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公开(公告)号：CN104993052B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510359744.7
申请日：2015-06-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能，使其反复擦写可靠性得到很大提升；并且采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106953010A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710129601.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0032 , H01L51/0516
Abstract: 本发明涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极，所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。
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公开(公告)号：CN106684244A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610953991.4
申请日：2016-11-03
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能，更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储，并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能，具有很好的机械柔韧性。
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公开(公告)号：CN105624820A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610066234.5
申请日：2016-01-30
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: D01F6/44 , D01F1/10 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种聚苯乙烯/卟啉衍生物复合纳米纤维及其制备方法和应用，原料包括聚苯乙烯和卟啉衍生物，所述卟啉衍生物的结构式为：其中，R1为吡啶基或苯基的一种，R2为不饱和键或芳香官能团中的一种，R1、R2相同或不同。该复合纳米纤维通过静电纺丝法制得，作为电荷存储层应用于晶体管存储器。该复合纳米纤维作晶体管存储器的电荷捕获层具有较高的比表面积，能提高存储器的存储窗口，并有利于载流子在器件各功能层间的有效传递。
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公开(公告)号：CN105622901A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610151565.9
申请日：2016-03-16
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C08G61/12 , C07D519/00 , H01L51/00
CPC classification number: C08G61/126 , C07D519/00 , C08G2261/11 , C08G2261/1424 , C08G2261/143 , C08G2261/148 , C08G2261/18 , C08G2261/334 , C08G2261/598 , C08G2261/91 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一类打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构：制备方法：先通过环戊并二噻吩酮或者其衍生物与格氏试剂反应制备叔醇，然后在室温下，通过叔醇的傅克均聚反应，合成打断共轭型聚合物。本发明提供的聚合物材料有很宽的紫外吸收峰、窄的能带结构和电化学稳定性良好并可以捕获电子等性能特点，在有机电存储、太阳能电池和近红外探测领域具有很好的应用前景。且该材料的制备方法具有操作简单、反应条件温和、产率高等特点，易于工业应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336860A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510756950.1
申请日：2015-11-09
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/001 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种柔性低电压有机场效应晶体管及其制备方法，在栅极和半导体层界面间增加三层聚合物做绝缘层，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高绝缘性聚合物、高介电常数材料的聚合物、高绝缘性聚合物、栅电极、柔性透明塑料衬底，这一结构的介电层既具有优异的绝缘性，同时也具有较好的稳定性。通过测量电学性质与半导体粒子生长形貌，可以判定本器件是一个柔性低电压有机场效应晶体管。本发明的优点是，该有机场效应晶体管能够在低电压下实现高迁移率、较大的开关比，并且在施加偏压及高温条件下也能维持较好性能，同时在不同的弯曲方式下也具备较好的稳定性质。
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公开(公告)号：CN103145116A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210576852.6
申请日：2012-12-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C01B31/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备选择性还原氧化石墨烯的方法及利用其制备电存储器的方法，通过银盐的催化，在较低的温度下，实现了氧化石墨烯片层上含氧官能团的选择性的还原；制备的器件的存储性能远高于以氧化石墨烯材料为活性层的存储器件性能。本发明方法较好地弥补了传统氧化石墨烯还原方式剧毒及还原过程不可控的局限性，拓展了氧化石墨烯材料的还原路径，有望成为石墨烯基材料化学工业生产的重要步骤，在电存储器件中，发挥了优秀的存储性能。
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公开(公告)号：CN102229623A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110120304.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 螺芴氧杂蒽磷氧类电致磷光主体材料及其合成和应用方法属光电材料科技领域，具体为四个螺芴氧杂蒽有机磷氧材料，以及将该类材料应用于有机电致发光材料、有机太阳能电池、有机场效应管、染料激光、有机非线性光学材料和荧光探针等有机电子学领域。该系列材料分别是往螺芴氧杂蒽的2位、2，7位、2’位以及2’，7’位引入二苯基磷氧基团后获得的。该系列化合物具有较好的电荷传输性能、热稳定性以及高的三线态能级(ET＝-2.86eV)，可以作为主体材料应用于磷光器件中。将其应用在有机电致发光磷光器件中，其蓝光磷光器件最大外量子效率为10.78％，最大亮度为8582cd/m2，在绿光磷光器件中，最大外量子效率为19.1％，最大亮度为16943cd/m2。
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公开(公告)号：CN102229565A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110120331.5
申请日：2011-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D219/02 , C07D219/04 , C07D219/06 , C07D409/04 , C07D409/14 , C07D401/04 , C09K11/06 , H01L51/46 , H01L51/54
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 螺芴二苯并吖啶类有机半导体材料是一种新型的具有十字交叉结构的n-型螺环芳烃有机半导体材料，该类材料涉及精细有机合成、有机染料与光电器件应用领域。螺芴二苯并吖啶类有机半导体材料有望应用于有机电致发光、有机激光、光伏电池、电存储器件等方面。本发明为一种螺芴二苯并吖啶类有机半导体材料的制备方法及其应用，由于其具有非平面结构及其吸电子性质，作为红色电致发光材料以及有机太阳能电池的电子受体材料取得了初步效果。其中本发明的螺芴二苯并吖啶类有机半导体材料具有绿色合成的优势，此材料更可以方便的被多种基团修饰，其器件性能会大幅度提高，有望成为高效光电材料，具有很好的工业化生产和商业前景。
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公开(公告)号：CN119095474A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411246056.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大范围电导可调控的异质结忆阻器及其所述制备方法，所述忆阻器包括：依次设置的顶电极、功能层、底电极和基底，所述顶电极、功能层、底电极和基底相互垂直；所述功能层由p型有机材料PTAA和p型掺杂剂F4‑TCNQ组成。本发明结构易于设计，工艺简单，产率高，具有普适性，开拓了可靠的线性大范围电导可调控的人工突触在空气环境下稳定运行的新材料策略，为构建高稳定性，高精确度人工神经网络提供技术储备，从而促进人工智能器件的发展。
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