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公开(公告)号：CN115799061A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310029856.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置，所述SiC晶圆切割片加工方法对SiC切割片具有切割损伤层的表面先进行氯基气体等离子体刻蚀，再对氯基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行氟基气体等离子体刻蚀，并对氟基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行精抛并进行清洗，不需要对SiC切割片具有切割损伤层的表面进行研磨、粗抛处理，后续直接进行精抛，不仅省却了两步研磨抛光工艺，更省却了研磨抛光后的多步清洗步骤，能有效减少清洗流程化学试剂用量，实现了SiC切割片同步刻蚀均匀去除的效果，对工业化生产提高加工效率具有指导意义。
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公开(公告)号：CN115588612A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211507022.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/04 , H01L21/02 , H01L21/334 , H01L29/94
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件，首先利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成第一栅氧化层，再利用热氧化法透过第一栅氧化层在所述碳化硅外延表面形成第二栅氧化层，从而得到由第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的栅极氧化层；其中，所述第一栅氧化层的厚度为所述栅极氧化层厚度的1/6‑1/5；使得在降低碳空位等缺陷的同时又可以有效防止漏电及保证较高的栅氧可靠性。
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公开(公告)号：CN113781487B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202111345465.7
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆表面复合速率与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的表面复合速率图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的表面复合速率图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN115404549A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210879232.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长低阻p型4H‑SiC的方法，属于半导体材料领域。本申请主要是采用低温低压(生长温1600℃～1800℃，生长压强约10‑3Pa)生长限制SiC的生长速度小于100μm/h，此时可确保4H‑SiC在Si面生长。并且由于p型杂质Al是占据SiC中Si原子的晶格点位置，所以Al在(0001)Si面的掺杂浓度比在面的高。本申请所制备的p型4H‑SiC电阻率可降低至30mΩcm。
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公开(公告)号：CN114150382B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111490843.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种基于光刻蚀的n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭和金属催化剂，n型碳化硅晶锭的表面镀有导电材料层，将导电材料层和金属催化剂形成电路短路后浸泡入刻蚀液中，采用特定波长的入射光进行照射，入射光照射在晶锭内部的非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，光生电子沿电路富集于金属催化剂上，刻蚀液对具有光生空穴的非晶层表面进行刻蚀，得到n型碳化硅单晶片；本发明在光电压作用下，非晶层表面导带中的光生电子沿外电路富集于金属催化剂上，而非晶层表面价带中留下的光生空穴则在刻蚀液的参与下对非晶层进行刻蚀，所得单晶片表面无应力残余。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115142123A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210551272.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法，在物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶过程中掺入非电活性的锗杂质，锗杂质会钉扎硅核心不全位错，通过位错钉扎效应阻止Si核心不全位错的滑移，抑制单晶衬底在加工过程中的机械应力下的滑移，以实现改善碳化硅单晶衬底面型参数的目的。同时，为了控制生长初期锗的高蒸汽压，防止锗原子在生长表面的团簇效应，并保证生长过程中锗源的持续供应，实现晶体生长过程中的均匀掺杂，本发明使用锗烷(GeH4)气体作为锗的掺杂源，在PVT单晶生长的同时，向生长腔内稳定、均匀地通GeH4气体以实现以上目的。
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公开(公告)号：CN114496768A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210338480.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/3063 , H01L21/308 , H01L21/04 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及工艺加工领域，具体用于在半导体衬底上形成纳米柱阵列，包括，提供半导体衬底，并在其上形成上涂有光刻胶，之后在光刻胶上光刻形成图案；在制备好后图案上形成掩膜层，通过掩膜层阻止光线的传播；对包含掩膜层的半导体衬底进行电化学刻蚀，且通过控制刻蚀条件得到不同高度的图案，之后除去掩膜层，所述半导体衬底包括碳化硅衬底片或者氮化镓衬底片，半导体衬底的长和宽尺寸均为2‑8英寸，半导体衬底厚度为200‑500微米，光刻方式采用电子束直写技术，图案为纳米柱阵列形状。本发明中通过采用光电化学刻蚀方法，可在晶圆级宽禁带半导体衬底片表面实现直径尺寸和高度可控的纳米柱阵列的大规模制备，流程简单，成品率高。
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公开(公告)号：CN114395804A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210044064.6
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种导电型碳化硅衬底加工方法，涉及半导体加工方法技术领域，包括以下步骤：S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，确保更高的离化率，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。
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公开(公告)号：CN114371223A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210257835.X
申请日：2022-03-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉，所述碳化硅晶体生长检测装置采用兆声发生器产生第一兆声振动信号，利用所述传声棒将所述第一兆声振动信号传送至坩埚盖，进而传送至生长中的碳化硅晶体，使得生长中的碳化硅晶体发生振动，利用激光震动监测器对坩埚盖的振动信号进行检测，就可以获得第二兆声振动信号；根据所述第一兆声振动信号和第二兆声振动信号就可以对碳化硅晶体生长的厚度和质量进行检测。本发明不需要打开碳化硅晶体生长炉即可以对晶体生长的厚度和质量进行检测，当发现问题，可以及时中断生长过程或通过调整生长工艺参数来改善后续的晶体生长质量，避免材料和能源的浪费。
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公开(公告)号：CN114318542A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210245207.X
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种保持碳化硅单晶生长温度的方法，包括：对碳化硅单晶生长设备进行建模得到设备模型并对加热实验进行模拟，得到对应每次模拟过程中所述设备模型的碳化硅晶体表面的温度值，计算相邻实验温度值的温度差ΔT；通过碳化硅单晶生长设备进行实际单晶生长，以相应的固定加热功率加热相同所述预定时长直至坩埚盖顶部温度为T1‑ΔT×（i‑1），式中，i=1、2…，从而保持对应的碳化硅晶体表面的温度一致。本发明通过数值模拟计算，通过碳化硅晶体表面温度的变化去校正被测量的坩埚盖表面的温度。从而保证每次实验碳化硅晶体生长的温度一致，从而保证每次生长出来的碳化硅晶体的品质一致。
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