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公开(公告)号：CN117832063A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014454.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种制备纯硅涂层的方法以及基底涂层复合结构、晶圆片，通过在基底表面形成二维半导体材料层；将二维半导体材料层表面浸入具有硅源的液体环境，利用所述二维半导体材料层吸附硅源，使得在富硅的环境下在所述二维半导体材料层表面形成纯硅涂层。二维半导体材料的引入一方面可以填补基底表面的凹坑，另一方面可以显著降低纯硅涂层表面的孪晶数量，提升涂层质量。
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公开(公告)号：CN113862789A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453140.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种制备p型4H‑SiC单晶的坩埚结构与装置与方法，坩埚结构包括第一坩埚，第一坩埚用于盛放生长物料；第二坩埚，用于盛放掺杂物料；第一坩埚沿中轴线设有贯通的连接通道，所述连接通道的中轴线与所述第一坩埚的中轴线重合，所述连接通道的侧壁与所述第一坩埚的侧壁形成开口向上的物料放置部；第二坩埚设置于第一坩埚的下方，第二坩埚的开口与连接通道相通。利用本发明中的坩埚结构可避免在双线圈加热中热的生长原料气氛反向输运到冷的掺杂源端；本发明通过掺杂金属Ce和气体H2来稳定4H晶型，而不是采取常用的Al‑N共掺的方法，保证Al掺杂量的同时稳定住4H晶型，以降低电阻率。
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公开(公告)号：CN113279065A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110475998.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
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公开(公告)号：CN117702282A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705692.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。
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公开(公告)号：CN115404549B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210879232.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长低阻p型4H‑SiC的方法，属于半导体材料领域。本申请主要是采用低温低压(生长温1600℃～1800℃，生长压强约10‑3Pa)生长限制SiC的生长速度小于100μm/h，此时可确保4H‑SiC在Si面生长。并且由于p型杂质Al是占据SiC中Si原子的晶格点位置，所以Al在(0001)Si面的掺杂浓度比在 面的高。本申请所制备的p型4H‑SiC电阻率可降低至30mΩcm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115404549A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210879232.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长低阻p型4H‑SiC的方法，属于半导体材料领域。本申请主要是采用低温低压(生长温1600℃～1800℃，生长压强约10‑3Pa)生长限制SiC的生长速度小于100μm/h，此时可确保4H‑SiC在Si面生长。并且由于p型杂质Al是占据SiC中Si原子的晶格点位置，所以Al在(0001)Si面的掺杂浓度比在面的高。本申请所制备的p型4H‑SiC电阻率可降低至30mΩcm。
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公开(公告)号：CN117210934A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311297702.6
申请日：2023-10-08
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅生长技术领域，公开了一种碳化硅生长进料装置，通过手套箱的方式将初始原料混合进料，然后将其在碳化硅单晶生长装置的内部通过高温反应生成所需要的碳化硅原粉，再进行后续的长晶过程。由于生长碳化硅原粉和生长碳化硅单晶的整个过程是在手套箱和碳化硅单晶生长装置的内部完成，碳化硅原粉不会接触外部空气，因此所得到的碳化硅原粉内部不含有空气中的杂质成分，具备较高的纯度，从而可以得到高纯度的碳化硅单晶，且缺陷较少。
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公开(公告)号：CN115831727A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211620101.X
申请日：2022-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L21/04
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用电子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件，通过采用电子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在碳化硅晶圆中生成点缺陷，初步形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；其中，所述点缺陷包括间隙原子和空位；对所述符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆进行中温退火，使电子辐照产生的间隙原子形成双间隙复合物或者三间隙复合物，并保留空位，从而得到制备完成的半绝缘碳化硅晶圆；本发明利用电子辐照和中温退火在碳化硅晶圆中产生大量的点缺陷，增加半绝缘碳化硅晶圆的电阻率，然后利用中温快速退火，使间隙碳快速的形成复合物，从而留下有用的碳空位，提高了半绝缘碳化硅晶圆更高的热稳定性。
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公开(公告)号：CN115810537A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211619902.4
申请日：2022-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件；通过采用具有预定质子能量和预定质子剂量的质子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在所述碳化硅晶圆中生成多种类型的点缺陷，形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；本发明采用质子辐照来辐照碳化硅材料，产生多种类型的点缺陷，特别是复杂点缺陷，从而形成高质量半绝缘碳化硅晶圆；并同时设定合适的质子辐照的剂量和能量，从而增加辐照后碳化硅晶圆的电阻率和热稳定性。
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公开(公告)号：CN113279065B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110475998.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
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