公开(公告)号：CN1338770A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01141002.7

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  时冈秀忠 ,  小川哲也

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 用比较低的温度制造优良的多晶薄膜半导体器件。在形成非晶半导体膜后,在固相状态使其结晶,其后,照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大的脉冲激光,使半导体膜的一部分熔化。

公开(公告)号：CN1304547A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800777.2

申请日：2000-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。

公开(公告)号：CN1052116C

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN95190552.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了利用可以使用廉价的玻璃基板的低温处理来制造高性能的薄膜半导体器件，在不到450℃的温度下形成硅膜、结晶化之后、在最高工作温度为350℃以下的条件下制造了薄膜半导体器件。当将本发明用于有源矩阵液晶显示器件的制造时，可以容易而且稳定地制造出大型高质量的液晶显示器件。而且，当用于其他的电子电路的制造时也可以容易而稳定地制造出高质量的电子电路。

公开(公告)号：CN1173948A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN96191902.7

申请日：1996-08-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件,在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后,用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件,使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时,可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外,在应用于其他的电子电路的制造时,也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。

公开(公告)号：CN109817161B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201811374567.X

申请日：2018-11-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  百濑洋一

IPC: G09G3/3225

Abstract: 电光装置以及电子设备。电光装置(10)具有：扫描线(42)；信号线(43)；像素电路(41)，其与扫描线(42)和信号线(43)的交叉处对应地设置；第1高电位线(47)，其被供给第1电位；低电位线(46)，其被供给第2电位；第2高电位线(49)，其被供给第3电位，像素电路(41)包含：发光元件(20)；存储电路(60)，其配置在第1高电位线(47)与低电位线(46)之间；第1晶体管(31)，其栅极与存储电路(60)电连接；第2晶体管(32)，其栅极与扫描线(42)电连接，第2晶体管(32)配置在存储电路(60)与信号线(43)之间，第1电位相对于第2电位的电位差小于第3电位相对于第2电位的电位差。

公开(公告)号：CN101169567B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200710180295.5

申请日：2007-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  釰持伸彦

IPC: G02F1/167 ,  G09F9/37 ,  G02F1/133 ,  G09F9/35 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3446 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/029

Abstract: 一种电光装置，具有：多条第一扫描线、与扫描线为相同数量的第二扫描线、与第一以及第二扫描线分别交叉配置的多条信号线；多个在第一以及第二扫描线与信号线的各交点处配置的像素部形成为矩阵状；位于i行j列的像素分别包含第一晶体管、第二晶体管和像素电极；第一晶体管的栅极连接在第i行的第一扫描线上，源极或漏极的一方连接在第j列的信号线上；第二晶体管的栅极连接在第i行的第二扫描线上，源极或漏极的一方与第一晶体管的源极或漏极的另一方(第一晶体管的源极)连接；在第一晶体管的源极或漏极的另一方(第一晶体管的源极)上连接像素电极。由此，提供一种用简单的结构能实现检测画面上的指定位置的电泳装置。

公开(公告)号：CN101859545B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010159466.8

申请日：2007-04-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎淳志 ,  宫坂光敏

IPC: G09G3/34

CPC classification number: G09G3/344 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/061

Abstract: 本发明的目的是提供可以使电泳显示装置的画质提高的技术。电泳显示装置具备：数据线；与数据线交叉的多条扫描线；像素，设置在对应于数据线与多条扫描线中的一条的交叉点的位置；设置在像素中的像素电极；与像素电极相对的共用电极；配置在像素电极与共用电极之间的电泳微粒；通过驱动数据线和多条扫描线而对像素供给数据输入脉冲的驱动机构；控制驱动机构的控制机构，其中，在将多条扫描线被选择一次的期间作为1帧期间时，基于控制机构的工作，利用包含多个帧期间的图像信号导入期间重写显示；在第1帧期间中，第1数据输入脉冲被提供给像素；在第1帧期间之后的第2帧期间中，第2数据输入脉冲被提供给像素；第2数据输入脉冲的脉冲宽度与第1数据输入脉冲的脉冲宽度不同。

公开(公告)号：CN101211083B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710307081.X

申请日：2007-12-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 刀持伸彦 ,  宫坂光敏

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36 ,  H01L29/72

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042

Abstract: 本发明公开了一种可以进行光输入的液晶装置，能够在简单化各像素部结构的同时提高画面质量，所述液晶装置包括：与液晶扫描线(10)并列配置的光电传感器扫描线(12)；光电传感器转换晶体管(42)，作为像素部(16)的一部分，其栅极与光电传感器扫描线(12)连接，源极/漏极中的一个电极(D)与液晶转换晶体管(40)的源极/漏极(S)连接、且源极/漏极中的另一个电极(S)与液晶扫描线(10)连接；以及遮光膜，覆盖液晶转换晶体管(40)和光电传感器转换晶体管(42)的背光源侧。

公开(公告)号：CN101504947A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910006185.6

申请日：2009-02-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  宫崎淳志

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明提供一种能够实现特性的提高的半导体器件(阵列基板)的结构。本发明的半导体器件，是具有形成在基板上的基底绝缘膜上的多个薄膜晶体管(T)的半导体器件，上述多个薄膜晶体管，具有形成在上述基底绝缘膜(15)上的多个半导体膜(17)；在上述多个半导体膜上隔着栅绝缘膜(19)分别形成的多个栅电极(G)，其中，上述基底绝缘膜，在包含上述多个半导体膜的至少一个的区域分割地形成。如果采用该结构，则因为基底绝缘膜不是整个面，而是分割在包含半导体膜的区域，所以能够减少对于基底绝缘膜的裂纹的产生，能够提高在其上部形成的薄膜晶体管的特性。此外，能够使器件的生产率提高。

公开(公告)号：CN101373580A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810161028.8

申请日：2006-03-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小松友子

IPC: G09G3/34 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/167

Abstract: 本发明提供一种显示中间亮度灰阶的电泳显示装置。该电泳显示装置具备：多个像素；电泳层，其包含被施加电场后会游动的电泳粒子；以及共用电极，其与多个像素相对设置，并与像素之间夹持电泳层。各像素由多个子像素构成，在多个子像素中，至少存在一对无法用直线使子像素彼此分离的子像素对。此外，至少具备一对相邻的子像素间的边界由多条直线构成的子像素对。