公开(公告)号：CN1450661A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03113462.9

申请日：2003-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱俊 ,  刘治国

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6％，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。

公开(公告)号：CN1379460A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN01113731.2

申请日：2001-06-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 杨彬 ,  胡卫生 ,  陈延峰 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/00

Abstract: 高TC铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件,利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高TC铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT),在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E,生长温度低于Tc。本发明提供了一种高TC铁电薄膜取向控制生长方法,用此生长方法得到铁电存储器原型器件,其剩余极化较大,抗疲劳性好,具有较好的实用前景。

公开(公告)号：CN1184863A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN96117210.X

申请日：1996-12-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  胡卫生 ,  冯端

IPC: C30B30/00 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场,使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列,从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相淀积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一,两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的,在10V/cm量级。

公开(公告)号：CN1168981A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN96116970.2

申请日：1996-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 骆桂蓬 ,  祝世宁 ,  刘治国 ,  朱永元 ,  葛传珍 ,  陆亚林 ,  闵乃本

IPC: G02B5/18

Abstract: 一种在紫外吸收材料表面制作光栅的方法，它是用准分子激光脉冲的干涉条纹直接作用于紫外吸收材料表面，使表面刻蚀出周期结构，制作出光栅。本方法制作的光栅，原子力显微镜表明，有波纹形的表面，有良好的周期性，刻蚀深度均匀，刻槽光滑，用本方法便于工业化制作光栅滤波器、光栅耦合器、光栅透镜或分布反馈Bragg光栅。