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公开(公告)号：CN115780938A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211549716.8
申请日：2022-12-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种线切割机的切割线监测方法及装置，涉及线切割机控制技术领域，实时获取针对线切割机内的观测件的监测视频，所述观测件用于反映所述线切割机内的切割线的工作状态，对所述监测视频抽帧，得到目标抽帧图像，分析目标抽帧图像内的观测件的工作位置相对于观测件静止位置的晃动幅度，若所述晃动幅度超过预设的最大晃动幅度，发出预警信号。本申请所述的一种线切割机的切割线监测方法及装置，通过预警信号，提前预警切割线出现断裂，以便技术人员及时处理，也减少断线次数，减少换线的工时浪费，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN114290132A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111660362.X
申请日：2021-12-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片的表面处理方法，碳化硅晶片包括A表面和B表面；其表面处理方法包括：A)将碳化硅A表面涂覆树脂膜，得到平整的A表面的碳化硅；B)将A表面固定，将B表面进行打磨；C)去除碳化硅A表面的树脂膜，固定打磨后的B面，将A面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片；D)将双面打磨的碳化硅晶片抛光，即得。采用上述方法制备的碳化硅单晶抛光片，表面翘曲度小于20μm,弯曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。
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公开(公告)号：CN112871849A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011589843.1
申请日：2020-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02 , C11D3/60 , C11D3/04 , C11D3/06 , C11D3/33 , C11D3/43 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法，本发明中的有机清洗通过碱性有机溶剂+机械作用相结合的办法，来去除表面黏着的蜡质、抛光液中的无机研磨液、硅溶胶和其余的大颗粒；无机清洗通过化学药液和机械作用相结合的办法来进一步去除碳化硅表面的小颗粒；表面钝化通过氧化作用来去除碳化硅表面的悬挂键，防止颗粒的再次吸附污染。本发明中的方法清洗的晶片通过Candela 920测试，0.3um以上颗粒数小于300个，合格率可以达到90％以上。
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公开(公告)号：CN117904718A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311865484.1
申请日：2023-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长高质量大尺寸碳化硅晶体的装置，包括中继环，所述中继环为热解石墨块材，中继环位于生长坩埚和石墨盖中间，生长坩埚上部被生长原料覆盖，石墨盖被碳化硅籽晶覆盖，中继环内表面暴露在生长气氛中。本发明提供的碳化硅生长装置中，中继环使用热解石墨块材，可彻底避免石墨件表面腐蚀颗粒进入晶体中，减少了缺陷的产生，提高了碳化硅晶体质量。另外，热解石墨化学稳定性好，耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，与熔融金属、炉渣和其他腐蚀性介质均不反应，这些特性增加了热解石墨的耐用性，可重复用来生长碳化硅晶体，有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN117381602A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311326491.4
申请日：2023-10-13
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶体加工设备及加工方法，该设备包括：设备底座、第一立柱、第二立柱、第一悬臂、第二悬臂、设备工作台、测量模块、主轴、砂轮模块以及磨床控制系统；设备工作台用于固定待加工碳化硅晶体，并按照预设移动轨迹移动至测量模块的测量工作区域或砂轮模块的加工区域；测量模块用于测量待加工碳化硅晶体的晶面角度偏差值，并将晶面角度偏差值反馈至磨床控制系统，以使得磨床控制系统基于晶面角度偏差值控制设备工作台进行台面角度调整以及控制砂轮模块对待加工碳化硅晶体进行磨削加工。由此，本申请实施例提供的设备实现在一台设备内对碳化硅晶体的晶面测量、调整、加工、校验的功能，加工精度提高，且加工效率得到保障。
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公开(公告)号：CN114990696B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210573832.7
申请日：2022-05-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN116408720A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111642211.1
申请日：2021-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B49/00 , B24B37/34 , B24B41/00 , B24B53/017 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种抛光设备，包括加压模块和承载盘，所述承载盘设置有研磨区，所述加压模块用于将晶圆压紧在所述研磨区上；所述研磨区与所述加压模块的施力部之间形成凹陷结构，以将所述加压模块施加于晶圆的力分散至所述施力部的中心或者边缘。本发明提供的抛光设备，在加压模块通过施力部压紧晶圆至承载盘上的研磨区时，将研磨区与施力部之间形成凹陷结构，压力会由于凹陷结构的存在而分散至施力部的中心或边缘，从而使施力部从晶圆四周对晶圆施加压力，解决了晶圆由于一侧受力大而在加工过程产生偏斜的问题。本发明还公开了一种抛光设备的加工方法。
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公开(公告)号：CN116024664A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211663903.9
申请日：2022-12-21
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/36
摘要： 本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的厚度小于400微米，弯曲度bow值不大于‑1微米，且满足Y＝‑A/X，其中，X为厚度，Y为弯曲度bow值，A为300～8000，warp值不大于bow值绝对值的3倍。与现有技术相比，本发明一方面可提供更薄厚度的衬底，从而增加同等厚度SiC晶体产出晶片的数量，降低成本；另一方面，通过特定的几何外形及结晶的原子面弯曲保证下游外延、器件对晶片制作过程中的要求；第三方面提供低厚度衬底同时外形翘曲变化可以满足整个产业链的要求，也极大降低器件环节的减薄成本。
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公开(公告)号：CN115091544A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210737736.1
申请日：2022-06-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种抛光垫打孔装置，包括外壳、打孔柱和抛光垫支撑腿；外壳内设有气动活塞；外壳设有外置接口，用于外接气泵；打孔柱的第一端固定于气动活塞，第二端伸出外壳外，且第二端处安装有打孔头；打孔柱和外置接口位于气动活塞两侧；抛光垫支撑腿固定于外壳，并且抛光垫支撑腿和打孔柱的第二端位于外壳的同侧。上述抛光垫打孔装置中，气动活塞安装有打孔柱，能通过气动方式驱动气动活塞移动，从而使打孔柱的打孔头对布置于抛光垫支撑腿的抛光垫进行打孔，相比于现有技术中人工打孔的方式，避免人工利用锤子和钉子多次敲击抛光垫进行打孔，能显著提高效率，避免影响产品的研抛进度。本发明还提供应用上述抛光垫打孔装置的自动供液研抛设备。
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公开(公告)号：CN114990696A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210573832.7
申请日：2022-05-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。
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