公开(公告)号：CN1033769C

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN93106335.3

申请日：1993-05-08

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅型场效应晶体管。其栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀，除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1078068A

公开(公告)日：1993-11-03

申请号：CN93105438.9

申请日：1993-04-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/784

摘要： 本发明公开了一种改进了的制造绝缘栅场效应晶体管的方法。该方法包括下列步骤：在绝缘衬底上形成半导体薄膜，在所说半导体薄膜上形成栅绝缘薄膜，在所说的栅绝缘薄膜上形成栅电极，阳极氧化所说栅电极，以形成覆盖栅电极的外表面的氧化物薄膜，按相应的半导体薄膜给栅电极加负电压或正电压。加负电压能有效地消除在正电压进行阳极氧化过程中产生的晶格缺陷和界面态。