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公开(公告)号：CN101719489B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910241516.4
申请日：2009-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/60 , H01L29/868
Abstract: 本发明涉及一种超低寄生ESD保护器件，其包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。因此本发明具有寄生电容超低，寄生电阻超低的特点，并可保证优越的泄放能力。
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公开(公告)号：CN102370496A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110268242.5
申请日：2011-09-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: A61B7/04
Abstract: 本发明公开了一种胎心音监测仪，包括压电薄膜传感器、控制电路及显示部件，所述控制电路与所述压电薄膜传感器通过导线电性连接。本胎心音监测仪采用压电薄膜传感器来感应孕妇腹中胎儿的心跳运动引起的孕妇腹部皮肤的机械振动，并将其转变为相应的电荷信号，由控制电路对该电荷信号进行放大、滤波、模数转化、分离等处理，最后输出得到相应的监测结果。本发明的胎心音监测仪具有监测信号灵敏、准确、线性好、易于生产制造等优点，更多的优点是本发明的胎心音监测仪使用方便，对母子无任何损伤作用，因此可以成为介于胎心听诊器和超声多普勒胎心音检测仪之间的临床诊断和孕妇自检的医疗辅助仪器。
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公开(公告)号：CN102354668A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110308483.8
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料，然后将石墨烯转移到淀积有介质材料的碳纳米管上，将碳纳米管的电极引出，并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。本发明可以同时制备出两种结构的碳基纳米材料晶体管，即半导体性碳纳米管做沟道、石墨烯做栅电极的晶体管和金属性碳纳米管做栅电极、石墨烯做沟道的晶体管结构。
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公开(公告)号：CN102222891A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110166467.X
申请日：2011-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/00
Abstract: 本发明公开了一种利用电流镜的电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，包括：依次连接的电容-电阻模块(1)、钳位晶体管开启模块(2)和钳位晶体管(4)，还包括：钳位晶体管关断模块(3)，分别与所述电容-电阻模块(1)和钳位晶体管(4)连接。本发明通过在电源钳位ESD保护电路中引入电流镜结构，使得电容-电阻模块中的电容等效增大数倍，并延长了钳位晶体管的开启时间，提高了ESD保护的可靠性，另外，电路结构运用新型反相器替代传统反相器也延长了钳位晶体管的开启时间，以满足集成电路泄放静电电荷时的需求，确保了钳位晶体管在ESD保护期间泄放能力稳定在一个很高的水平。
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公开(公告)号：CN102170118A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110108194.3
申请日：2011-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明提供了一种电源箝位ESD保护电路，包括：电源管脚；接地管脚；R-C电路，用于感应ESD电压，包括连接于电源管脚和第一节点之间的阻抗元件和连接在第一节点和第二节点之间的容抗元件，其中，第二节点并非直接连接到接地管脚；触发电路，其连接于电源管脚、接地管脚和R-C电路之间，用于根据第一节点和第二节点的电平产生一个ESD触发信号；偏置电路，其连接在电源管脚和接地管脚之间，用于为第二节点提供一个偏置电压；以及，箝位电路，其连接在电源管脚、接地管脚和触发电路之间，用于在接收到ESD触发信号后提供一个电源与地之间的低阻通道，以泄放静电电流。该电路能够有效抑制静电保护电路的漏电电流，有效保护内部电路不受静电损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102055980A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010620003.7
申请日：2010-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种用于视频编码器的帧内预测电路的实现方法，所述方法包括：将高级程序语言算法描述的视频编码器的帧内预测电路的各个函数映射成由算子单元构成的硬件逻辑描述；由所述算子单元构成的硬件逻辑描述生成帧内预测电路的硬件集成电路。应用本发明，使得系统工程师在保证不损伤数字高清视频编码的前提下，根据足以支撑描述高级语言算法的完备算子单元库，通过设计表示硬件逻辑的算子单元，能够以较快的速度设计出帧内预测电路的硬件集成电路。并且，该种帧内预测电路还可以与视频编码器内的其它专用集成电路ASIC部分进行并行流水操作，加快了视频编码器的ASIC的设计速度。
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公开(公告)号：CN102055474A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910235860.2
申请日：2009-10-28
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开一种折叠器、折叠插值型模/数转换器。其中，折叠器包括折叠放大电路和输出负载电路，所述折叠放大电路包括奇数个折叠块，所述折叠块由N型MOS管折叠块和P型MOS管折叠块交错排列连接，其中，所述多个N型MOS管折叠块的第一输出端相连接，所述多个N型MOS管折叠块的第二输出端相连接；所述每一P型MOS管折叠块的两个输出端分别与相邻的两个N型MOS管折叠块相连接。本发明使折叠器的功耗大大降低，并且，输出节点处的寄生电容大大减少，从而有利于提高折叠器的速度和改善折叠器的动态性能。
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公开(公告)号：CN102054108A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010620046.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种集成电路下层硬件映射的方法及装置，所述方法包括：程序分析步骤，读取分析程序，匹配出被映射的执行对象和参数对象；数据控制流图生成步骤，将执行对象和参数对象映射成数据控制流图中的相应节点；算子时空图生成步骤，从算子单元库中取出对应的算子单元将数据控制流图展开成算子时空图；时序约束步骤，根据总时序约束对算子时空图的每个层级进行时序约束；时空图压缩步骤，根据时间标注对时空图进行空间上的聚类压缩。本发明还公开了一种时空图的压缩方法及装置，所述方法包括：通过引入控制算子的方式将运算属性相同和/或存储属性相同听算子在空间上进行合并压缩。通过上述方法和装置，提高了集成电路的设计速度。
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公开(公告)号：CN101293629B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810004331.7
申请日：2008-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，该方法包括：制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极；将碳纳米管和/或纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和/或纳米线的悬浮液；将芯片浸没于所述悬浮液中，在上述电极上施加交流电或直流电；取出芯片，吹干，在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或纳米线的的分叉结构。本发明利用交变电场或交变的感应电场获得Y或T形的分叉结构，其可控性好、方法简单、效率高；同时，由于所获的分叉结构与电极相连，可以在同一芯片上原位实现分叉结器件或结器件阵列，为纳电子器件提供新的集成方法。
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公开(公告)号：CN101740619A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226509.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种纳米线场效应晶体管。该晶体管是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，中心区为芯-壳结构，该芯-壳结构同轴；栅介质层全包围中心区，栅电极全包围栅介质层；源区和漏区分别位于中心区的两侧。其中，中心区的芯结构为绝缘体材料，壳结构为半导体材料；该壳结构材料的掺杂类型及掺杂浓度可调。该芯-壳结构的长度、壳半径以及芯半径可调；另外，该晶体管中，栅介质层、栅电极层、源区和漏区的材料均可调，栅介质层的厚度、源区和漏区材料的掺杂类型及掺杂浓度均可调。绝缘体芯结构的引入能有效降低传统纳米线晶体管的关态电流，提高器件的电流开关比，同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。
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