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公开(公告)号：CN114650378A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111281416.1
申请日：2021-11-01
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/369
摘要： 本申请案涉及一种具有同时图像/视频及事件驱动型感测能力的光学传感器。光学传感器包含像素单元的像素阵列。每一像素单元包含：光电二极管，其用以响应于入射光而光生电荷；及源极跟随器，其用以响应于从所述光电二极管光生的所述电荷而产生图像数据信号。图像读出电路耦合到所述像素单元以读出从所述像素阵列的一行的所述像素单元中的至少一者的源极跟随器产生的所述图像数据信号。事件驱动型电路耦合到所述像素单元以读出响应于来自所述像素阵列的所述像素单元的另一行的所述光电二极管的所述电荷而产生的所述事件数据信号。所述图像读出电路经耦合以读出所述图像数据信号，且所述事件驱动型电路经耦合以从像素阵列同时读出所述事件数据信号。
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公开(公告)号：CN114650377A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210291667.6
申请日：2022-03-22
申请人： 维沃移动通信有限公司
发明人： 张威
摘要： 本申请实施例公开了一种摄像模组、摄像模组的控制方法以及电子设备；其中，所述摄像模组包括像素单元以及滤色单元；所述像素单元包括至少两个层叠设置的感光器件，每一个所述感光器件用于接收与该感光器件相对应波段的光；所述滤色单元设置于所述像素单元之上，所述滤色单元在滤光状态与全透光状态之间可切换；当所述滤色单元处于所述滤光状态时，用于透过与该滤色单元相对应波段的光，且透过的光可被相对应波段的感光器件接收；当所述滤色单元处于所述全透光状态时，用于透过不同波段的光，且透过的不同波段的光可被相对应波段的各个感光器件一一对应接收。
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公开(公告)号：CN114650359A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210292242.7
申请日：2022-03-22
申请人： 维沃移动通信有限公司
发明人： 黄长峰
摘要： 本申请实施例公开了一种摄像模组以及电子设备；其中，所述摄像模组包括像素单元以及可调光谱滤光片；所述像素单元包括多个层叠设置的感光层，每一个所述感光层用于接收与该感光层对应波段的光；所述可调光谱滤光片与所述像素单元相对设置；所述可调光谱滤光片在第一状态与第二状态之间可切换；当所述可调光谱滤光片处于第一状态时，能供第一波段光透过、第二波段光截止，与所述第一波段光对应波段的感光层在接收到所述第一波段光之后，生成第一感光电信号；当所述可调光谱滤光片处于第二状态时，能供第二波段透过光、第一波段光截止，与所述第二波段光对应波段的感光层在接收到所述第二波段光之后，生成第二感光电信号。
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公开(公告)号：CN111182247B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010010892.9
申请日：2020-01-06
申请人： OPPO广东移动通信有限公司
发明人： 杨鑫
摘要： 本申请实施例公开了一种像素结构、图像传感器及终端，像素结构为三角形，像素结构包括：至少三个光电转换单元和读出电路；至少三个光电转换单元中包括第一类光电转换单元、第二类光电转换单元和第三类光电转换单元，第一类光电转换单元和第二类光电转换单元沿像素结构入射光方向依次堆叠放置；第三类光电转换单元与第一类光电转换单元分布在同一截面，或者第三类光电转换单元与第二类光电转换单元分布在同一截面，三种光电传感器用于吸收不同特定波段的光信号。本申请这种两层堆叠的像素结构相比于三层堆叠的像素结构，降低了工艺难度和功耗，同时这种三角形的像素结构在组成图像传感器时像素密度较大，能够提高图像传感器的分辨率。
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公开(公告)号：CN114640812A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011478944.1
申请日：2020-12-15
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种图像传感器的复位与读出时序控制方法，所述图像传感器至少包括像素单元、行驱动电路、时序控制模块，所述行驱动电路通过行连接线传输行驱动信号至所述像素单元；所述时序控制方法包括：在复位行的像素单元执行复位操作的同时，读出行的像素单元的输出信号处于稳定过程中，读出行的像素单元进行读出操作，实现复位行像素单元复位和读出行像素单元读出的并行操作。本发明通过读出和复位同时操作，缩短行周期时间，提高帧率；利用行驱动电路与像素单元连接的行连接线上的电容来保持像素单元行驱动信号的状态以保证读出操作与复位操作同时进行。
