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公开(公告)号：CN106062958B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201480065680.3
申请日：2014-12-10
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 理查德·A·布兰查德 , 威廉·C·亚历山大
IPC: H01L29/739
Abstract: 用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。
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公开(公告)号：CN108886326A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680084415.9
申请日：2016-12-30
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大
CPC classification number: H02M3/33584 , H02M1/083 , H02M3/33576 , H02M5/225 , H02M7/4807
Abstract: 功率分组交换电路(以及方法和系统)，其中至少一个端口使用双向开关的串联连接的组合以通过可选择极性将连结电感器(或变压器)连接到外部线路。视情况，双向开关的串联连接的组合用于一些端口中的相脚，而单个双向开关用于其它端口中的相脚。这在转换器介接在显著不同的操作电压下的线路之间时可能特别有利。通过将B‑TRAN用作开关的组合的串联组合的元件，不需要分压电路来均衡每一组合中的各个装置所见的电压。
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公开(公告)号：CN106796951A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054265.2
申请日：2015-10-13
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/732
Abstract: 公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。
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公开(公告)号：CN106796951B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201580054265.2
申请日：2015-10-13
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/732
Abstract: 公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。
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公开(公告)号：CN106062958A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480065680.3
申请日：2014-12-10
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 理查德·A·布兰查德 , 威廉·C·亚历山大
IPC: H01L29/739
Abstract: 用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN108781076A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680083394.9
申请日：2016-12-30
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大
CPC classification number: H01L27/0694 , H01L29/1004 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L29/747 , H03K17/567 , H03K17/668
Abstract: 本申请公开了为B-TRAN类装置提供被动截止保护的新方法。即使控制电路不起作用，AC耦合也使用外部端子上的瞬变电压以防止将发射极结正向偏压。优选地，实施二极管模式和预截止操作的相同开关用作被动截止电路操作的一部分。
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公开(公告)号：CN108028603B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201680052122.2
申请日：2016-09-15
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
IPC: H02M3/158 , H03K17/60 , H01L29/747
Abstract: 用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。
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公开(公告)号：CN107371382B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580059244.X
申请日：2015-11-06
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大
Abstract: 本申请特别教示用于操作B‑TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B‑TRAN受所施加的电压控制，而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作驱动电路的优选实施方案以提供二极管模式接通和预切断操作以及具有低电压降的硬接通状态(“晶体管接通”状态)。在一些实施例中，自同步整流器电路提供栅极驱动电路的可调整的低电压。在一些优选实施例中，用于驱动c基极区域(在集电极侧上)的基极驱动电压变化，同时监视此端子处的基极电流，以使得不施加不必要的基极电流。这解决了优化B‑TRAN中的基极驱动的困难挑战。
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公开(公告)号：CN108028603A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052122.2
申请日：2016-09-15
Applicant: 理想能量有限公司
Inventor： 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
IPC: H02M3/158 , H03K17/60 , H01L29/747
Abstract: 用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。
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