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公开(公告)号：CN116264779A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111508237.7
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种有机铁电增强中子辐射探测器及其制备方法，该探测器包括底电极、半导体中子辐射探测器、有机铁电增强层和顶电极；本发明的有机铁电增强中子辐射探测器，突破传统聚乙烯中子转化层只能实现中子转化的固有属性，有机铁电增强层的材料为含有氢元素的有机铁电材料，不仅能实现中子转化，同时还具有铁电强极化特性，同时具备中子转化和铁电场增强的双重功能，在中子转化的同时给半导体探测器提供高的电场，在低偏压下实现高的探测效率。
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公开(公告)号：CN115799421A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211646649.1
申请日：2022-12-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L33/22 , H01L33/00 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请提供的二维纳米图形化衬底及制备方法，在支撑衬底上制备石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上沉积金属薄膜；将所述金属薄膜转变为非连续的金属纳米粒子；在所述金属纳米粒子掩膜刻蚀石墨烯图形；去除纳米石墨烯图形上的金属纳粒子掩膜；在所述石墨烯图形上生长氮化物材料，上述二维纳米图形化衬底及制备方法，相较于现有的电子束曝光、纳米压印和纳米小球掩膜等方案，其工艺简单可行，成本能够得到有效控制；其次，适用于大尺寸、批量化构建，以上对应技术细节均适用于此优势；最后，纳米图形尺寸等几何参数具有高度灵活可调性，对于后续高质量氮化物材料的侧向外延具有重要促进作用。
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公开(公告)号：CN115458627A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211154595.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于AlScN铁电材料的紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的基于AlScN铁电材料的紫外探测器，从下至上包括衬底，依次生长的n型氮化物层、AlScN光吸收层、顶电极，还包括在所述n型氮化物层的暴露区域上生长的底电极；所述AlScN光吸收层与顶电极形成肖特基接触，所述AlScN光吸收层与n型氮化物层形成异质结，所述n型氮化物层与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlScN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性优势，通过耦合AlScN的强铁电极化场与两侧电极界面内建电场，可以有效促进紫外光照下光生电子和空穴的分离和传输，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113948604A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111211405.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器，紫外探测技术领域，包括衬底，在衬底上依次生长的缓冲层、n‑AlGaN层、i‑AlGaN层、p‑AlGaN层；i‑AlGaN层和p‑AlGaN层位于器件的有源区之间的区域均被刻蚀掉，形成被分隔开的两部分p型有源区；还包括2个p型欧姆接触电极上电极，分别位于两部分p型有源区的p‑AlGaN层的上方，上电极与p‑AlGaN层形成欧姆接触；n‑AlGaN层作为基极连接两部分pin结构，形成p‑i‑n‑i‑p结构，光照下电子在所述n‑AlGaN层聚集，降低了所述n‑AlGaN层基极与p‑AlGaN层之间的势垒，引起空穴在p‑AlGaN层发射，产生增益。本发明还提供一种上述探测器的制备方法。本发明的探测器在具有高增益的同时，具有响应速度快的特性，性能优异、结构简单、制备方法简单、应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN110797430B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911084993.4
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224
Abstract: 单片双波段集成式传感器及其制备方法涉及传感器技术领域，解决了现有集成困难、红外探测性能弱和结构复杂的问题，该装置包括依次从上至下设置的自支撑氮化镓单晶体材料、缓冲层、二维氮化物薄膜层和红外传感器电极，还包括第一紫外传感器电极和第二紫外传感器电极，均在自支撑氮化镓单晶体材料上表面上且分设缓冲层和二维氮化物薄膜层的两侧。制备方法包括依次生长或制备自支撑氮化镓单晶体材料、缓冲层、二维氮化物薄膜层和红外传感器电极；在自支撑氮化镓单晶体材料上制备第一紫外传感器电极和第二紫外传感器电极、退火。本发明的制备方法新颖简单，制备的双波段传感器结构简单、双波段探测效果明显。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112531007A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910885329.3
申请日：2019-09-19
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法，包括：衬底；在衬底的背面制作而成的负极；在衬底的正面外延生长的n+型氮化镓层；在n+型氮化镓层上外延生长的n型氮化镓层，n型氮化镓层的外围具有圆环形高阻区，且n型氮化镓层上刻蚀有若干个梯度深度的沟槽，每一沟槽内生长有p型氮化镓；在n型氮化镓层、p型氮化镓和圆环形高阻区的表面制作而成的正极。本发明具有梯度深度的p型区域，可调节器件高电场强度区域的电场分布，同时通过双层外延氮化镓结构能形成良好的欧姆接触以及更好的PN结，有效提高了器件的性能，另外高阻区能有效抑制器件在高压下位于电极边缘的击穿，增强了器件的击穿性能。
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公开(公告)号：CN112489848A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011416015.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G21H1/06 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种半导体辐射电池主要包括：依次形成于衬底上的半导体转换层、石墨烯上电极、以及形成于衬底下方的金属下电极。利用石墨烯小原子序数的特点，突破传统Beta辐射电池中金属上电极对Beta粒子的沉积作用而导致的电池转换效率降低的弊端。实现一种Beta电子高透过率电极，同时结合石墨烯的高载流子迁移率，增强辐射产生电子‑空穴对的分离，进一步提高电池的转换效率，实现高效半导体辐射电池。
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公开(公告)号：CN112103305A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010991401.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了基于微图案化石墨烯的Micro‑LED阵列及其制备方法、显示装置，该阵列包括：衬底；图案化石墨烯层，其阵列分布在衬底一侧；电子注入层，位于衬底靠近图案化石墨烯层一侧，电子注入层在衬底上投影位于相邻图案化石墨烯层之间；多量子阱层，位于电子注入层远离衬底一侧；空穴注入层，位于多量子阱层远离衬底一侧；n型接触电极，位于图案化石墨烯层远离衬底一侧；p型接触电极，位于空穴注入层远离衬底一侧。本发明Micro‑LED阵列，石墨烯良好的导电性还能够直接作为Micro‑LED的底电极，图案化石墨烯层与电子注入层之间接触形成良好的导电通路，实现电子由图案化石墨烯层到Micro‑LED的有效注入。
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公开(公告)号：CN109309131B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811072896.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法，属于半导体探测器领域，解决了现有碳化硅辐射探测器存在的探测效率低、漏电流大的问题。该探测器包括：碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层为双台面结构；设置在碳化硅外延层上的石墨烯透明电极；设置在碳化硅外延层上的二氧化硅钝化层；设置在石墨烯透明电极上的阴极金属电极和阳极金属电极；分别键合在阴极金属电极和阳极金属电极上的电极引线。本发明将石墨烯透明电极应用到辐射探测器中，采用双台面工艺，提供一种具有高有效探测区域、高探测效率、低漏电流、耐高温、耐辐射的石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法。
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公开(公告)号：CN112038448A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010854740.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供的AlGaN单极载流子日盲紫外探测器，基于AlGaN极化效应，利用p-AlzGa1-zN/i-AlyGa1-yN/n-AlxGa1-xN(0.45＝
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