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公开(公告)号：CN114640810A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111270718.9
申请日：2021-10-29
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146
摘要： 本申请涉及一种图像感测装置，该图像感测装置包括多个单位像素，其中，各个单位像素包括：光电转换区域，其设置在基板中，并且被配置为响应于入射光而生成光电荷；控制区域，其设置在基板中，并且被配置为接收控制信号并基于该控制信号在基板中生成电流以承载并移动光电转换区域中生成的光电荷；检测区域，其设置在基板中，并且被配置为接收电流并捕获由电流承载的光电荷；以及保护环区域，其被配置为围绕控制区域，其中，空穴电流在控制区域和保护环区域之间流动。
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公开(公告)号：CN114631189A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080075721.2
申请日：2020-12-03
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , G01S7/481 , G01S17/08
摘要： 提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。
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公开(公告)号：CN114616822A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080063513.0
申请日：2020-07-27
申请人： 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC分类号： H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 减小了包括布置在半导体基板的后表面上的光电转换单元的摄像元件的暗电流。该摄像元件包括：光电转换单元、贯通电极、电荷保持单元、后面侧高杂质浓度区域以及前面侧高杂质浓度区域。光电转换单元被布置在半导体基板的后表面上并且对入射光进行光电转换。贯通电极形成从半导体基板的后表面贯穿到前表面的形状，并且传输通过光电转换产生的电荷。电荷保持单元被布置在半导体基板的前表面上，并且保持传输的电荷。后面侧高杂质浓度区域被布置在半导体基板的后表面上的与贯通电极相邻的区域中，并且形成为杂质浓度比与半导体基板的中央部的贯通电极相邻的区域的杂质浓度更高。前面侧高杂质浓度区域被布置在半导体基板的前表面上的与贯通电极相邻的区域中，并且形成为杂质浓度比与半导体基板的中央部的贯通电极相邻的区域的杂质浓度更高。
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公开(公告)号：CN114600448A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074583.6
申请日：2020-12-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 町田贵志
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/369 , H01L27/146
摘要： 提供一种能够实现更优成像性能的摄像装置。该摄像装置在沿第一表面延伸的有效像素区域中包括：聚光光学系统，其会聚入射光；光电转换单元，其能够通过光电转换产生电荷，所述电荷对应于通过所述聚光光学系统的所述入射光的量；电荷保持单元，其能够保持从所述光电转换单元传输的所述电荷；和第一遮光膜，其在与所述第一表面正交的厚度方向上设置在所述光电转换单元和所述电荷保持单元之间，并阻挡所述入射光。所述聚光光学系统将所述入射光会聚在所述有效像素区域中在所述厚度方向上与所述第一遮光膜重叠的位置。
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公开(公告)号：CN114600440A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080068172.6
申请日：2020-09-18
申请人： 株式会社理光
发明人： 中泽政元
摘要： 一种光电转换元件包括：第一像素阵列，包括在一个方向上布置的第一光接收部分；以及第二像素阵列，包括在所述方向上布置的第二光接收部分。第一光接收部分中的每一个包括被配置为至少接收具有在可见光谱内的第一波长的光的第一像素和被配置为将来自第一像素的信号传输到后续级的第一像素电路。第二光接收部分中的每一个包括被配置为至少接收具有在可见光谱之外的第二波长的光的第二像素和被配置为将来自第二像素的信号传输到后续级的第二像素电路。第二像素电路在第二像素附近提供。
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