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    H桥转换器的软转换技术
    71.
    发明公开
    H桥转换器的软转换技术 审中-实审

    公开(公告)号：CN111884634A

    公开(公告)日：2020-11-03

    申请号：CN202010361069.2

    申请日：2020-04-30

    申请人： 亚德诺半导体国际无限责任公司

    发明人： 陈海 ,  G·J·休吉斯

    IPC分类号： H03K17/13

    摘要： 本公开涉及H桥转换器的软转换技术。提供了用于启动和关闭H桥的技术。在一个示例中，一种方法可以包括在第一间隔期间在第一电平与第二电平之间使H桥的内部参考电压倾斜，在第一间隔期间，基于参考电压独立地控制H桥的第一半桥和H桥的第二半桥的每个的输出电压，并在第二定时间隔期间将第一半桥和第二半桥作为全H桥进行控制。

    用于开关的驱动电路
    72.
    发明公开
    用于开关的驱动电路 审中-实审

    公开(公告)号：CN109698684A

    公开(公告)日：2019-04-30

    申请号：CN201811221832.0

    申请日：2018-10-19

    申请人： 株式会社电装

    发明人： 朝子阳介 ,  德舛彰

    IPC分类号： H03K17/13 ,  H03K17/08 ,  H03K17/14 ,  H03K17/18

    摘要： 一种用于开关的驱动电路，驱动多个开关并将目标阈值设定为与流至切换完成开关的电流相关的物理量进行比较的阈值，切换完成开关被驱动以完成从第一状态和第二状态中的一个状态到另一个状态的切换。在第一状态下，允许电流流至至少一个开关。在第二状态下，阻止电流流至所有开关。驱动电路在第一接通驱动周期的至少一部分的期间将目标阈值设定为第一目标阈值，在第二接通驱动周期的至少一部分的期间将目标阈值设定为第二目标阈值，其中，在第一接通驱动周期中，仅切换完成开关被接通驱动，在第二接通驱动周期中，多个开关全部被接通驱动。第一目标阈值大于第二目标阈值。

    过零投切开关保护装置
    74.
    发明公开
    过零投切开关保护装置 无效

    公开(公告)号：CN108667442A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：CN201810565275.8

    申请日：2018-06-04

    申请人： 广州市金矢电子有限公司

    发明人： 郭桥石

    IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/13

    CPC分类号： H03K17/08108 ,  H03K17/136

    摘要： 本发明过零投切开关保护装置属一种过零投切开关保护装置,特别是一种适合对晶闸管过零投切开关的起保护作用的过零投切开关保护装置，其包括限流元件、光电隔离半控型开关，光电隔离半控型开关通过限流元件与所需保护的过零投切开关主回路连接，光电隔离半控型开关与过零投切开关的控制回路连接，本发明过零投切开关保护装置，具有电路简单、成本低、使用方便的优点。

    磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统
    75.
    发明公开
    磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统 有权

    公开(公告)号：CN107947773A

    公开(公告)日：2018-04-20

    申请号：CN201711226585.9

    申请日：2017-11-29

    申请人： 中国工程物理研究院应用电子学研究所

    发明人： 任先文 ,  谭志远 ,  甘孔银 ,  孙会 ,  刘平 ,  于婷 ,  周明远

    IPC分类号： H03K17/13 ,  H03K17/082 ,  H03K17/16

    CPC分类号： H03K17/133 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/161

    摘要： 本发明涉及一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统，属于航天器电源技术领域，该装置包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端，母线连接回路包括高电压母线连接端、功率半导体开关MOSFET、负载下拉电阻、负载输入电容、用电设备和母线回路地连接端，栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源、隔离变压器、低压高频开关管、控制回线地连接端和控制信号整流桥，信号控制输入端包括直流控制信号输入端、脉冲驱动信号输入端和用电设备使能控制信号输入端，本发明可以在“地电位”施加控制信号控制数百伏高电位下的功率半导体MOSFET开关，实现母线和用电设备的联通和断开，同时可以起到过压保护作用。

