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公开(公告)号：CN118109903A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410235730.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 通过金属刻蚀制备具有规则晶型的单晶纳米金刚石颗粒的方法，本发明是为了解决现有纳米金刚石呈现多晶状态，石墨含量高的问题。具有规则晶型的单晶纳米金刚石颗粒的制备方法：一、将纳米金刚石制备成分散液；二、将分散液涂覆在托盘钼上，使无水乙醇完全挥发；三、将载有纳米金刚石的托盘放入磁控溅射系统的舱室内，在纳米金刚石表面镀镍层；四、将带有镀镍纳米金刚石的托盘放入管式退火炉中，在Ar气保护下，以630～700℃的温度进行退火处理。本发明将多晶纳米金刚石表面镀金属镍层，在630～700℃温度下退火处理，制备具有规则形状的单晶纳米金刚石，具有操作简单、纳米金刚石的晶型规则，且质量高等优点。
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公开(公告)号：CN115072717B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210656914.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 使用金属铁刻蚀高温高压金刚石制备定点浅层NV色心的方法，它为了解决现有制备金刚石内NV色心需要用到复杂的化学气相沉积气氛或大型粒子注入设备，且难以控制色心制备定位等问题。获得定点浅层NV色心的方法：一、清洗高温高压金刚石；二、在金刚石表面沉积铁薄膜，铁薄膜呈点阵排列；三、将带有铁薄膜的金刚石放入CVD生长舱体内，通入氢气，升高气压和功率进行刻蚀处理；四、将退火后的金刚石置入食人鱼溶液浸泡。本发明利用金属铁在等离子体环境下对高温高压金刚石进行刻蚀，在该过程中产生空位，并利用退火使得空位向下迁移并被替位氮原子捕获，由于刻蚀发生在金属薄膜与金刚石的界面处，因此产生的NV色心位于近表面处。
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公开(公告)号：CN117438781A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311291841.8
申请日：2023-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q1/36 , B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/60 , B23K26/142 , B23K26/402 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , G01D5/48 , G01R33/02
Abstract: 金刚石表面烧蚀获得石墨化原位天线的方法及其应用，本发明为了解决现有微波天线受外界因素的干扰较大且不能较好的提高系统集成度等问题。获得石墨化原位天线的方法：一、对金刚石基底进行清洗；二、在清洗后的金刚石基底表面旋涂一层光刻胶，按照天线图案进行光刻，光刻后置于显影液中浸泡形成掩膜；打开射频电源输入50～100W的能量进行等离子体启辉，然后打开挡板沉积过渡金属薄膜；将金刚石基底放入石英玻璃管中进行真空封管，高温加热处理。本发明还涉及一种通过激光烧蚀获得石墨化原位天线的方法。本发明通过在金刚石表面利用过渡金属高温催化刻蚀或激光烧蚀，获得石墨化天线图案，该天线能更好的减小外界因素干扰，提高了集成度。
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