公开(公告)号：CN110310960A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910210031.2

申请日：2019-03-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  北川英树 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  平田义晴 ,  菊池哲郞 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。

公开(公告)号：CN109786468A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811344315.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78648

Abstract: 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其具有包含沟道氧化物半导体层和保护氧化物半导体层的层叠结构，沟道氧化物半导体层配置在比保护氧化物半导体层靠基板侧；上部栅极电极，其隔着上部绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第1和第2电极，其电连接到氧化物半导体层，还具有至少贯通层间绝缘层和保护氧化物半导体层并且使沟道氧化物半导体层的一部分露出的第1开口部，第1电极配置在层间绝缘层上和第1开口部内，在第1开口部内与沟道氧化物半导体层的一部分直接接触。

公开(公告)号：CN109659311A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811177093.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西宫节治 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  菊池哲郞 ,  上田辉幸 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 能够利用简单的步骤制造出能够应对显示图像的高分辨率的阵列基板。将阵列基板(1)设为具备叠层结构的构成，所述叠层结构包含：由旋涂玻璃材料构成的旋涂玻璃层(12)，配设于旋涂玻璃层(12)的下侧(液晶层的相反侧)的第一栅极布线(第一布线)(11)，以及以俯视阵列基板(1)时与第一栅极重叠的方式配设于旋涂玻璃层(12)的上侧(液晶层侧)的第二栅极布线(第二布线)。阵列基板(1)中，第一栅极布线(11)具有由铜构成的含铜层(M12)、及由钛构成的金属上层(M13)，金属上层(M13)叠层于含铜层(M12)的上侧且配置于含铜层(M12)与旋涂玻璃层(12)之间。

公开(公告)号：CN109599435A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811148550.2

申请日：2018-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种薄膜晶体管，进一步增大漏极电流。TFT(10)具备：沟道部(15)，其包括半导体材料；源极电极(13)，其连接到沟道部(15)的一端侧；漏极电极(14)，其连接到沟道部(15)的另一端侧；上层侧栅极电极(11)，其在沟道部(15)的上层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；下层侧栅极电极(12)，其在沟道部(15)的下层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；上层侧栅极绝缘膜(16)，其配置为介于上层侧栅极电极(11)与沟道部(15)之间；以及下层侧栅极绝缘膜(17)，其配置为介于下层侧栅极电极(12)与沟道部(15)之间，其膜厚(T1)与上层侧栅极绝缘膜(16)相比相对较大。

公开(公告)号：CN107112365A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070477.X

申请日：2015-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  大东彻 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(10)和薄膜晶体管(5)，其中，所述薄膜晶体管(5)由基板支撑，并包括栅极电极(12)、氧化物半导体层(18)、设置于栅极电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层(20)、以及与氧化物半导体层电性连接的源极电极(14)及漏极电极(16)，漏极电极具有向氧化物半导体层突出的形状，将薄膜晶体管的通道宽度方向上的氧化物半导体层的宽度设为宽度W1，与漏极电极的突出方向正交的方向上的所述漏极电极的宽度设为宽度W2的情况下，宽度W1和所述宽度W2之间满足|W1‑W2|≤1μm的关系，并且，宽度W1及宽度W2为大于等于3μm并小于等于6μm。

公开(公告)号：CN107004603A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN102224453B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980147035.5

申请日：2009-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  今井元 ,  北川英树

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G06F3/042

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明的液晶显示装置包括二维地配置有光传感器电路的二维传感器阵列，上述光传感器电路包括光敏二极管(17)、输出AMP、及NetA升压用电容器，上述输出AMP的栅极电极与光敏二极管(17)的阴极电极(NetA)连接，源极电极与电源提供布线(Vsm)连接，漏极电极与光传感器输出布线(Vom)连接，上述NetA升压用电容器的一个电极与上述NetA电连接，另一个电极与用于向上述NetA升压用电容器提供驱动信号的驱动布线(Vrwn)电连接，且用于保持像素电位的辅助电容布线(Csn)兼作为上述驱动布线(Vrwn)，因此能够实现可抑制像素的开口率的降低和显示部周边的边框区域的增加的具有光传感器电路的液晶显示装置。

公开(公告)号：CN102822981A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017085.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  田中信也 ,  北川英树 ,  今井元 ,  今出光则 ,  菊池哲郎 ,  森本一典 ,  嶋田纯也 ,  西村淳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。

公开(公告)号：CN102224453A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980147035.5

申请日：2009-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  今井元 ,  北川英树

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G06F3/042

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明的液晶显示装置包括二维地配置有光传感器电路的二维传感器阵列，上述光传感器电路包括光敏二极管(17)、输出AMP、及NetA升压用电容器，上述输出AMP的栅极电极与光敏二极管(17)的阴极电极(NetA)连接，源极电极与电源提供布线(Vsm)连接，漏极电极与光传感器输出布线(Vom)连接，上述NetA升压用电容器的一个电极与上述NetA电连接，另一个电极与用于向上述NetA升压用电容器提供驱动信号的驱动布线(Vrwn)电连接，且用于保持像素电位的辅助电容布线(Csn)兼作为上述驱动布线(Vrwn)，因此能够实现可抑制像素的开口率的降低和显示部周边的边框区域的增加的具有光传感器电路的液晶显示装置。

公开(公告)号：CN101432656B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780015751.9

申请日：2007-04-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  原义仁

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136281

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置，本发明的液晶显示装置包括向显示面反射入射光的反射部，反射部包括在基板上形成的反射层，并且包括在反射层的表面形成的第一凹部和在第一凹部中的在反射层的表面形成的第二凹部。第一凹部与Cs金属层的开口部相对应，第二凹部与半导体层的开口部相对应。