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公开(公告)号：CN107652900A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710994767.4
申请日：2017-10-23
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种用于紫外辅助化学机械抛光的抛光液及其方法，包括纳米磨粒和氧化剂；所述纳米磨粒的含量为0.05-20wt.％；所述氧化剂的含量为0.1-10wt.％。本发明提供的抛光液主要用于氮化镓晶片的紫外辅助化学机械抛光加工，使用该抛光液对氮化镓晶片进行抛光加工可以获得高的去除率和低的表面粗糙度，同时该抛光液成分简单，纳米二氧化硅或氧化铈磨粒浓度极低，抛光液的后处理方便，对环境污染小。
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公开(公告)号：CN105855602B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610348616.7
申请日：2016-05-24
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种用于飞机蒙皮镜像铣削的液体静压支撑头，所述支撑头包括支撑部和与所述支撑部下端连接的连接部，所述支撑部上表面具有一个或多个液槽，一个或多个气槽和与所述液槽的个数一致的测压孔，所述支撑头内设有与所述液槽连通的流道Ⅰ、与所述气槽连通的流道Ⅱ和与测压孔连通的测压流道。本发明还公开了一种用于飞机蒙皮镜像铣削的液体静压支撑装置。与现有技术相比，本发明具有蒙皮加工精度高、加工质量高、加工稳定性好和结构简单易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN107272580A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710454083.5
申请日：2017-06-15
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G05B19/404
CPC分类号： G05B19/404 , G05B2219/35408
摘要： 本发明提出了一种硬脆材料薄壁零件加工误差补偿方法，该方法首先建立切削该种薄壁零件材料的切削力模型，然后根据实际径向切深计算切削力，以实际切削力作为载荷值，在有限元分析软件中求解出每一个离散位置的变形量，以该变形量作为误差补偿值，最终生成带有误差补偿的数控加工程序，与现有薄壁零件加工误差补偿方法相比，该方法补偿精度更高，计算效率也更高。
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公开(公告)号：CN106017352A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610585321.1
申请日：2016-07-22
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种蜂窝芯面形的测量方法，其特征在于：包括如下步骤：在蜂窝芯待测面覆上反射薄膜，采用真空吸附的方式使所述反射薄膜紧贴蜂窝芯待测面，且使蜂窝孔格处的反射薄膜向下凹陷；对蜂窝芯待测面上的反射薄膜进行扫描测量，获得蜂窝芯在不同空间位置的蜂窝壁高度。本发明具有测量精度高、使用成本低、测量效率高、适用性好、获取信息丰富和可以实现在位测量的优点。
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公开(公告)号：CN103924287B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410185241.8
申请日：2014-05-04
IPC分类号： C25F3/12 , H01L21/3063
摘要： 本发明提供一种电致化学抛光方法，包括以下步骤：配制含有电活性中介体、pH调节剂、粘度调节剂和抑制剂的工作液；将工作电极工作面与工件表面平行相对设置，工作电极工作面具有小于1μm平整度；将工作电极工作面和工件表面浸入工作液中，通过微纳复合进给机构调整工作电极工作面与工件表面的间距至0.05μm～20μm；启动电源使工作电极和辅助电极通电，工作电极工作面附近的电活性中介体通过电化学反应生成刻蚀剂，通过刻蚀剂扩散至工件表面并发生扩散控制的刻蚀反应，对工件表面局部高点进行选择性刻蚀，实现对工件表面无应力抛光。
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公开(公告)号：CN104439445A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410637775.X
申请日：2014-11-12
申请人： 大连理工大学
CPC分类号： B23C3/00 , B23C2215/04 , B23C2220/52 , B23C2222/88 , B23Q5/10 , B23Q5/28 , B23Q15/12 , B23Q2705/026 , B23Q2705/145
