公开(公告)号：CN110310891A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910577237.9

申请日：2019-06-28

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

摘要： 本发明涉及一种金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属纳米颗粒，从而使金属纳米颗粒高效稳定均匀地填充在模板的孔道中，从而通过孔道有序调节与控制金属纳米颗粒的排布情况及填充厚度，且提高生产效率；再对金属纳米颗粒进行加热退火处理获得直径大小均匀的金属纳米线，去除阳极氧化铝模板后获取金属纳米线成膜液，将金属纳米线成膜液沉积在基板上，从而获得厚度均匀稳定的金属纳米线导电薄膜，从而降低金属纳米线导电薄膜的雾度，实现更高的透明性和导电性。

公开(公告)号：CN110289208A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910576855.1

申请日：2019-06-28

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

摘要： 本发明涉及一种铜导电层的制备方法及薄膜晶体管，该铜导电层的制备方法通过在基板和铜膜之间沉积金属基体，能够在使得后续步骤中铜膜沉积并附着在金属基体上，有效增加基板与铜膜之间的结合力，防止铜层剥落，使得包括金属基体和铜膜的铜导电层的稳定性更高；通过在惰性且温度小于100℃的环境中脉冲交替通入铜源前驱体和还原性气体，能够沉积表面粗糙度小、成膜连续致密且上下表面不易被氧化的铜膜，因而使得铜导电层整体与基板的结合力强，且电阻率低、电子迁移率高以及稳定性高。

公开(公告)号：CN115469485A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211359354.6

申请日：2022-11-02

申请人： 惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  夏玉明 ,  都桂卿 ,  何志鹏 ,  郑浩旋

IPC分类号： G02F1/1337

摘要： 本申请提供一种曲面显示面板及其制备方法、显示装置，曲面显示面板包括第一基板、第二基板、液晶层、第一配向层和第二配向层，所述第一基板与所述第二基板相对设置。所述第一配向层设于所述第一基板朝向所述第二基板的表面，所述第二配向层设于所述第二基板朝向所述第一基板的表面，所述液晶层位于所述第一配向层和所述第二配向层之间；所述第一配向层包括多孔结构层和配向材料，所述多孔结构层设有多个填充孔，所述多孔结构层连接于所述第一基板朝向所述第二基板的表面，且多个填充孔垂直于所述第一基板的表面，所述配向材料填充于多个所述填充孔。本申请提供的技术方案能够减少曲面显示面板的显示影像中的暗团现象，提升显示效果。

公开(公告)号：CN115172281A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210886100.3

申请日：2022-07-26

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  夏玉明 ,  朱虹玲 ,  康报虹

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在基板上形成栅极和栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第一有源层。通过本申请的制备方法制备得到的阵列基板的结晶度及原子有序性较高，电子迁移率高达2‑10cm2/Vs，能够适用于大尺寸(例如大于65寸)、高分辨率(例如8k)、高刷新率(例如大于等于120Hz)的显示面板。

公开(公告)号：CN110379819B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910500007.2

申请日：2019-06-11

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：在一衬底基板上依次形成第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层；对第二金属层进行蚀刻形成暴露出所述非晶硅层的沟道；利用氧气等离子体处理所述沟道，在所述非晶硅层上形成硅氧化物层；在所述第二金属层以及所述硅氧化物层上形成钝化层，在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层包括含氮和/或硅的化合物。利用氧气等离子体对沟道中进行处理，以使得钝化层与非晶硅层可以通过共价键等形式，进而减少二者界面接触的缺陷，从而提高界面的平整度和器件的稳定性。

公开(公告)号：CN110438472B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201910564625.3

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锌前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的镓前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；重复预设次数上述的步骤以形成铟镓锌氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN112909087A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110253417.9

申请日：2021-03-08

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗 ,  余思慧

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：基板以及设于基板上的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、漏极以及绝缘保护层；栅极绝缘层包括第一氮化硅层、设于第一氮化硅层上的第二氮化硅层以及设于第二氮化硅层上的第三氮化硅层，其中，第三氮化硅层位于沟道层与第二氮化硅层之间，且第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1，通过使第三氮化硅层中的含硅量大于含氮量，促进栅极绝缘层与沟道层之间的界面处的硅原子的原子化学键接触更加紧密，同时也可以改善其界面应力，提高界面应力的匹配性，提升薄膜晶体管器件的稳定性。

公开(公告)号：CN110459474B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910564636.1

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层；在金属层上方形成光阻层；使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；第一次湿蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；第一次干蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，并将光阻薄层完全蚀刻；第二次湿蚀刻去除沟道区的金属层以及金属氧化物，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；第二次干蚀刻使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度。提高了产品性能。

公开(公告)号：CN111916353A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010741292.X

申请日：2020-07-29

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 夏玉明 ,  叶利丹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本申请公开了一种显示面板的制作方法和显示面板，包括形成阵列基板的制程，形成阵列基板的制程包括步骤：在玻璃基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成光阻层；将形成有光阻层的基板放入活化剂中进行活化处理，活化剂与光阻层接触的对应位置形成第一预设图案的活化液粒子层；活化剂与缓冲层接触的对应位置形成第二预设图案的活化液粒子层；去除光阻层及形成第一预设图案的活化液粒子层；进行化学镀操作，对应与缓冲层接触的第二预设图案的活化液粒子层的位置，形成第一金属层。本方案中，由于使用化学镀操作，不需要通电，从而形成第一金属层，这样节能环保，改善电镀的高污染高能耗问题。

公开(公告)号：CN110330235A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910504743.5

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C03C17/25 ,  C01B33/155 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板。其中，所述多孔二氧化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂；向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液，并将溶胶液陈化得到凝胶液；将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。本发明的技术方案能够降低钝化层的介电常数，减小其寄生电容，从而减小漏电流，并且能够有效地避免信号串扰和RC电路延时等问题。