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公开(公告)号：CN206293410U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621458525.0
申请日：2016-12-29
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 本实用新型涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架，栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架之间保持一定距离，耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面作为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面；所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架的部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架之外，形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚，栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚形成的平面与贴片平面平行。本实用新型通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
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公开(公告)号：CN208580747U
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201821456297.2
申请日：2018-09-06
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种栅极双箝位的IGBT器件，其包括设置于栅电极区内的栅极电压箝位结构，所述栅极电压箝位结构包括位于栅极金属层正下方的第三掺杂区、位于所述第三掺杂区内的第二掺杂区以及位于所述第二掺杂区的第一掺杂区；第一掺杂区位于第一导电类型漂移区内，第一掺杂区的掺杂类型与第三掺杂区的掺杂类型相一致，第一掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型不同；第一掺杂区与栅极金属层欧姆接触，第三掺杂区与发射极金属欧姆接触。本实用新型结构紧凑，降低IGBT器件的栅电极被正负栅压过高尖峰的影响，避免出现栅压过高时短路电流急剧增大而导致IGBT器件的烧毁，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207602575U
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201721858600.7
申请日：2017-12-27
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本实用新型结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206388679U
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201621458524.6
申请日：2016-12-29
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本实用新型涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本实用新型所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
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公开(公告)号：CN208460768U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201821409293.9
申请日：2018-08-29
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
摘要： 本实用新型涉及一种IGBT器件，尤其是一种高抗闩锁能力的IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。元胞沟槽呈倒T字型，源极接触孔呈T字型，在源极接触孔的第二孔区内设置接触孔电介质层，从而能对第一导电类型漂移区内的载流子流通路径进行引导，即使得空穴载流子绕开元胞沟槽的槽底向元胞区集中，在T字型源极接触孔的作用下，可以使得空穴在有源区零电位的吸引下，绕开第一导电类型源区，并能竖直向上集中流向第一孔区，从而使得IGBT器件中寄生晶闸管更难达到闩锁条件，提高IGBT器件的抗闩锁能力，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207818574U
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201721860534.7
申请日：2017-12-27
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/552
摘要： 本实用新型涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件，其元胞结构包括第二导电类型体区、第一导电类型源区以及栅极多晶硅体，栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅，控制栅、屏蔽栅分别通过控制栅氧化层、屏蔽栅氧化层与第一导电类型外延层间隔；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；在所述第一导电类型外延层上方还设置发射极金属，所述发射极金属与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及屏蔽栅欧姆接触，且发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。本实用新型结构紧凑，能有效降低IGBT器件的米勒电容，提高IGBT开关速度，从而降低IGBT器件的功耗，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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