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公开(公告)号：CN1083266A
公开(公告)日：1994-03-02
申请号：CN92109725.5
申请日：1992-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2—40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作，设备无须大的变动。
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公开(公告)号：CN119980456A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510224531.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种基于叔丁醇前驱体的常压MOCVD外延生长α‑ Ga2O3薄膜的方法。包括以下步骤：清洗衬底，将清洗过的衬底置于金属有机化学气相沉积设备的反应室基座上；向反应室中通入氮气，将反应室的气压调至常压；对反应室中的衬底进行高温预处理，高温预处理的条件为1000~1200℃、15~30 min；将衬底降温到570~630℃，以三乙基镓为镓源前驱体，叔丁醇为氧源前驱体，在衬底上生长α‑Ga2O3薄膜样品；对α‑Ga2O3薄膜样品进行降温至室温，同时通入氮气，得到α‑Ga2O3薄膜。利用本发明的方法能够制备得到高质量、高速生长的纯相亚稳态α‑Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN119486239A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411668146.3
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超高K介质包裹凹槽栅的增强型MOSHEMT器件，其结构依次包括：衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的两侧分别设有源极和漏极，在势垒层中间靠近源极的部位设有一凹槽，在势垒层除源极和漏极以外的区域设有钝化层，在钝化层上设有超高K栅介质层，在超高K栅介质层对应势垒层凹槽的上方设有凹槽栅极，还设有超高K介质层覆盖凹槽栅极。还公开了其制备方法。本发明引入高质量超高K介质并利用其产生的极化电荷协助栅下2DEG的耗尽和积累，实现具有高阈值电压和高跨导的增强型HEMT器件；栅金属沉积后二次覆盖超高K介质层形成包裹凹槽栅，利用栅边缘靠近漏端区域的极化电荷可有效降低尖峰电场，实现高击穿电压。
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公开(公告)号：CN119380859A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411622127.7
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京大学
IPC: G16C20/30 , G16C20/70 , G16C10/00 , G06F18/243 , G06F18/2411 , G06F18/2413
Abstract: 本申请公开了一种内分泌干扰物定量活性的预测方法，涉及内分泌干扰物的虚拟筛查领域，包括：获取核受体体外实验数据，并剔除实验数据中的重复数据，以及剔除不包含简化分子线性输入规范SMILES表示的化合物集；采用分子指纹方法，提取化合物的一级、二级和三级特征结构。针对每一个化合物簇，构建基于机器学习或定量read‑across的定量预测模型，用于预测化合物的定量活性值；针对现有技术中内分泌干扰物定量活性预测效率低，本申请提取化合物的多级结构特征，针对不同规模的化合物结构簇构建相应的定量预测模型。通过分子对接和分子动力学模拟，从结构生物学角度研究内分泌干扰物与核受体的相互作用机制等，提高了效率。
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公开(公告)号：CN119300372A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411797000.9
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构的氧化镓基异质结双极晶体管及其制造方法，晶体管包括从下至上依次排列的Ga2O3集电极、NiO基极和Ga2O3发射极；NiO基极上位于Ga2O3发射极两侧均设置有基极电极；Ga2O3集电极与NiO基极形成n‑p结，NiO基极与Ga2O3发射极形成p‑n结。在有效地提升了电流增益的同时，增强了器件耐压能力。本发明为目前尚缺乏深入研究的氧化镓基双极晶体管提供了基础，有助于高压大功率双极晶体管的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118726942A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410728571.0
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝模组及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请的热丝模组，包括第一热丝阵列、第二热丝阵列、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；第一热丝阵列和第二热丝阵列分别形成于多个第一固定柱与多个第二固定柱沿第三方向的两端。本申请提供的热丝模组，可实现基体两面金刚石薄膜的同时生长，极大地提高了HFCVD设备的生长效率，且模块化拓展；进一步采用双层气流技术，可实现金刚石薄膜的高效掺杂，有效降低环保与安全的成本支出。
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公开(公告)号：CN118693179A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411175841.6
申请日：2024-08-26
IPC: H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种4H‑SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及半导体紫外雪崩光电探测器技术领域。该4H‑SiC雪崩光电探测器中的外延台面结构以所述外延台面结构在 晶向上的最宽处中垂线为界面，位于所述界面两侧的外延台面结构在 晶向上的平均宽度不相等，形成一种在 晶向上具有非中心对称的外延台面结构，以减小载流子屏蔽区域，进一步增大器件有效的雪崩面积，提升器件的单光子探测性能。
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公开(公告)号：CN118326333A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452509.3
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，利用同质靶材与异质靶材本身的不同生长机制，可以同时获得表面平整的AlN薄薄膜，且具有较快的生长速度，可以很好地兼容大批量低成本制备工艺。同时，采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，有利于在后续高温退火中释放再结晶应力，可以实现低应力的AlN晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN118099243B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410506023.3
申请日：2024-04-25
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开一种深紫外光广角探测封装结构，属于深紫外光信号探测技术领域。封装结构包括底座、深紫外探测器、管壳、衬底和超构透镜，超构透镜的排布方式包括单独整体排布、环形排布和扇形排布中的任意至少一种；单独整体排布的超构透镜整体用于将全角度入射光聚焦于深紫外探测器；环形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个环形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点；扇形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个扇形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点。本发明利用超构透镜实现多角度入射光聚焦的技术，解决大角度入射光信号被挡住导致的探测器探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN118156304A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410355361.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种引入p‑NiO RESURF和场板结构的硅基HEMT器件及其制备方法，引入较低浓度的p‑NiO RESURF和场板混合的终端结构，其与p‑NiO栅电连接，这种新结构可以实现高击穿电压和低特定导通电阻。通过选择性面积再生，可以采用无刻蚀工艺沉积p‑NiO RESURF结构，避免了干法刻蚀引起的界面损伤。通常p‑NiO RESURF层的引入会耗尽底层的2DEG，导致输出电流降低。我们将p‑NiO RESURF层连接到栅极上，利用栅极正电压产生的场效应来恢复电子浓度从而增加输出电流。当栅极施加负电压时，在RESURF中形成耗尽区，从而实现高击穿电压。
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