一种记忆元件通用模拟器
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    发明授权

    公开(公告)号:CN113095017B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202110210392.4

    申请日:2021-02-25

    IPC分类号: G06F30/36 G06F9/455

    摘要: 本发明提供一种记忆元件通用模拟器,电流反馈运算放大器U1作为输入端A并连接电流反馈运算放大器U3,电流反馈运算放大器U2作为可串联电阻或电感的第一变换记忆接口T1的正负端,电流反馈运算放大器U2作为输出端B并连接电流反馈运算放大器U4输出端B,电流反馈运算放大器U2与乘法器U5连接,乘法器U5两端共接后接地,乘法器U5与电流反馈运算放大器U3连接,电流反馈运算放大器U3开路,以电流反馈运算放大器U3、电流反馈运算放大器U4作为可串联电阻或电容的第二变换记忆接口T2的正负端,电流反馈运算放大器U4的两端分别开路、接地。便于模拟出忆阻器、忆容器和忆感器以用于非易失性存储器和神经网络、混沌电路等领域。

    一种薄膜电容的损耗计算方法及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN115062509A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210664437.X

    申请日:2022-06-13

    发明人: 李维

    IPC分类号: G06F30/23 G06F30/36

    摘要: 本发明提供了一种薄膜电容的损耗计算方法及计算机可读存储介质,损耗计算方法包括:第一电容母排上直流输入端P、直流输出端、电容芯子上的标定点位,第二电容母排上标定直流输入端N、直流输出端、电容芯子上的标定点位;建立仿真阻抗矩阵、电流矩阵、电压矩阵,并设立仿真阻抗矩阵乘积电流矩阵等于电压矩阵的等式,求解等式,以得到第一电容母排上任一直流输出端与第二电容母排上任一直流输出端的电流和电压;基于第一电容母排上任一直流输出端与第二电容母排上任一直流输出端的电流和电压计算损耗。采用上述技术方案后,可高效准确地仿真计算得到薄膜电容总损耗。

    一种传输门电路的版图及其设计方法

    公开(公告)号:CN115034166A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210736935.0

    申请日:2022-06-27

    IPC分类号: G06F30/36

    摘要: 本申请实施例提供一种传输门电路的版图及其设计方法,其中,该方法包括:将多个PMOS管沿第一方向并排放置,多个NMOS管与多个PMOS管一一对应且并排放置于多个PMOS管下方。每个PMOS管的源极和对应设置于其下方的NMOS管的源极连接,每个PMOS管的漏极和对应设置于其下方的NMOS管的漏极连接。每个PMOS管的栅极和对应设置于其下方的NMOS管的栅极均与不同的控制信号线连接。将每个PMOS管的源极相连接并沿第一方向布置第一信号线,将每个NMOS管的漏极相连接并沿第一方向布置第二信号线。将多个NMOS管的P型衬底与地线连接,地线呈封闭对称布置。本申请提供的版图设计方法使第一信号线和第二信号线分别对地线产生的寄生电容达到匹配,减小了寄生电容对电路性能的影响。

    一种模块化多电平换流器的子模块电容值计算方法及电子设备

    公开(公告)号:CN114896928A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202111577405.8

    申请日:2021-12-22

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G06F30/36

    摘要: 本发明属于高压直流输电和柔性直流输电技术领域,尤其涉及一种模块化多电平换流器的子模块电容值计算方法。根据设计MMC时所设计的调制比与MMC所连接的交流系统的角频率值,计算出MMC桥臂能量波动的幅值的最大值;再根据MMC桥臂子模块电压的最高限制值与桥臂子模块电压的额定值计算出桥臂子模块电容电压波动率最高限制值;根据所计算出的MMC桥臂能量波动的幅值的最大值与桥臂子模块电容电压波动率最高限制值计算出归一化的MMC的总储能需求;根据归一化的MMC的储能需求、MMC的额定视在功率、MMC桥臂子模块数和桥臂子模块电容额定电压,计算出桥臂子模块电容需求。本发明为变直流电压的MMC的电容用量计算提供了可行的方法。

    忆耦器等效模拟电路以及电子设备

    公开(公告)号:CN114841112A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210493616.1