摘要： 本发明公开了一种自动调整孔径的螺旋铣孔装置及其工作方法，所述的装置包括刀具、内套筒、外套筒、分装式力矩电机、电磁离合器、旋转平移机构、气缸、直线进给机构及定位装置；旋转平移机构由动环、过渡环、定环、前连杆、后连杆和销轴组成。本发明除使用双偏心套筒来改变偏心量外，还使双偏心套筒之间发生相对旋转。由于刀具公转的需要，驱动外套筒的电机是必不可少的，通过使用旋转平移机构，可以使外套筒旋转时内套筒平动而不转动，从而改变了内外套筒之间的相对转角。本发明利用气缸压紧的方式实现定环的机械锁死，结构简单，锁死牢固，成本低廉。本发明利用公转使用的分装式力矩电机即可实现刀具偏心量的自动调节，无需配备额外的动力源。
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公开(公告)号：CN102554760B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210018459.5
申请日：2012-01-19
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/07 , B24B37/27 , B24B29/00 , B24B47/20
摘要： 本发明一种多功能的基片磨抛装置及其磨抛方法，属于平面基片的超精密加工技术领域，涉及一种用于硅片、蓝宝石基片和玻璃基板等硬脆材料的磨抛平整化加工及减薄加工，可用于陶瓷、金属和复合材料等平面薄板的磨削和抛光加工。基片磨抛方法采用三种方式：轴向切入式磨抛、径向切入式磨削和留边磨抛方法。磨抛装置采用由磨削主轴单元和抛光主轴单元组成的双主轴结构，在一台装置上完成基片的磨削和抛光加工；磨削主轴单元和抛光主轴单元通过一根牵引绳牵引，互为配重。磨抛装置将磨削机和抛光机集成于一体，基片只需一次性装夹，即可完成磨削和抛光两道工序加工，提高基片磨抛加工精度和磨抛加工自动化，降低碎片率，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN103192125A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310105521.9
申请日：2013-03-28
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明为一种便携式螺旋铣孔装置及加工方法属于螺旋铣孔加工技术领域，涉及一种针对新型材料如碳纤维复合材料、铝合金、钛合金等难加工材料的便携式螺旋铣孔装置及加工方法。该装置由刀具自转机构、公转机构、径向偏移机构、轴向进给机构和加工定位机构组成。在装置中，自转机构中的主轴为机械主轴，主轴具有4段不同形状的轴颈，主轴右端轴颈轴线的中心O1与主轴主体轴颈轴线的中心O偏置设置。该装置采用钻模板和固定套联合定位，使转换加工位置时工艺简单，定位准确，同时保证了加工过程中设备具有足够的稳定性和刚性。本发明在调整偏心量使用的蜗轮和蜗杆端面分别安装有刻度盘和指针，用于指示偏心量值，使偏心量调节更准确且实现可视化。
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公开(公告)号：CN101760138A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010010121.6
申请日：2010-01-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液，属于化学机械抛光用的抛光液，特别涉及化学机械抛光单晶氧化镁用抛光液领域。抛光液的pH值为1.5～7.0。抛光液的组成成分按重量百分比如下：磨料0.5～30％；抑制剂0.0001～1％；络合剂0.001～10％；余量为去离子水。抛光液的磨料粒径为10～500nm，选自SiO2、ZrO2、Al2O3、TiO2、MgO或CeO2水溶胶。抛光液的络合剂选自含有磷氧双键的有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐。抛光液的抑制剂选自含有五元环的化合物。本发明抛光液材料去除率高，抛光样品表面粗糙度低，表面无划痕和凹坑等缺陷；抛光液的配制简便，成本低。
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公开(公告)号：CN1927540A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610047695.4
申请日：2006-09-05
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： B24B29/02 , H01L21/304
摘要： 本发明一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法，属于硬脆晶体薄基片超精密加工领域。粘片方法是分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结，采用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片下表面粘结在第一块载物台上后，对硬脆晶体薄基片上表面研磨抛光达到要求后，不卸片；再用耐高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上，加热第一块载物台后，把硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离，对硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨抛光加工，达到质量要求。本发明可有效减小硬脆晶体薄基片研磨抛光加工后的翘曲变形，使其面形精度得到很大的提高。
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