    用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
    76.
    发明公开
    用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法 有权

    公开(公告)号：CN107104662A

    公开(公告)日：2017-08-29

    申请号：CN201610953777.9

    申请日：2016-11-03

    申请人： 罗伯特·博世有限公司

    发明人： D.马奎特 ,  B.维歇尔特 ,  F.于尔茨赫费尔

    IPC分类号： H03K17/13

    CPC分类号： H03K17/165 ,  H03K2217/0036 ,  H03K17/133

    摘要： 提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET（54）的方法，其中MOSFET（54）以开关运行来运行，并且其中MOSFET（54）的通过S端子（源极）和D端子（漏极）来表征的区段从基本上不导通的状态（21）切换到基本上导通的状态（23）或相反地切换，并且其中馈送到MOSFET（54）的G端子（栅极）中的驱动电流（12）的值（12a；12b；12c）根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压（14）来预先给定，并且其中驱动电流（12）根据DS电压（14）的时间变化在不同的值（12a；12b；12c）之间进行切换。在此所述值（12a；12b；12c）中的至少一个借助调节（43）来预先给定。

    同步整流控制单元和方法
    77.
    发明公开
    同步整流控制单元和方法 有权

    公开(公告)号：CN106664080A

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：CN201480079765.7

    申请日：2014-07-01

    申请人： 华为技术有限公司

    发明人： 马军 ,  乔治斯·特森格涅斯 ,  格罗弗·维克多·托瑞克·巴斯科佩

    IPC分类号： H03K17/06 ,  H02M1/38 ,  H02M3/158 ,  H03K17/13

    摘要： 本发明公开了一种同步整流控制单元和方法。所述同步整流控制单元包括电压传感电路25，用于检测电源开关14的体二极管导通以及输出对应所述体二极管导通的电压脉冲信号VDC。所述同步整流控制单元还包括捕获单元24，用于确定所述电压脉冲信号VDC的时长Tc以及将所述时长Tc存储在存储器中。所述同步整流控制单元还包括控制算法电路26，用于确定在即将到来的开关循环内要用于同步脉冲宽度调制(pulse width modulatio，PWM)控制信号SQ1或非同步PWM控制信号Q1的接通时间Ton和关闭时间Toff，其中所述接通时间Ton和关闭时间Toff的所述确定是基于所述存储的时长Tc。所述同步整流控制单元还包括PWM信号发生器32，用于通过使用所述确定的接通时间Ton和关闭时间Toff产生所述同步PWM控制信号SQ1以当所述电源开关在电路的同步侧时控制所述电源开关14的开关；或者产生所述非同步PWM控制信号Q1以当所述电源开关在电路100的非同步侧时控制所述电源开关14的开关。

    功率器件的开关控制方法
    79.
    发明公开
    功率器件的开关控制方法 无效

    公开(公告)号：CN104518766A

    公开(公告)日：2015-04-15

    申请号：CN201510015986.4

    申请日：2015-01-14

    申请人： 厦门海瑞斯智能有限公司

    发明人： 郑发辉 ,  苏雅琼 ,  陈俊友

    IPC分类号： H03K17/13

    摘要： 本发明涉及开关控制电路领域，尤其涉及对功率器件的开关控制。本发明提出一种功率器件的开关控制方法，包括如下步骤：A，对接有功率器件的开关回路进行过零点信号采集；B，根据采集到的相邻两个过零点信号的间隔时间△t来对一计时器的过零点计时周期Tgl进行同步校准；C，完成计时器的过零点计时周期Tgl的同步校准后，断开对开关回路进行过零点信号采集通道；D，当对功率器件的开关回路发出通断控制操作指令时，根据计时器的计时而延时至其下一个过零点时刻到来，再使开关器件执行通断切换操作。本发明避免了大功率器件的开关控制电路在对开关进行通断切换的过程发生打火花现象。