    申请日:2022-05-07

    IPC分类号: G06F30/367 G06F30/36

    摘要: 本公开提供了一种忆耦器等效模拟电路以及电子设备,其中的模拟电路包括:第一跨导运算放大器、第二跨导运算放大器、第三跨导运算放大器、第四跨导运算放大器、模拟乘法器、积分运算电路、反向加法电路和直流信号源;第一跨导运算放大器的第一输入端作为忆耦器等效模拟电路的正极,第二跨导运算放大器的第一输入端作为忆耦器等效模拟电路的负极;第三跨导运算放大器和第四跨导运算放大器用于控制流入正极的电流与流出负极的电流相等;积分电路用于对电压信号进行积分运算;反向加法器用于将直流电压与积分电路输出的电压信号进行线性相加处理;本公开可以比较精确地模拟忆耦器,能够验证和分析忆耦器的特征,可以灵活地与其他电路器件连接。

    一种基于初等解析函数方程的求解电子线路的设计方法

    公开(公告)号:CN114781302A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210381318.3

    申请日:2022-04-12

    IPC分类号: G06F30/36 G06F17/11

    摘要: 本发明公开了一种利用电子线路求解初等解析函数方程的设计方法,该方法从不同的初等解析函数方程中,利用电子线路的方法求解该初等解析函数方程,通过万用表、示波器测量显示对应方程的解,制备能与单片机自动显示功能相兼容的PCB电路板,获得实际的教学用具。基于选择的方程形成对应的求解电路,基于所述方程的求解范围参数,选择所述求解电路适用的运算放大器、乘法器及除法器的型号参数,并计算所述求解电路所需的全部电阻值及电容值。本发明不仅将模拟电子技术的知识应用于复变函数方程的求解中,锻炼同学的动手能力,还能使得复变函数的学习更加生动形象,理工融合,激发同学创新能力。

    一种模拟电路网表人机协同标注系统及方法

    公开(公告)号:CN114662434A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202111650444.6

    申请日:2021-12-29

    摘要: 本发明公开了一种模拟电路网表人机协同标注系统及方法,该模拟电路网表人机协同标注系统包括:网表输入模块、网表自动标注模块、网表标注判断模块、网表人工标注模块和结果展示模块,网表输入模块用于对输入的网表数据进行基础的预处理;网表自动标注模块用于将处理过的数据输入BERT模型生成标注与标注的置信度;网表标注判断模块根据标注模块生成标签的概率进行置信度判断,判断是否需要人工标注的参与;网表人工标注模块将需要人工标注的网表输出进行人工标注;结果展示模块对自动标注结果进行展示。本发明提供了一种模拟电路网表人机协同标注系统及方法,通过BERT模型对网表进行标注,减少人工成本,以及提升效率。

    VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备

    公开(公告)号:CN114638187A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210158028.2

    申请日:2022-02-21

    IPC分类号: G06F30/36

    摘要: 本发明公开了VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统、仿真设备及存储介质。涉及仿真技术领域。将ESD防护加入VDMOS器件的仿真结构中,使得VDMOS应对外界电磁脉冲的自身条件更接近现实,可有效指导VDMOS电磁脉冲防护设计。仿真方法包括:构建模型,模型包括仿真模型和对比模型,仿真模型包括第一VDMOS以及与第一VDMOS电连接的静电防护结构,对比模型包括第二VDMOS;对对比模型所包括的第二VDMOS施加电磁脉冲,并获得脉冲曲线,以仿真第二VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系;对对比模型所包括的第二VDMOS所包括的栅氧层击穿的电磁脉冲阈值条件进行仿真,确定电磁脉冲阈值。对仿真模型所包括的电极施加电流脉冲,获得脉冲曲线,以仿真第一VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系。

    基于FPGA的模拟速度的脉冲生成装置、方法,及计算机设备

    公开(公告)号:CN110968972B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201811141186.7

    申请日:2018-09-28

    IPC分类号: G06F30/331 G06F30/36

    摘要: 本发明提出一种基于FPGA的模拟速度的脉冲生成装置、方法,及计算机设备,该装置包括中央控制器和FPGA模块,中央控制器和FPGA模块之间进行数据通信,其中,中央控制器,用于生成指令信息,并将指令信息发送至FPGA模块;FPGA模块,用于接收中央控制器发送的指令信息,并生成与指令信息所描述的参数对应的目标速度脉冲,其中,目标速度脉冲为连续且频率动态可变的速度脉冲。通过本发明能够有效满足脉冲持续性、可变性的脉冲输出需求,保障速度脉冲模拟控制的时效性。